Одиночные стабилитроны(43788)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Ряд	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Статус RoHS	Техническая спецификация	Пакет/ключи	Толерантность	Поставщик пакета оборудования	Мощность - Макс.	Импеданс-Макс	Ток – обратная утечка @ Vr	Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз)
BZX79C16 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	40 Ом	50 нА при 11,2 В	1,5 В при 100 мА	16В
BZX79C3V0 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	95 Ом	50 мкА при 1 В	1,5 В при 100 мА	3В
2М11ЖА0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	4Ом	1 мкА при 8,4 В		11В
BZX79C39 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	130 Ом	50 нА при 27,3 В	1,5 В при 100 мА	39В
BZX79C3V6 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	90 Ом	15 мкА при 1 В	1,5 В при 100 мА	3,6 В
BZX55C5V6 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	25 Ом	100 нА при 1 В	1 В при 100 мА	5,6 В
BZX85C11 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	8 Ом	500 нА при 8,2 В	1,2 В при 10 мА	11В
BZX55C4V3 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	75 Ом	1 мкА при 1 В	1 В при 100 мА	4,3 В
BZX79C5V6 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	40 Ом	1 мкА при 2 В	1,5 В при 100 мА	5,6 В
BZX55C56 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	135 Ом	100 нА при 42 В	1 В при 100 мА	56В
BZX79C47 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	170 Ом	50 нА при 32,9 В	1,5 В при 100 мА	47В
BZX79C13 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	30 Ом	100 нА при 8 В	1,5 В при 100 мА	13В
BZX55C9V1 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	10 Ом	100 нА при 6,8 В	1 В при 100 мА	9,1 В
BZX55C47 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	110 Ом	100 нА при 35 В	1 В при 100 мА	47В
BZX79C2V2 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	100 Ом	150 мкА при 1 В	1,5 В при 100 мА	2,2 В
BZX79C30 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	80 Ом	50 нА при 21 В	1,5 В при 100 мА	30В
BZX79C2V0 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	100 Ом	150 мкА при 1 В	1,5 В при 100 мА	2В
BZX55C62 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	150 Ом	100 нА при 47 В	1 В при 100 мА	62В
BZX79C36 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	90 Ом	50 нА при 25,2 В	1,5 В при 100 мА	36В
BZX79C11 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	20 Ом	100 нА при 8 В	1,5 В при 100 мА	11В
BZX55C68 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	160 Ом	100 нА при 51 В	1 В при 100 мА	68В
BZX79C20 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	55 Ом	50 нА при 14 В	1,5 В при 100 мА	20 В
BZX55C4V7 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	60 Ом	500 нА при 1 В	1 В при 100 мА	4,7 В
BZX79C2V7 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	100 Ом	75 мкА при 1 В	1,5 В при 100 мА	2,7 В
BZX79C2V4 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	100 Ом	100 мкА при 1 В	1,5 В при 100 мА	2,4 В
BZX79C33 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	80 Ом	50 нА при 23,1 В	1,5 В при 100 мА	33В
BZX79C6V2 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	10 Ом	3 мкА при 4 В	1,5 В при 100 мА	6,2 В
BZX55C51 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	125 Ом	100 нА при 38 В	1 В при 100 мА	51В
BZX55C3V9 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	85 Ом	2 мкА при 1 В	1 В при 100 мА	3,9 В
BZX55C3V3 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55c11a0g-datasheets-5634.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	85 Ом	2 мкА при 1 В	1 В при 100 мА	3,3 В

Одиночные стабилитроны(43788)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии