| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Толерантность | Поставщик пакета оборудования | Мощность - Макс. | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2М33ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 23 Ом | 500 нА при 25,1 В | 33В | ||||
| 2М120З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 325 Ом | 500 нА при 91,2 В | 120 В | |||||
| 2М130З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 400 Ом | 500 нА при 98,8 В | 130 В | |||||
| 1N4742G Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4742aa0g-datasheets-8764.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1 Вт | 50 Ом | 5 мкА при 27,4 В | 1,2 В при 200 мА | 12 В | ||||
| 2М200ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 900 Ом | 500 нА при 152 В | 200В | ||||
| 2М14З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 5,5 Ом | 500 нА при 10,6 В | 14 В | |||||
| 2М13З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 5 Ом | 500 нА при 9,9 В | 13В | |||||
| 2М82З А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 100 Ом | 500 нА при 62,2 В | 82В | |||||
| 2М15ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 7 Ом | 500 нА при 11,4 В | 15 В | ||||
| 2М140З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 500 Ом | 500 нА при 106,4 В | 140 В | |||||
| 2М150ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 575 Ом | 500 нА при 114 В | 150 В | ||||
| 2М12ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 4,5 Ом | 1 мкА при 9,1 В | 12 В | ||||
| 2М14ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 5,5 Ом | 500 нА при 10,6 В | 14 В | ||||
| 2М18З А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 10 Ом | 500 нА при 13,7 В | 18В | |||||
| 1N4760A Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4742aa0g-datasheets-8764.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1 Вт | 150 Ом | 5 мкА при 51,7 В | 68В | |||||
| 2М47ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 40 Ом | 500 нА при 35,8 В | 47В | ||||
| 2М130ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 400 Ом | 500 нА при 98,8 В | 130 В | ||||
| 2М100ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 175 Ом | 500 нА при 76 В | 100В | ||||
| 2М100ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 175 Ом | 500 нА при 76 В | 100В | ||||
| 2М160З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 650 Ом | 500 нА при 121,6 В | 160 В | |||||
| 2М82ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 100 Ом | 500 нА при 62,2 В | 82В | ||||
| 2М75ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 90 Ом | 500 нА при 56 В | 75В | ||||
| 2М150ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 575 Ом | 500 нА при 114 В | 150 В | ||||
| 1N4753G Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4742aa0g-datasheets-8764.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1 Вт | 50 Ом | 5 мкА при 27,4 В | 1,2 В при 200 мА | 36В | ||||
| 2М170З А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 675 Ом | 500 нА при 130,4 В | 170В | |||||
| 2М91ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 125 Ом | 500 нА при 69,2 В | 91В | ||||
| 2М19З А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 11 Ом | 500 нА при 14,4 В | 19В | |||||
| BZX85C7V5 A0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1,3 Вт | 3Ом | 1 мкА при 4,5 В | 1,2 В @ 10 мА | 7,5 В | ||||
| 2М51ЖА0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 48 Ом | 500 нА при 38,8 В | 51В | ||||
| 2М15З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 7 Ом | 500 нА при 11,4 В | 15 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.