Одиночные стабилитроны(43788)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Ряд	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Статус RoHS	Техническая спецификация	Пакет/ключи	Толерантность	Поставщик пакета оборудования	Мощность - Макс.	Импеданс-Макс	Ток – обратная утечка @ Vr	Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз)
BZX85C10 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	7 Ом	500 нА при 7,5 В	1,2 В при 10 мА	10 В
BZX79C5V1 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	60 Ом	2 мкА при 2 В	1,5 В при 100 мА	5,1 В
2М13З А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	5 Ом	500 нА при 9,9 В		13В
2М130ЖА0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	400 Ом	500 нА при 98,8 В		130 В
BZX85C4V7 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	13 Ом	3 мкА при 1 В	1,2 В при 10 мА	4,7 В
BZX85C12 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	9 Ом	500 нА при 9,1 В	1,2 В при 10 мА	12 В
2М11З А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	4Ом	1 мкА при 8,4 В		11В
2М13ЖА0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	5 Ом	500 нА при 9,9 В		13В
2М14ЖА0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	5,5 Ом	500 нА при 10,6 В		14 В
BZX79C3V9 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	90 Ом	10 мкА при 1 В	1,5 В при 100 мА	3,9 В
BZX85C6V2 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	4Ом	1 мкА при 3 В	1,2 В при 10 мА	6,2 В
BZX85C39 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	45 Ом	500 нА при 27 В	1,2 В при 10 мА	39В
BZX79C15 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	30 Ом	50 нА при 10,5 В	1,5 В при 100 мА	15 В
BZX79C22 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	55 Ом	50 нА при 15,4 В	1,5 В при 100 мА	22В
BZX85C6V8 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	/files/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	3,5 Ом	1 мкА при 4 В	1,2 В при 10 мА	6,8 В
BZX79C4V3 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	90 Ом	5 мкА при 1 В	1,5 В при 100 мА	4,3 В
BZX79C9V1 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	15 Ом	500 нА при 6 В	1,5 В при 100 мА	9,1 В
BZX79C62 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	215 Ом	50 нА при 43,4 В	1,5 В при 100 мА	62В
BZX79C16 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	40 Ом	50 нА при 11,2 В	1,5 В при 100 мА	16В
BZX79C3V0 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	95 Ом	50 мкА при 1 В	1,5 В при 100 мА	3В
2М11ЖА0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	4Ом	1 мкА при 8,4 В		11В
BZX79C39 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	130 Ом	50 нА при 27,3 В	1,5 В при 100 мА	39В
BZX79C3V6 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	90 Ом	15 мкА при 1 В	1,5 В при 100 мА	3,6 В
BZX55C5V6 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	25 Ом	100 нА при 1 В	1 В при 100 мА	5,6 В
BZX85C11 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	8 Ом	500 нА при 8,2 В	1,2 В при 10 мА	11В
BZX79C6V8 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	15 Ом	2 мкА при 4 В	1,5 В при 100 мА	6,8 В
BZX55C43 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	90 Ом	100 нА при 32 В	1 В при 100 мА	43В
BZX79C43 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	150 Ом	50 нА при 30,1 В	1,5 В при 100 мА	43В
BZX79C8V2 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	15 Ом	700 нА при 5 В	1,5 В при 100 мА	8,2 В
BZX55C7V5 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	7 Ом	100 нА при 5 В	1 В при 100 мА	7,5 В

Одиночные стабилитроны(43788)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии