Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Толерантность | Поставщик пакета оборудования | Мощность - Макс. | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2М68ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 75 Ом | 500 нА при 51,7 В | 68В | |||
| 2М56ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 55 Ом | 500 нА при 42,6 В | 56В | |||
| 2М140З А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 500 Ом | 500 нА при 106,4 В | 140 В | ||||
| 2М170З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 675 Ом | 500 нА при 130,4 В | 170В | ||||
| 2М82ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 100 Ом | 500 нА при 62,2 В | 82В | |||
| 2М36ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 25 Ом | 500 нА при 27,4 В | 36В | |||
| 2М24ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 13 Ом | 500 нА при 18,2 В | 24В | |||
| 2М56З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 55 Ом | 500 нА при 42,6 В | 56В | ||||
| 2М91ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 125 Ом | 500 нА при 69,2 В | 91В | |||
| 2М170ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 675 Ом | 500 нА при 130,4 В | 170В | |||
| 2М180З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 725 Ом | 500 нА при 136,8 В | 180 В | ||||
| 2М200З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 900 Ом | 500 нА при 152 В | 200В | ||||
| 2М13ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 5 Ом | 500 нА при 9,9 В | 13В | |||
| 2М190ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 825 Ом | 500 нА при 144,8 В | 190В | |||
| 2М18З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 10 Ом | 500 нА при 13,7 В | 18В | ||||
| 2М190З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 825 Ом | 500 нА при 144,8 В | 190В | ||||
| 2М51З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 48 Ом | 500 нА при 38,8 В | 51В | ||||
| 2М22З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 12 Ом | 500 нА при 16,7 В | 22В | ||||
| 2М62З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 60 Ом | 500 нА при 47,1 В | 62В | ||||
| 2М51ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 48 Ом | 500 нА при 38,8 В | 51В | |||
| 2М19ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 11 Ом | 500 нА при 14,4 В | 19В | |||
| 2М150З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 575 Ом | 500 нА при 114 В | 150 В | ||||
| 2М24З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 13 Ом | 500 нА при 18,2 В | 24В | ||||
| 2М19З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 11 Ом | 500 нА при 14,4 В | 19В | ||||
| 2М110ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 250 Ом | 500 нА при 83,6 В | 110 В | |||
| 2М160ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 650 Ом | 500 нА при 121,6 В | 160 В | |||
| 2М6.8З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 1,5 Ом | 1 при мА 5,5 В | 6,8 В | ||||
| 2М12З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 4,5 Ом | 1 мкА при 9,1 В | 12 В | ||||
| 2М33ЖБ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 23 Ом | 500 нА при 25,1 В | 33В | |||
| 2М120З Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-2m110zr0g-datasheets-7564.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ±5% | ДО-204АС (ДО-15) | 2 Вт | 325 Ом | 500 нА при 91,2 В | 120 В |
