Одиночные стабилитроны(43788)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Ряд	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Статус RoHS	Техническая спецификация	Пакет/ключи	Толерантность	Поставщик пакета оборудования	Мощность - Макс.	Импеданс-Макс	Ток – обратная утечка @ Vr	Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз)
2М24ЖА0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	13 Ом	500 нА при 18,2 В		24В
2М100З А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	175 Ом	500 нА при 76 В		100В
BZX79C4V7 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	80 Ом	3 мкА при 2 В	1,5 В при 100 мА	4,7 В
BZX85C47 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	90 Ом	500 нА при 33 В	1,2 В при 10 мА	47В
2М15ЖА0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	7 Ом	500 нА при 11,4 В		15 В
BZX85C3V9 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	15 Ом	20 мкА при 1 В	1,2 В при 10 мА	3,9 В
2М12ЖА0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	4,5 Ом	1 мкА при 9,1 В		12 В
BZX85C3V3 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	20 Ом	40 мкА при 1 В	1,2 В при 10 мА	3,3 В
2М30З А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	20 Ом	500 нА при 22,8 В		30В
BZX85C3V6 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	20 Ом	20 мкА при 1 В	1,2 В при 10 мА	3,6 В
2М47З А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	40 Ом	500 нА при 35,8 В		47В
2М150З А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	575 Ом	500 нА при 114 В		150 В
BZX85C33 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	35 Ом	500 нА при 24 В	1,2 В при 10 мА	33В
2М140ЖА0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	500 Ом	500 нА при 106,4 В		140 В
BZX79C7V5 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	15 Ом	1 мкА при 5 В	1,5 В при 100 мА	7,5 В
BZX85C36 А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	40 Ом	500 нА при 25 В	1,2 В при 10 мА	36В
BZX79C68 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	240 Ом	50 нА при 47,6 В	1,5 В при 100 мА	68В
BZX85C20 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	/files/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	24 Ом	500 нА при 15 В	1,2 В при 10 мА	20 В
2М130З А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	400 Ом	500 нА при 98,8 В		130 В
BZX85C5V1 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	10 Ом	1 мкА при 1,5 В	1,2 В при 10 мА	5,1 В
2М110ЖА0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	250 Ом	500 нА при 83,6 В		110 В
2М17ЖА0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	9 Ом	500 нА при 13 В		17В
BZX85C10 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	7 Ом	500 нА при 7,5 В	1,2 В при 10 мА	10 В
BZX79C5V1 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx79c10a0g-datasheets-7451.pdf	ДО-204АХ, ДО-35, осевой	±5%	ДО-35	500мВт	60 Ом	2 мкА при 2 В	1,5 В при 100 мА	5,1 В
2М13З А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	5 Ом	500 нА при 9,9 В		13В
2М130ЖА0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	400 Ом	500 нА при 98,8 В		130 В
BZX85C4V7 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	13 Ом	3 мкА при 1 В	1,2 В при 10 мА	4,7 В
BZX85C12 A0G	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-65°С~200°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx85c15a0g-datasheets-3942.pdf	ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой	±5%	ДО-204АЛ (ДО-41)	1,3 Вт	9 Ом	500 нА при 9,1 В	1,2 В при 10 мА	12 В
2М11З А0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	4Ом	1 мкА при 8,4 В		11В
2М13ЖА0Г	Тайванская полупроводниковая корпорация	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Сквозное отверстие	-55°С~175°С ТДж	Лента и коробка (ТБ)	1 (без блокировки)	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf	ДО-204АС, ДО-15, осевой	±5%	ДО-204АС (ДО-15)	2 Вт	5 Ом	500 нА при 9,9 В		13В

Одиночные стабилитроны(43788)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии