| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Толерантность | Поставщик пакета оборудования | Мощность - Макс. | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX584B10 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx584b15rsg-datasheets-8712.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 150 мВт | 20Ом | 200 нА при 7 В | 900 мВ при 10 мА | 10 В | |||||
| BZX585B3V3 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 95Ом | 4,5 мкА при 1 В | 3,3 В | ||||||
| BZX585B13 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 30Ом | 90 нА при 8 В | 13В | ||||||
| BZX585B8V2 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 15Ом | 630 нА при 5 В | 8,2 В | ||||||
| 1N4745G А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТА | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4742aa0g-datasheets-8764.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1 Вт | 16 Ом | 5 мкА при 12,2 В | 1,2 В при 200 мА | 16 В | ||||
| 1N4729G А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТА | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4735ga0g-datasheets-9410.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1 Вт | 10 Ом | 100 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА | 3,6 В | ||||
| BZD27C68PHRVG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 1 Вт | 80 Ом | 1 мкА при 51 В | 1,2 В при 200 мА | 68В | |||
| BZX585B6V2 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 10Ом | 2,7 мкА при 4 В | 6,2 В | ||||||
| BZX585B33 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 80Ом | 45 нА при 23 В | 33В | ||||||
| 1N4741G А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТА | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4742aa0g-datasheets-8764.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1 Вт | 23 Ом | 5 мкА при 16,7 В | 1,2 В при 200 мА | 11В | ||||
| BZX585B39 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 130Ом | 45 нА при 27,3 В | 39В | ||||||
| BZX585B3V0 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 100Ом | 9 мкА при 1 В | 3В | ||||||
| BZX585B15 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 30Ом | 45 нА при 10,5 В | 15 В | ||||||
| BZX585B9V1 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 15Ом | 450 нА при 6 В | 9,1 В | ||||||
| 1N4755G А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТА | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4742aa0g-datasheets-8764.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1 Вт | 70 Ом | 5 мкА при 32,7 В | 1,2 В при 200 мА | 43В | ||||
| 1N5221B А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 100°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n5246ba0g-datasheets-6317.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±5% | ДО-35 | 500мВт | 30 Ом | 100 мкА при 1 В | 1,1 В при 200 мА | 2,4 В | ||||
| 1N4740G А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТА | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4742aa0g-datasheets-8764.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1 Вт | 9 Ом | 5 мкА при 9,1 В | 1,2 В при 200 мА | 10 В | ||||
| 1N4746G А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТА | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4742aa0g-datasheets-8764.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1 Вт | 20 Ом | 5 мкА при 13,7 В | 1,2 В при 200 мА | 18В | ||||
| BZX585B2V4 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 100Ом | 45 мкА при 1 В | 2,4 В | ||||||
| BZX55B13 А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx55b15a0g-datasheets-9042.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±2% | ДО-35 | 500мВт | 26 Ом | 100 нА при 10 В | 1 В при 100 мА | 13В | ||||
| 1N4753G А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТА | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4742aa0g-datasheets-8764.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1 Вт | 50 Ом | 5 мкА при 27,4 В | 1,2 В при 200 мА | 36В | ||||
| 1N4743G А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТА | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4742aa0g-datasheets-8764.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±5% | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1 Вт | 110 Ом | 5 мкА при 42,6 В | 1,2 В при 200 мА | 13В | ||||
| БЗД27С7В5ПХРВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,04% | Суб-SMA | 1 Вт | 2Ом | 50 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 7,45 В | |||
| BZX585B4V3 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 90Ом | 2,7 мкА при 1 В | 4,3 В | ||||||
| BZX584B20 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx584b15rsg-datasheets-8712.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 150 мВт | 55Ом | 100 нА при 14 В | 900 мВ при 10 мА | 20 В | |||||
| BZX585B6V8 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 15Ом | 1,8 мкА при 4 В | 6,8 В | ||||||
| BZX585B36 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 90Ом | 45 нА при 25,2 В | 36В | ||||||
| BZX585B43 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 150Ом | 45 нА при 30,1 В | 43В | ||||||
| BZX585B18 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 45Ом | 45 нА при 12,6 В | 18В | ||||||
| BZX585B30 РКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzx585b18rsg-datasheets-0357.pdf | СК-79, СОД-523 | ±2% | 200мВт | 80Ом | 45 нА при 21 В | 30В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.