Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны (43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Толерантность | Поставщик пакета оборудования | Мощность - Макс. | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2М100З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 175 Ом | 500 нА при 76 В | 100В | |||||
| 2М160ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 650 Ом | 500 нА при 121,6 В | 160 В | ||||
| 2М68З А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 75 Ом | 500 нА при 51,7 В | 68В | |||||
| 2М39ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 30 Ом | 500 нА при 29,7 В | 39В | ||||
| 2М11З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 4Ом | 1 мкА при 8,4 В | 11В | |||||
| 2М56ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 55 Ом | 500 нА при 42,6 В | 56В | ||||
| 2М62ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 60 Ом | 500 нА при 47,1 В | 62В | ||||
| 2М30ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 20 Ом | 500 нА при 22,8 В | 30В | ||||
| 2М110З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 250 Ом | 500 нА при 83,6 В | 110 В | |||||
| 2М24З А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 13 Ом | 500 нА при 18,2 В | 24В | |||||
| 2М75З А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 90 Ом | 500 нА при 56 В | 75В | |||||
| 2М16ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 8 Ом | 500 нА при 12,2 В | 16В | ||||
| 2М11ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 4Ом | 1 мкА при 8,4 В | 11В | ||||
| 2М91З А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 125 Ом | 500 нА при 69,2 В | 91В | |||||
| 2М75ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 90 Ом | 500 нА при 56 В | 75В | ||||
| 2М150ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 575 Ом | 500 нА при 114 В | 150 В | ||||
| 1N4753G Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4742aa0g-datasheets-8764.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1 Вт | 50 Ом | 5 мкА при 27,4 В | 1,2 В при 200 мА | 36В | ||||
| BZX79C3V3 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 95 Ом | 25 мкА при 1 В | 1,5 В при 100 мА | 3,3 В | ||||
| BZX85C51 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1,3 Вт | 115 Ом | 500 нА при 36 В | 1,2 В @ 10 мА | 51В | ||||
| BZX85C43 А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1,3 Вт | 50 Ом | 500 нА при 30 В | 1,2 В @ 10 мА | 43В | ||||
| 2М190ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 825 Ом | 500 нА при 144,8 В | 190В | ||||
| BZX85C9V1 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1,3 Вт | 5 Ом | 1 мкА при 6,9 В | 1,2 В @ 10 мА | 9,1 В | ||||
| 2М180ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 725 Ом | 500 нА при 136,8 В | 180 В | ||||
| 2М120ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 325 Ом | 500 нА при 91,2 В | 120 В | ||||
| 2М62З А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 60 Ом | 500 нА при 47,1 В | 62В | |||||
| BZX85C30 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1,3 Вт | 30 Ом | 500 нА при 22 В | 1,2 В @ 10 мА | 30В | ||||
| BZX55C6V2 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 10 Ом | 100 нА при 2 В | 1 В при 100 мА | 6,2 В | ||||
| 2М22ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 12 Ом | 500 нА при 16,7 В | 22В | ||||
| 2М33ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 23 Ом | 500 нА при 25,1 В | 33В | ||||
| 2М19ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 11 Ом | 500 нА при 14,4 В | 19В |
