Одиночные стабилитроны(43788)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Статус RoHS	Техническая спецификация	Пакет/ключи	Толерантность	Поставщик пакета оборудования	Мощность - Макс.	Импеданс-Макс.	Ток – обратная утечка @ Vr	Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз)
BZX55C2V2 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	100 Ом	100 мкА при 1 В	1 В при 100 мА	2,2 В
1N5226B А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	100°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n5246ba0g-datasheets-6317.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	28 Ом	25 мкА при 1 В	1,1 В при 200 мА	3,3 В
БЗС55Б2В7 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±2%	ДО-35	500мВт	85 Ом	10 мкА при 1 В	1 В при 100 мА	2,7 В
BZX585B5V6 РКГ	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	150°С ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf	СК-79, СОД-523	±2%		200мВт	40Ом	900 нА при 2 В		5,6 В
БЗС55Б6В8 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	0,35 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±2%	ДО-35	500мВт	8 Ом	100 нА при 3 В	1 В при 100 мА	6,8 В
1N5224B А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	100°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n5246ba0g-datasheets-6317.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	30 Ом	75 мкА при 1 В	1,1 В при 200 мА	2,8 В
BZX55C39 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	90 Ом	100 нА при 28 В	1 В при 100 мА	39В
BZX55C11 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	20 Ом	100 нА при 8,2 В	1 В при 100 мА	11В
BZX55C27 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	80 Ом	100 нА при 20 В	1 В при 100 мА	27В
1N5261B А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	100°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n5246ba0g-datasheets-6317.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	105 Ом	100 нА при 36 В	1,1 В при 200 мА	47В
БЗС55Б36 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±2%	ДО-35	500мВт	80 Ом	100 нА при 27 В	1 В при 100 мА	36В
1N4731G А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТА	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4735ga0g-datasheets-9410.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1 Вт	9 Ом	10 мкА при 1 В	1,2 В при 200 мА	4,3 В
БЗС55Б33 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±2%	ДО-35	500мВт	80 Ом	100 нА при 24 В	1 В при 100 мА	33В
БЗС55Б30 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±2%	ДО-35	500мВт	80 Ом	100 нА при 22 В	1 В при 100 мА	30В
BZX55C2V7 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	85 Ом	10 мкА при 1 В	1 В при 100 мА	2,7 В
БЗС55Б75 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±2%	ДО-35	500мВт	170 Ом	100 нА при 56 В	1 В при 100 мА	75В
BZX55C33 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	80 Ом	100 нА при 24 В	1 В при 100 мА	33В
BZX55B56 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±2%	ДО-35	500мВт	135 Ом	100 нА при 42 В	1 В при 100 мА	56В
BZX55C22 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	55 Ом	100 нА при 17 В	1 В при 100 мА	22В
BZX55C12 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	20 Ом	100 нА при 9,1 В	1 В при 100 мА	12 В
BZX55B11 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±2%	ДО-35	500мВт	20 Ом	100 нА при 8,2 В	1 В при 100 мА	11В
1N5262B А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	100°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n5246ba0g-datasheets-6317.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	125 Ом	100 нА при 39 В	1,1 В при 200 мА	51В
BZX585B7V5 РКГ	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	150°С ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf	СК-79, СОД-523	±2%		200мВт	15Ом	900 нА при 5 В		7,5 В
1N5225B А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	100°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n5246ba0g-datasheets-6317.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	29 Ом	50 мкА при 1 В	1,1 В при 200 мА	3В
BZX584B10 РКГ	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	150°С ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx584b15rsg-datasheets-8712.pdf	СК-79, СОД-523	±2%		150 мВт	20Ом	200 нА при 7 В	900 мВ при 10 мА	10 В
BZX585B3V3 РКГ	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	150°С ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf	СК-79, СОД-523	±2%		200мВт	95Ом	4,5 мкА при 1 В		3,3 В
BZX585B13 РКГ	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	150°С ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf	СК-79, СОД-523	±2%		200мВт	30Ом	90 нА при 8 В		13В
BZX585B8V2 РКГ	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	150°С ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf	СК-79, СОД-523	±2%		200мВт	15Ом	630 нА при 5 В		8,2 В
1N4745G А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТА	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4742aa0g-datasheets-8764.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1 Вт	16 Ом	5 мкА при 12,2 В	1,2 В при 200 мА	16В
1N4729G А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТА	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4735ga0g-datasheets-9410.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1 Вт	10 Ом	100 мкА при 1 В	1,2 В при 200 мА	3,6 В

Одиночные стабилитроны(43788)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии