Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Толерантность | Количество контактов | Поставщик пакета оборудования | Мощность - Макс. | Импеданс-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX84-A8V2/DG/B3:2 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-bzx84b4v7215-datasheets-1503.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ±1% | 250мВт | 15Ом | 700 нА при 5 В | 900 мВ при 10 мА | 8,2 В | ||||||
| BZX84-B10/DG/B3,23 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-bzx84b4v7215-datasheets-1503.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ±2% | 3 | 250мВт | 20Ом | 200 нА при 7 В | 900 мВ при 10 мА | 10 В | |||||
| LY85_BZ84C8V2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-ly85bz84c8v2-datasheets-5772.pdf | Править | Править | ||||||||||||
| 2М51ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 48 Ом | 500 нА при 38,8 В | 51В | |||||
| 2М19ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 11 Ом | 500 нА при 14,4 В | 19В | |||||
| 2М150З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 575 Ом | 500 нА при 114 В | 150 В | ||||||
| 2М24З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 13 Ом | 500 нА при 18,2 В | 24В | ||||||
| 2М19З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 11 Ом | 500 нА при 14,4 В | 19В | ||||||
| 2М110ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 250 Ом | 500 нА при 83,6 В | 110 В | |||||
| 2М160ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 650 Ом | 500 нА при 121,6 В | 160 В | |||||
| 2М6.8З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 1,5 Ом | 1 при мА 5,5 В | 6,8 В | ||||||
| 2М170З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 675 Ом | 500 нА при 130,4 В | 170 В | ||||||
| 2М82ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 100 Ом | 500 нА при 62,2 В | 82В | |||||
| 2М36ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 25 Ом | 500 нА при 27,4 В | 36В | |||||
| 2М24ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 13 Ом | 500 нА при 18,2 В | 24В | |||||
| 2М56З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 55 Ом | 500 нА при 42,6 В | 56В | ||||||
| 2М91ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 125 Ом | 500 нА при 69,2 В | 91В | |||||
| 2М170ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 675 Ом | 500 нА при 130,4 В | 170 В | |||||
| 2М180З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 725 Ом | 500 нА при 136,8 В | 180 В | ||||||
| 2М200З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 900Ом | 500 нА при 152 В | 200В | ||||||
| 2М13ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 5 Ом | 500 нА при 9,9 В | 13В | |||||
| 2М190ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 825 Ом | 500 нА при 144,8 В | 190В | |||||
| 2М18З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 10 Ом | 500 нА при 13,7 В | 18В | ||||||
| 2М190З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 825 Ом | 500 нА при 144,8 В | 190В | ||||||
| 2М51З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 48 Ом | 500 нА при 38,8 В | 51В | ||||||
| 2М22З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 12 Ом | 500 нА при 16,7 В | 22В | ||||||
| 2М62З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 60 Ом | 500 нА при 47,1 В | 62В | ||||||
| 2М150ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 575 Ом | 500 нА при 114 В | 150 В | |||||
| 2М12ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 4,5 Ом | 1 мкА при 9,1 В | 12 В | |||||
| 2М14ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 5,5 Ом | 500 нА при 10,6 В | 14 В |
