Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Динамический импеданс-макс. | Импеданс-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX55C3V9 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 85 Ом | 2 мкА при 1 В | 1 В при 100 мА | 3,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C3V3 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 85 Ом | 2 мкА при 1 В | 1 В при 100 мА | 3,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C3V6 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 85 Ом | 2 мкА при 1 В | 1 В при 100 мА | 3,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| БЗС55Б5В1 А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±2% | ДО-35 | 500мВт | 35 Ом | 100 нА при 1 В | 1 В при 100 мА | 5,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52C2V4SQ-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-bzt52c2v4s7f-datasheets-9509.pdf | СК-76, СОД-323 | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±8,34% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 1 | Диоды опорного напряжения | Р-ПДСО-Г2 | ОДИНОКИЙ | 200мВт | КРЕМНИЙ | 0,2 Вт | 2,4 В | 8,33% | 5мА | стабилитрон | 100Ом | 100Ом | 50 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 2,4 В | ||||
| 1N5222B А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 100°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-1n5246ba0g-datasheets-6317.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 30 Ом | 100 мкА при 1 В | 1,1 В при 200 мА | 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C75 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 170 Ом | 100 нА при 56 В | 1 В при 100 мА | 75В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55B12 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±2% | ДО-35 | 500мВт | 20 Ом | 100 нА при 9,1 В | 1 В при 100 мА | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C36 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 80 Ом | 100 нА при 27 В | 1 В при 100 мА | 36В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55B22 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±2% | ДО-35 | 500мВт | 55 Ом | 100 нА при 17 В | 1 В при 100 мА | 22В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5223B А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 100°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n5246ba0g-datasheets-6317.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 30 Ом | 75 мкА при 1 В | 1,1 В при 200 мА | 2,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C24 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 80 Ом | 100 нА при 18 В | 1 В при 100 мА | 24В | |||||||||||||||||||||||||||||
| БЗС55Б39 А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±2% | ДО-35 | 500мВт | 90 Ом | 100 нА при 28 В | 1 В при 100 мА | 39В | |||||||||||||||||||||||||||||
| БЗС55Б62 А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±2% | ДО-35 | 500мВт | 150 Ом | 100 нА при 47 В | 1 В при 100 мА | 62В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C10 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 15 Ом | 100 нА при 7,5 В | 1 В при 100 мА | 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C30 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 80 Ом | 100 нА при 22 В | 1 В при 100 мА | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C20 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 55 Ом | 100 нА при 15 В | 1 В при 100 мА | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55B47 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±2% | ДО-35 | 500мВт | 110 Ом | 100 нА при 35 В | 1 В при 100 мА | 47В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C15 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 30 Ом | 100 нА при 11 В | 1 В при 100 мА | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55B51 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±2% | ДО-35 | 500мВт | 125 Ом | 100 нА при 38 В | 1 В при 100 мА | 51В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5227B А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 100°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n5246ba0g-datasheets-6317.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 24 Ом | 15 мкА при 1 В | 1,1 В при 200 мА | 3,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| БЗС55Б68 А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±2% | ДО-35 | 500мВт | 160 Ом | 100 нА при 51 В | 1 В при 100 мА | 68В | |||||||||||||||||||||||||||||
| БЗС55Б43 А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±2% | ДО-35 | 500мВт | 90 Ом | 100 нА при 32 В | 1 В при 100 мА | 43В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C3V0 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 85 Ом | 4 мкА при 1 В | 1 В при 100 мА | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||
| БЗС55Б16 А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±2% | ДО-35 | 500мВт | 40 Ом | 100 нА при 12 В | 1 В при 100 мА | 16В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C2V4 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 85 Ом | 50 мкА при 1 В | 1 В при 100 мА | 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C13 А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 26 Ом | 100 нА при 10 В | 1 В при 100 мА | 13В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4756G А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТА | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4742aa0g-datasheets-8764.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1 Вт | 80 Ом | 5 мкА при 35,8 В | 1,2 В при 200 мА | 47В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C2V2 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 100 Ом | 100 мкА при 1 В | 1 В при 100 мА | 2,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5226B А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 100°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n5246ba0g-datasheets-6317.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 28 Ом | 25 мкА при 1 В | 1,1 В при 200 мА | 3,3 В |
