Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Соединение корпуса | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZD17C220P РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,68% | Суб-SMA | 800мВт | 900 Ом | 1 мкА при 160 В | 1,2 В при 200 мА | 220В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C7V5P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | ДО-219АБ | ±6,04% | Суб-SMA | 1 Вт | 2Ом | 50 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 7,45 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD17C43P КОВЕР | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,97% | Суб-SMA | 800мВт | 45 Ом | 1 мкА при 33 В | 1,2 В при 200 мА | 43В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C68P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 1 Вт | 80 Ом | 1 мкА при 51 В | 1,2 В при 200 мА | 68В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| КОВЕР BZD17C13P | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,53% | Суб-SMA | 800мВт | 10 Ом | 2 мкА при 10 В | 1,2 В при 200 мА | 13В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| УДЗВТЭ-1718Б | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СК-90, СОД-323Ф | УМД2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5998B-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-1n6004btp-datasheets-2868.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | 8 недель | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | O-XALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 8,2 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 7Ом | 500 нА при 6,5 В | 1,5 В при 100 мА | 8,2 В | ||||||
| 1N4752ATA | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 200°С | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 6 недель | ±5% | 1 Вт | 45Ом | 5 мкА при 25,1 В | 1,2 В при 200 мА | 33В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C47PHRFG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,38% | Суб-SMA | 1 Вт | 45 Ом | 1 мкА при 36 В | 1,2 В при 200 мА | 47В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| СЗНЗ3Ф10ВТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nz3f10vt1g-datasheets-5180.pdf | СК-90, СОД-323Ф | 2 | да | ±6% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | 800мВт | КРЕМНИЙ | 0,8 Вт | 10 В | 6% | 5мА | стабилитрон | 40Ом | 100 нА при 8 В | 1,3 В при 10 мА | 10 В | |||||||||||||||
| БЗД27С9В1П РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | ДО-219АБ | ±5% | Суб-SMA | 1 Вт | 4Ом | 10 мкА при 5 В | 1,2 В при 200 мА | 9,05 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27С8В2П РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | ДО-219АБ | ±5% | Суб-SMA | 1 Вт | 2Ом | 10 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 8,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЗ3Ф9В1Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nz3f10vt1g-datasheets-5180.pdf | СК-90, СОД-323Ф | 2 | 52 недели | да | ±6,04% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | 800мВт | КРЕМНИЙ | 0,8 Вт | 9,1 В | 6,08% | 5мА | стабилитрон | 45Ом | 200 нА при 7 В | 1,3 В при 10 мА | 9,1 В | |||||||||||||||
| БЗД17С18П РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,38% | Суб-SMA | 800мВт | 15 Ом | 1 мкА при 13 В | 1,2 В при 200 мА | 18В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD17C200P РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 800мВт | 750 Ом | 1 мкА при 150 В | 1,2 В при 200 мА | 200В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД17С13П РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,53% | Суб-SMA | 800мВт | 10 Ом | 2 мкА при 10 В | 1,2 В при 200 мА | 13В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| УДЗ12Б-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2013 год | СК-76, СОД-323 | ±2% | СОД-323 | 200мВт | 30 Ом | 100 нА при 9 В | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4753G Р1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4742aa0g-datasheets-8764.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | 1 Вт | 50Ом | 5 мкА при 27,4 В | 1,2 В при 200 мА | 36В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД17С180П РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,38% | Суб-SMA | 800мВт | 450 Ом | 1 мкА при 130 В | 1,2 В при 200 мА | 180 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЗ3Ф5В6Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nz3f10vt1g-datasheets-5180.pdf | СК-90, СОД-323Ф | 2 | да | ±7,14% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | 800мВт | КРЕМНИЙ | 0,8 Вт | 5,6 В | 5мА | стабилитрон | 60Ом | 1 мкА при 2 В | 1,3 В при 10 мА | 5,6 В | |||||||||||||||||
| БЗД17С27П РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±7,03% | Суб-SMA | 800мВт | 15 Ом | 1 мкА при 20 В | 1,2 В при 200 мА | 27В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СЗНЗ3Ф4В7Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nz3f10vt1g-datasheets-5180.pdf | СК-90, СОД-323Ф | 2 | 52 недели | да | ±6,38% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | 800мВт | КРЕМНИЙ | 0,8 Вт | 4,7 В | 5мА | стабилитрон | 100Ом | 3 мкА при 2 В | 1,3 В при 10 мА | 4,7 В | |||||||||||||||
| BZD27C75P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,04% | Суб-SMA | 1 Вт | 100 Ом | 1 мкА при 56 В | 1,2 В при 200 мА | 74,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЗ3Ф12ВТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nz3f10vt1g-datasheets-5180.pdf | СК-90, СОД-323Ф | 2 | 5 недель | да | ±5,42% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | 800мВт | КРЕМНИЙ | 0,8 Вт | 12 В | 5,39% | 5мА | стабилитрон | 60Ом | 100 нА при 8 В | 1,3 В при 10 мА | 12 В | |||||||||||||||
| ЗММ5263Б-7 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-zmm5261b7-datasheets-1062.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | 500мВт | 150Ом | 100 нА при 43 В | 1,5 В @ 200 мА | 56В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УДЗ15Б-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2013 год | СК-76, СОД-323 | ±2% | СОД-323 | 200мВт | 42 Ом | 100 нА при 11 В | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C62P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,45% | Суб-SMA | 1 Вт | 80 Ом | 1 мкА при 47 В | 1,2 В при 200 мА | 62В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДЗ9686АТ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СОД-123 | СОД-123 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД17С11П РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,45% | Суб-SMA | 800мВт | 7 Ом | 4 мкА при 8,2 В | 1,2 В при 200 мА | 11В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СЗНЗ3Ф47ВТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nz3f10vt1g-datasheets-5180.pdf | СК-90, СОД-323Ф | 2 | 5 недель | да | ±6,38% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | 800мВт | КРЕМНИЙ | 0,8 Вт | 47В | 2мА | стабилитрон | 150Ом | 50 нА при 32,9 В | 1,3 В при 10 мА | 47В |
