Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код HTS | Поверхностный монтаж | Рабочая температура (макс.) | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Скорость | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратное время восстановления | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CDBD620-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/comchiptechnology-cdbd660g-datasheets-2293.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.80 | ДА | 125°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 20 В | Шоттки | 75А | 6А | 20 В | 500 мкА при 20 В | 550 мВ при 6 А | 6А | -55°К~125°К | |||||||
| D6001N50TS05XPSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-d6001n50ts05xpsa1-datasheets-3917.pdf | ДО-200АЭ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 5000В | 400 мА при 5000 В | 1,3 В при 6000 А | 8010А | -40°К~160°К | ||||||||||||||||||||
| SRA10150HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra10100c0g-datasheets-2578.pdf | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 950 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||
| SRA840HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra8150c0g-datasheets-2790.pdf | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 500 мкА при 40 В | 550 мВ при 8 А | 8А | -55°К~125°К | |||||||||||||||||
| SRAF860 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf8100hc0g-datasheets-3809.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 100 мкА при 60 В | 700 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||
| SRAF1060 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf10150c0g-datasheets-3739.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 500 мкА при 60 В | 700 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||
| SRAF560 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf520hc0g-datasheets-3771.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 500 мкА при 60 В | 700 мВ при 5 А | 5А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||
| SFF1603G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff1606gc0g-datasheets-9937.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 80пФ @ 4В 1МГц | 150 В | 10 мкА при 150 В | 975 мВ при 8 А | 16А | -55°К~150°К | |||||||||||||||
| UGF5JHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ugf5jc0g-datasheets-7253.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25нс | Стандартный | 600В | 30 мкА при 600 В | 3 В @ 5 А | 5А | -55°К~150°К | |||||||||||||||
| SRAF860HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf8100hc0g-datasheets-3809.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 100 мкА при 60 В | 700 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||
| SRAF840 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf8100hc0g-datasheets-3809.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 100 мкА при 40 В | 550 мВ при 8 А | 8А | -55°К~125°К | |||||||||||||||||
| UG5JHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ug5jc0g-datasheets-7446.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 20нс | Стандартный | 600В | 30 мкА при 600 В | 3 В @ 5 А | 5А | -55°К~150°К | |||||||||||||||
| SRA850 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra8150c0g-datasheets-2790.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 500 мкА при 50 В | 700 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||
| SRAF840HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf8100hc0g-datasheets-3809.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 100 мкА при 40 В | 550 мВ при 8 А | 8А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||
| SFF1008GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff1006gc0g-datasheets-9885.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 50пФ @ 0В 1МГц | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,7 В при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||
| SRAF5150HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf520hc0g-datasheets-3771.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 950 мВ при 5 А | 5А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||
| 1Н4002Г Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4005ga0g-datasheets-0752.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ДО-204АЛ (ДО-41) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||
| 1N4001GHB0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4005ga0g-datasheets-0752.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ДО-204АЛ (ДО-41) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 50В | 5 мкА при 50 В | 1 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | |||||||||||||||
| SRAF1060HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf10150c0g-datasheets-3739.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 500 мкА при 60 В | 700 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||
| SFF2002GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff2005gc0g-datasheets-6844.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 90пФ @ 4В 1МГц | 100 В | 10 мкА при 100 В | 975 мВ при 10 А | 20А | -55°К~150°К | ||||||||||||||
| 1Н4001Г Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4005ga0g-datasheets-0752.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ДО-204АЛ (ДО-41) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 50В | 5 мкА при 50 В | 1 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||
| SRAF8100 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf8100hc0g-datasheets-3809.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 500 мкА при 100 В | 550 мВ при 8 А | 8А | -55°К~125°К | |||||||||||||||||
| SRAF850 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf8100hc0g-datasheets-3809.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 100 мкА при 50 В | 700 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||
| SRAF820HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf8100hc0g-datasheets-3809.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 20 В | 100 мкА при 20 В | 550 мВ при 8 А | 8А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||
| SRAF850HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf8100hc0g-datasheets-3809.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 100 мкА при 50 В | 700 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||
| SRAF540HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf520hc0g-datasheets-3771.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 500 мкА при 40 В | 550 мВ при 5 А | 5А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||
| SRAF5100HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf520hc0g-datasheets-3771.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 100 мкА при 100 В | 850 мВ при 5 А | 5А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||
| SRAF1660 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf16100c0g-datasheets-3755.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 500 мкА при 60 В | 700 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||
| SRA850HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra8150c0g-datasheets-2790.pdf | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 500 мкА при 50 В | 700 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||
| SRAF5100 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf520hc0g-datasheets-3771.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 100 мкА при 100 В | 850 мВ при 5 А | 5А | -55°К~150°К |
