| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Толерантность | Поставщик пакета оборудования | Мощность - Макс. | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX585B2V7 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 100Ом | 18 мкА при 1 В | 2,7 В | ||||||
| БЗД27С6В8ПХРВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 1 Вт | 3Ом | 10 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 6,8 В | |||
| BZX585B10 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 20Ом | 180 нА при 7 В | 10 В | ||||||
| БЗД27С7В5ПХРВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,04% | Суб-SMA | 1 Вт | 2Ом | 50 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 7,45 В | |||
| BZX585B4V3 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 90Ом | 2,7 мкА при 1 В | 4,3 В | ||||||
| BZX584B20 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx584b15rsg-datasheets-8712.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 150 мВт | 55Ом | 100 нА при 14 В | 900 мВ при 10 мА | 20 В | |||||
| BZX585B6V8 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 15Ом | 1,8 мкА при 4 В | 6,8 В | ||||||
| BZX585B36 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 90Ом | 45 нА при 25,2 В | 36В | ||||||
| BZX585B43 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 150Ом | 45 нА при 30,1 В | 43В | ||||||
| BZX585B18 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 45Ом | 45 нА при 12,6 В | 18В | ||||||
| BZX585B30 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 80Ом | 45 нА при 21 В | 30В | ||||||
| BZX585B22 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 55Ом | 45 нА при 15,4 В | 22В | ||||||
| BZX585B51 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 180Ом | 45 нА при 35,7 В | 51В | ||||||
| BZX585B11 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 20Ом | 90 нА при 8 В | 11В | ||||||
| 1N4738G А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТА | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4735ga0g-datasheets-9410.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1 Вт | 4,5 Ом | 10 мкА при 6 В | 1,2 В при 200 мА | 8,2 В | ||||
| BZX584B8V2 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx584b15rsg-datasheets-8712.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 150 мВт | 15Ом | 700 нА при 5 В | 900 мВ при 10 мА | 8,2 В | |||||
| BZX585B47 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 170Ом | 45 нА при 33 В | 47В | ||||||
| BZX585B16 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 40Ом | 45 нА при 11,2 В | 16 В | ||||||
| BZX585B27 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 80Ом | 45 нА при 18,9 В | 27В | ||||||
| BZX585B3V6 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 90Ом | 4,5 мкА при 1 В | 3,6 В | ||||||
| BZX584B13 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx584b15rsg-datasheets-8712.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 150 мВт | 30Ом | 100 нА при 8 В | 900 мВ при 10 мА | 13В | |||||
| BZD27C68PHRUG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 1 Вт | 80 Ом | 1 мкА при 51 В | 1,2 В при 200 мА | 68В | |||
| BZD27C39PHRUG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,12% | Суб-SMA | 1 Вт | 40 Ом | 1 мкА при 30 В | 1,2 В при 200 мА | 39В | |||
| BZX584B6V2 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx584b15rsg-datasheets-8712.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 150 мВт | 10Ом | 3 мкА при 4 В | 900 мВ при 10 мА | 6,2 В | |||||
| BZD27C47P КОВЕР | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,38% | Суб-SMA | 1 Вт | 45 Ом | 1 мкА при 36 В | 1,2 В при 200 мА | 47В | ||||
| BZX584B11 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx584b15rsg-datasheets-8712.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 150 мВт | 20Ом | 100 нА при 8 В | 900 мВ при 10 мА | 11В | |||||
| BZX584B16 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx584b15rsg-datasheets-8712.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 150 мВт | 40Ом | 100 нА при 11,2 В | 900 мВ при 10 мА | 16 В | |||||
| КОВЕР BZD27C9V1P | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | ДО-219АБ | ±6,07% | Суб-SMA | 1 Вт | 4Ом | 10 мкА при 5 В | 1,2 В при 200 мА | 9,05 В | ||||
| BZD27C75PHRUG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,04% | Суб-SMA | 1 Вт | 100 Ом | 1 мкА при 56 В | 1,2 В при 200 мА | 74,5 В | |||
| КОВЕР BZD27C7V5P | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | ДО-219АБ | ±6,04% | Суб-SMA | 1 Вт | 2Ом | 50 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 7,45 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.