| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Прямое напряжение | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Защита от ЭСР | Пиковый обратный ток | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Ток Зенера | Динамический импеданс-макс. | Импеданс-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ММСЗ5В6CF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-mmsz20vcf-datasheets-5048.pdf | СОД-123Ф | 2 | 4 недели | 27,6 мг | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | КРЕМНИЙ | 1 Вт | 5,6 В | 5% | 100 мА | стабилитрон | 4Ом | 10 мкА при 2 В | 1,2 В при 200 мА | 5,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5260B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 900Ом | 100 нА при 33 В | 1,1 В при 200 мА | 43В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C160TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | Без свинца | 2 | 20 недель | Неизвестный | 2 | 350Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1,2 В | 1 мкА | 160 В | 160 В | 5мА | 158В | КРЕМНИЙ | Нет | 1 мкА | стабилитрон | 4% | 350Ом | 1 мкА при 120 В | 1,2 В при 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5914B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | совместимый | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 3,6 В | 5% | 104,2 мА | стабилитрон | 9Ом | 9Ом | 75 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н991Б БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | нет | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 180 В | стабилитрон | 2,2 кОм | 5 мкА при 136,8 В | 1,5 В при 200 мА | 180 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5262B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 1,1 кОм | 100 нА при 39 В | 1,1 В при 200 мА | 51В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C15TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,3 мм | 2,8 мм | 2 | 20 недель | Неизвестный | 2 | 10Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 5А | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 15 В | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 | 1,2 В | 1 мкА | 15 В | 50 мА | 1,25 Вт | КРЕМНИЙ | Нет | 15 В | стабилитрон | 6% | 10Ом | 1 мкА при 12 В | 1,2 В при 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ФДЗТ40РБ5.6 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РАСМИД | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-fdzt40rb56-datasheets-4962.pdf | 01005 (0402 Метрическая единица) | 2 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | МЭК-61000-4-2 | ДА | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-XBCC-N2 | ОДИНОКИЙ | 100мВт | КРЕМНИЙ | 0,1 Вт | 5,6 В | 5,43% | 5мА | стабилитрон | 1 мкА при 2,5 В | 5,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н5248Б-Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 100 нА при 14 В | 1,1 В при 200 мА | 18В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N988B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | нет | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 130 В | стабилитрон | 1,1 кОм | 5 мкА при 98,8 В | 1,5 В при 200 мА | 130 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N3313B | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/358 | Шпилька | Крепление шпильки | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n3311b-datasheets-0757.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | МИЛ-19500/358Э | 50 Вт | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Квалифицированный | О-МУПМ-Д1 | 10 мкА | 14 В | 890мА | КРЕМНИЙ | 14 В | 5% | стабилитрон | 5% | 1,2 Ом | 10 мкА при 11,4 В | 1,5 В при 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N988B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | совместимый | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА (315) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 130 В | стабилитрон | 1,1 кОм | 5 мкА при 98,8 В | 1,5 В при 200 мА | 130 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5226B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-1n5229bt-datasheets-3451.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 1,6 кОм | 25 мкА при 1 В | 1,1 В при 200 мА | 3,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН1Н3318Б | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/358 | Шпилька | Крепление шпильки | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n3311b-datasheets-0757.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | МИЛ-19500/358Э | 50 Вт | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Квалифицированный | О-МУПМ-Д1 | 10 мкА | 19В | 660 мА | КРЕМНИЙ | 19В | 5% | стабилитрон | 5% | 2,2 Ом | 10 мкА при 13,7 В | 1,5 В при 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5913B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | да | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1,5 Вт | КРЕМНИЙ | 1,5 Вт | 3,3 В | 5% | 113,6 мА | стабилитрон | 10Ом | 10Ом | 100 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 3,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5913B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | да | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА (315) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1,5 Вт | КРЕМНИЙ | 1,5 Вт | 3,3 В | 5% | 113,6 мА | стабилитрон | 10Ом | 10Ом | 100 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 3,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N991B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 180 В | стабилитрон | 2,2 кОм | 5 мкА при 136,8 В | 1,5 В при 200 мА | 180 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N3318B | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/358 | Шпилька | Крепление шпильки | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n3311b-datasheets-0757.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | МИЛ-19500/358Э | 50 Вт | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Квалифицированный | О-МУПМ-Д1 | 10 мкА | 19В | 660 мА | КРЕМНИЙ | 19В | 5% | стабилитрон | 5% | 2,2 Ом | 10 мкА при 13,7 В | 1,5 В при 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C30TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,3 мм | 2,8 мм | 2 | Неизвестный | 2 | 15Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 | 1,2 В | 1 мкА | 30 В | 25 мА | 1,25 Вт | КРЕМНИЙ | Нет | 30 В | 6,67% | стабилитрон | 5% | 8Ом | 1 мкА при 22 В | 1,2 В при 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4730A БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-1n4743atrpbfree-datasheets-4829.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | нет | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | совместимый | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 Вт | КРЕМНИЙ | 1 Вт | 3,9 В | стабилитрон | 9Ом | 50 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА | 3,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5267B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 1,7 кОм | 100 нА при 56 В | 1,1 В при 200 мА | 75В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5915B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | совместимый | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 3,9 В | 5% | 96,1 мА | стабилитрон | 7,5 Ом | 7,5 Ом | 25 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 3,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5252B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 100 нА при 18 В | 1,1 В при 200 мА | 24В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5915B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | совместимый | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 3,9 В | 5% | 96,1 мА | стабилитрон | 7,5 Ом | 7,5 Ом | 25 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 3,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н990Б БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | нет | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 160 В | стабилитрон | 1,7 кОм | 5 мкА при 121,6 В | 1,5 В при 200 мА | 160 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5244B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 100 нА при 10 В | 1,1 В при 200 мА | 14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5242B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 1 мкА при 9,1 В | 1,1 В при 200 мА | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C10TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 5,5 мм | 2 | 20 недель | Неизвестный | 2 | 4Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | 5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 | 1,2 В | 10 мкА | 10 В | 50 мА | 1,25 Вт | КРЕМНИЙ | Нет | 10 В | 6% | стабилитрон | 6% | 50 мА | 4Ом | 10 мкА при 7,5 В | 1,2 В при 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н5265Б-Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 1,4 кОм | 100 нА при 47 В | 1,1 В при 200 мА | 62В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5916B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | совместимый | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 4,3 В | 5% | 87,2 мА | стабилитрон | 6Ом | 6Ом | 5 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 4,3 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.