| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Номинальная мощность | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Динамический импеданс-Макс. | Импеданс-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1Н982Б БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | совместимый | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ЛОВУШКА (315) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицированный | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 75В | стабилитрон | 270Ом | 5 мкА при 56 В | 1,5 В @ 200 мА | 75В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5257B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 700Ом | 100 нА при 25 В | 1,1 В при 200 мА | 33В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CD1005-Z29 | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 1005 (2512 Метрическая единица) | 80Ом | 200мВт | CD1005 | 1005 | 29В | 200мВт | 80 Ом | 100 нА при 29 В | 29В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н979Б БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | совместимый | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ЛОВУШКА (315) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицированный | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 56В | стабилитрон | 150Ом | 5 мкА при 42,6 В | 1,5 В @ 200 мА | 56В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N3313B | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/358 | Шпилька | Крепление шпильки | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n3311b-datasheets-0757.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | МИЛ-19500/358Э | 50 Вт | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Квалифицированный | О-МУПМ-Д1 | 10 мкА | 14 В | 890мА | КРЕМНИЙ | 14 В | 5% | стабилитрон | 5% | 1,2 Ом | 10 мкА при 11,4 В | 1,5 В @ 10 А | |||||||||||||||||||||||||
| 1Н5255Б-Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 100 нА при 21 В | 1,1 В при 200 мА | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5241B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 2 мкА при 8,4 В | 1,1 В при 200 мА | 11В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4729A БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4743atrpbfree-datasheets-4829.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.50 | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 3,6 В | 5% | 69 мА | стабилитрон | 10Ом | 10Ом | 100 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА | 3,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5252B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 100 нА при 18 В | 1,1 В при 200 мА | 24В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5915B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | совместимый | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 3,9 В | 5% | 96,1 мА | стабилитрон | 7,5 Ом | 7,5 Ом | 25 мкА при 1 В | 1,5 В @ 200 мА | 3,9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н990Б БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | нет | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 160 В | стабилитрон | 1,7 кОм | 5 мкА при 121,6 В | 1,5 В @ 200 мА | 160 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5244B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 100 нА при 10 В | 1,1 В при 200 мА | 14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5247B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 100 нА при 13 В | 1,1 В при 200 мА | 17В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5231B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 1,6 кОм | 5 мкА при 2 В | 1,1 В при 200 мА | 5,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5256B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 100 нА при 23 В | 1,1 В при 200 мА | 30В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н5263Б-Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | О-LALF-W2 | 500мВт | стабилитрон | 1,3 кОм | 100 нА при 43 В | 1,1 В при 200 мА | 56В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н5266Б-Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 1,6 кОм | 100 нА при 52 В | 1,1 В при 200 мА | 68В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5246B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 100 нА при 12 В | 1,1 В при 200 мА | 16В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5250B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 100 нА при 15 В | 1,1 В при 200 мА | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н5223Б-Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | О-LALF-W2 | 500мВт | стабилитрон | 1,3 кОм | 75 мкА при 1 В | 1,1 В при 200 мА | 2,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н5253Б-Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 100 нА при 19 В | 1,1 В при 200 мА | 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4735А-Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4746atr-datasheets-7372.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 2 | 30 | 1 | O-XALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1,3 Вт | КРЕМНИЙ | 1,3 Вт | 6,2 В | 5% | 41 мА | стабилитрон | 700Ом | 10 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 6,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5249B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 100 нА при 14 В | 1,1 В при 200 мА | 19В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5240B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | 10 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | Без свинца | да | 600Ом | неизвестный | 500мВт | ±5% | 500мВт | 2 | 10 В | 600Ом | 3 мкА при 7 В | 1,1 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5251B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 100 нА при 17 В | 1,1 В при 200 мА | 22В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5245B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 7 недель | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 100 нА при 11 В | 1,1 В при 200 мА | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5238B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 600Ом | 3 мкА при 6,5 В | 1,1 В при 200 мА | 8,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н5235Б-Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 750Ом | 3 мкА при 5 В | 1,1 В при 200 мА | 6,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5261B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 1 кОм | 100 нА при 36 В | 1,1 В при 200 мА | 47В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5264B-T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | неизвестный | ±5% | 2 | 500мВт | 1,4 кОм | 100 нА при 46 В | 1,1 В при 200 мА | 60В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.