| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратный ток-Макс. | Обратное время восстановления | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СС34-3НЕ3_А/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-ss34e357t-datasheets-6026.pdf | ДО-214АБ, СМК | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 500 мкА при 40 В | 500 мВ при 3 А | 3А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLL3595 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll3595tr-datasheets-3983.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | совместимый | ДА | 200°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 150 В | 3 мкс | Стандартный | 0,5 А | 0,15 А | 8пФ @ 0В 1МГц | 150 В | 1 нА при 125 В | 1 В @ 200 мА | 150 мА | -65°К~200°К | |||||||||||||||||||||||||||||
| SS36-001HE3_A/I | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 500 мкА при 60 В | 750 мВ при 3 А | 3А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S1J-JR3 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ДО-214АС, СМА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1,5 мкс | Стандартный | 12пФ @ 4В 1МГц | 600В | 1 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJU60C2DPD-00#J2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S1J-F | Диодные решения SMC | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АС, СМА | СМА (ДО-214АС) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 2,5 мкс | Стандартный | 15пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2D008A065A | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-2 | ТО-220-2 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 650В | 9 мкА при 650 В | 1,45 В при 30 А | 30 А постоянного тока | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1МР3 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ДО-214АС, СМА | ДО-214АС (СМА) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1,5 мкс | Стандартный | 12пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 1 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС35-1НЕ3_А/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 500 мкА при 50 В | 750 мВ при 3 А | 3А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLL3595 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll3595tr-datasheets-3983.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | совместимый | ДА | 200°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 150 В | 3 мкс | Стандартный | 0,5 А | 0,15 А | 8пФ @ 0В 1МГц | 150 В | 1 нА при 125 В | 1 В @ 200 мА | 150 мА | -65°К~200°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| СС36-001НЕ3_А/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 500 мкА при 60 В | 750 мВ при 3 А | 3А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SRAF830 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf8100hc0g-datasheets-3809.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30 В | 100 мкА при 30 В | 550 мВ при 8 А | 8А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2D008A065C | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SDT15150P5-7D | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | PowerDI™ 5 | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 В | 100 мкА | Шоттки | 250А | 1 | 15А | 150 В | 100 мкА при 150 В | 860 мВ при 15 А | 15А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||
| SRAF1030HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf10150c0g-datasheets-3739.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30 В | 500 мкА при 30 В | 550 мВ при 10 А | 10А | -55°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SDT15150P5-13D | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-sdt15150p513d-datasheets-3997.pdf | PowerDI™ 5 | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 В | 100 мкА | Шоттки | 250А | 1 | 15А | 150 В | 100 мкА при 150 В | 860 мВ при 15 А | 15А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||
| IDD15E60BUMA1 | Инфинеон Технологии | 0,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 87нс | Стандартный | 600В | 50 мкА при 600 В | 2 В при 15 А | 29,2 А постоянного тока | -40°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБ160ММ-50ТФТР | РОМ Полупроводник | 0,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-rb160mm50tftr-datasheets-3945.pdf | СОД-123Ф | 2 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | 1А | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50В | Шоттки | 1А | 40В | 30 мкА при 40 В | 510 мВ при 1 А | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||
| 1N4003G Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4005ga0g-datasheets-0752.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ДО-204АЛ (ДО-41) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 10пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМШ2-40ЛБК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmsh220ltr13pbfree-datasheets-3072.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 40В | Шоттки | 50А | 1 | 2А | 200пФ @ 4В 1МГц | 40В | 500 мкА при 40 В | 400 мВ при 2 А | 2А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||
| ES3J | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 600В | 3А | ДО-214АБ, СМК | Без свинца | 2 | 1,66 Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 45пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 600 В | 1,7 В при 3 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4003GHB0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4005ga0g-datasheets-0752.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ДО-204АЛ (ДО-41) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 10пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D56U45CXPSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление шпильки | Непригодный | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-d56u40cxpsa1-datasheets-0522.pdf | БГ-DSW272-1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 3,3 мкс | Стандартный | 4500В | 5 при мА 4500 В | 4,5 В при 320 А | 102А | 125°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SRAF560HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf520hc0g-datasheets-3771.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 500 мкА при 60 В | 700 мВ при 5 А | 5А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1Г-Ф | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АС, СМА | СМА (ДО-214АС) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 2,5 мкс | Стандартный | 15пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES3C | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | СМК (ДО-214АБ) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 45пФ @ 4В 1МГц | 150 В | 5 мкА при 150 В | 950 мВ при 3 А | 3А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1М-26Р3 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ДО-214АС, СМА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1,5 мкс | Стандартный | 12пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 1 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES3G | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | СМК (ДО-214АБ) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 45пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,25 В при 3 А | 3А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES3A | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | СМК (ДО-214АБ) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 45пФ @ 4В 1МГц | 50В | 5 мкА при 50 В | 950 мВ при 3 А | 3А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SRAF590HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf520hc0g-datasheets-3771.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 850 мВ при 5 А | 5А | -55°К~150°К |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.