Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Zener Single Diodes - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Весели Тела Статус Ройс Опуликовано Техниль На Деликат PakeT / KORPUES Emcostath Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН MATERIAL Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC Vneшniй -diameTr Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Ипер КОД ECCN Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee ТЕКУИГИГ DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Rerйtingepeatania Терпимость КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня БЕЗОПАСНЫЙ Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Я Поседл Коунфигуразия Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ Верна Neprrerыwnыйtokdrenaжa (id) МАКС Зенер на Rrabose anprayoneee Коунфигура Слюна Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) Тест Пело Переоборот Синла - МАКС Диднн Power Dissipation-Max Зaщita OSD ПИКЕКАНЕТНА Sprawoчnoe hanpryaeneee На naprayeseee tol-max Рубоидж Тёст Дип ТОЛЕРАНТНЯСК Зenertoc Динамискильский Ипер Ток - Обратна тебе На На
BZX79C12 BZX79C12 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2004 /files/onsemyonductor-bzx79c5v1-datasheets-8795.pdf&product=onsemyonduonduonductor-bzx79c12-5113723 12 1,91 мм DO-204AH, DO-35, OSEVOй 65pf 4,56 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 2 2 nede 80G НЕТ SVHC 2 ММ 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 25 ч Ear99 Оло 8541.10.00.50 500 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 500 м Проволока BZX79C12 Одинокий 500 м 1 Спр 1,5 В. 100NA 12.05V 12 Иолирована 5 май 12 Кремни Не 100NA 12 5% Zenereode 5% 5 май 25 ч 100NA @ 8V 1,5 Е @ 100 мая
BZX79C3V3 BZX79C3V3 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2017 /files/onsemyonductor-bzx79c5v1-datasheets-8795.pdf&product=onsemyonduonduonductor-bzx79c3v3-5113724 3,3 В. 1,91 мм DO-204AH, DO-35, OSEVOй 200pf 4,56 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 2 18 80G НЕТ SVHC 2 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 95ohm Ear99 Оло 8541.10.00.50 500 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 500 м Проволока BZX79C3V3 Одинокий 500 м 1 Спр 1,5 В. 25 мк 3,3 В. 3,3 В. Иолирована 5 май 3,3 В. Кремни Не 25 мк 3,3 В. 5% Zenereode 5% 5 май 95ohm 25 мка @ 1V 1,5 Е @ 100 мая
3SMAJ5921B-TP 3SMAJ5921B-TP МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2007 /files/microcommercialco-3smaj5930btp-datasheets-8489.pdf DO-214AC, SMA 2 16 в дар Ear99 not_compliant 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар Дон C Bend 260 SMAJ5921 2 10 1 Спр Н.Квалиирована R-PDSO-C2 Одинокий 3W Кремни 3W 6,8 В. 5% 55,1 май Zenereode 2,5 ОМ 2,5 ОМ 5 мк -пр. 5,2 В. 1,5 - @ 200 Ма 6,8 В.
1N5357BRLG 1n5357brlg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf&product=onsemicondultor-1n5357brlg-5113726 20 Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 8 4.535924G НЕТ SVHC Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 3 О Ear99 Не 5 Вт ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5357 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 500NA 20 20 Иолирована 65 май 500NA 20 5% Zenereode 5% 237 Ма 3 О 500NA @ 15.2V 1,2 - @ 1a
BZX79C2V4 BZX79C2V4 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2004 /files/onsemyonductor-bzx79c5v1-datasheets-8795.pdf&product=onsemicondultor-bzx79c2v4-5113728 2,4 В. 1,91 мм DO-204AH, DO-35, OSEVOй 255pf 4,56 мм СОУДНО ПРИОН 2 18 80G НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 100ohm Ear99 Оло 8541.10.00.50 500 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 500 м Проволока BZX79C2V4 Одинокий 500 м 1 Спр 100 мк 2,4 В. Иолирована 5 май Кремни Не 2,4 В. 5% Zenereode 5% 5 май 100ohm 100 мк @ 1v 1,5 Е @ 100 мая
1N5355B-TP 1n5355b-tp МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2006 /files/microcommercialco-1n5341btp-datasheets-8749.pdf DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2 12 в дар Ear99 not_compliant 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА Не Проволока Nukahan 1N5355 2 Nukahan 1 Спр Н.Квалиирована O-Palf-W2 Одинокий Иолирована 5 Вт Кремни 5 Вт 18В 5% 65 май Zenereode 2,5 ОМ 2,5 ОМ 500NA @ 13,7 В. 1,2 - @ 1a 18В
1N5354BRLG 1n5354brlg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf 17 Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН 2 8 НЕТ SVHC Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 2,5 ОМ Ear99 Оло Не 5 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5354 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 500NA 17 17 Иолирована 70 май Кремни В дар 500NA 17 5% Zenereode 5% 280 май 2,5 ОМ 500NA @ 12,9 В. 1,2 - @ 1a
1N5378BRLG 1n5378brlg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf&product=onsemicondultor-1n5378brlg-5113732 100 Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 8 4.535924G НЕТ SVHC Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 90 м Ear99 Оло Не 5 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5378 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 500NA 100 100 Иолирована 12ma В дар 500NA 100 5% Zenereode 5% 47,5 мая 90 м 500NA @ 76V 1,2 - @ 1a
BZD27B5V1P-M3-08 BZD27B5V1P-M3-08 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй $ 0,37
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M Пефер -65 ° C ~ 175 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzd27b3v6pm308-datasheets-8459.pdf DO-219AB 11 nedely DO-219AB (SMF) 800 м 6 ОМ 5 мка @ 1V 1,2 - @ 200 Ма 5,1 В.
BZX84-A6V2,215 BZX84-A6V2,215 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2013 /files/nexperiausainc-bzx84b4v7215-datasheets-1503.pdf Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 СОУДНО ПРИОН 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 10ohm Ear99 Оло 8541.10.00.50 ± 1% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 250 м Дон Крхлоп 260 BZX84A6V2 3 Одинокий 30 250 м 1 900 м 320 май 3 мка 6,2 В. 6,2 В. 60 5 май 1,1 В. Кремни Не 3 мка 6,2 В. 1% Zenereode 1% 10ohm 3 мка @ 4V 900 мВ @ 10ma
1SMB5939BT3G 1SMB5939BT3G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-1smb5952bt3g-datasheets-7431.pdf 39 DO-214AA, SMB 4,6 мм 2,28 мм 3,95 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 7 НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 45ohm Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 3W ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ В дар 3W Дон L Bend 260 SMB5939 2 Одинокий 40 550 м 1 Спр 1,5 В. 1 Млокс 39 39 9,6 май В дар 1 Млокс 39 5% Zenereode 5% 38 май 45ohm 1 Ония @ 29,7 В. 1,5 - @ 200 Ма
1N5344B-TP 1n5344b-tp МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2006 /files/microcommercialco-1n5341btp-datasheets-8749.pdf DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2 12 в дар Ear99 not_compliant 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА Не Проволока Nukahan 1n5344 2 Nukahan 1 Спр Н.Квалиирована O-Palf-W2 Одинокий Иолирована 5 Вт Кремни 5 Вт 8,2 В. 5% 150 май Zenereode 1,5 ОМ 1,5 ОМ 10 мк, 6,2 В. 1,2 - @ 1a 8,2 В.
BZX79C5V1 BZX79C5V1 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2004 /files/onsemoronductor-bzx79c5v1-datasheets-8795.pdf 5,1 В. 1,91 мм DO-204AH, DO-35, OSEVOй 110pf 4,56 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 2 18 80G НЕТ SVHC 2 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 60om Ear99 Оло 25 а 8541.10.00.50 500 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 500 м Проволока BZX79C5V1 Одинокий 500 м 1 Спр 1,5 В. 2 мкс 5,1 В. 5,1 В. Иолирована 5 май 5,1 В. Кремни Не 2 мкс 5,1 В. 5% Zenereode 5% 5 май 60om 2 мка @ 2v 1,5 Е @ 100 мая
BZX79C9V1 BZX79C9V1 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Оос Zener Rohs3 2004 /files/onsemoronductor-bzx79c5v1-datasheets-8795.pdf 9.1V 1,91 мм DO-204AH, DO-35, OSEVOй 70pf 4,56 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 2 18 80G НЕТ SVHC 2 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 15ohm Ear99 Оло 8541.10.00.50 500 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 500 м Проволока BZX79C9V1 Одинокий 500 м 1 Спр 1,5 В. 500NA 9.1V 9.1V Иолирована 5 май 9.1V Кремни Не 500NA 9.1V 5% Zenereode 5% 5 май 15ohm 500NA @ 6V 1,5 Е @ 100 мая
CMDZ5230B TR PBFREE Cmdz5230b tr pbfree Central Semiconductor Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Веса 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemyonductorcorp-cmdz52222222btrpbfree-datasheets-8099.pdf SC-76, SOD-323 20 ± 5% В дар 1 Спр Одинокий 250 м 0,25 4,7 В. 5% 20 май Zenereode 19 om 19 om 5 мка @ 2v 900 мВ @ 10ma 4,7 В.
3SMAJ5941B-TP 3SMAJ5941B-TP МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2007 /files/microcommercialco-3smaj5930btp-datasheets-8489.pdf DO-214AC, SMA 2 12 в дар Ear99 not_compliant 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар Дон C Bend 260 SMAJ5941 2 10 1 Спр Н.Квалиирована R-PDSO-C2 Одинокий 3W Кремни 3W 47 В 5% 8 май Zenereode 67om 67om 1 оника @ 35,8 В. 1,5 - @ 200 Ма 47 В
1N5361BRLG 1n5361brlg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf&product=onsemyondultor-1n5361brlg-5113687 27 3,68 мм Т-18, Ос 38,1 мм 8,89 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 9 nedely 4.535924G НЕТ SVHC Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 5ohm Ear99 Оло Не 5 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5361 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 500NA 27 27 Иолирована 50 май В дар 500NA 27 5% Zenereode 5% 176ma 5ohm 500NA @ 20,6 В. 1,2 - @ 1a
1N5355BRLG 1n5355brlg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf&product=onsemyondultor-1n53555brlg-5113688 18В Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 30 4.535924G НЕТ SVHC Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 2,5 ОМ Ear99 Оло Не 5 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1N5355 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 500NA 18В 18В Иолирована 65 май В дар 500NA 18В 5% Zenereode 5% 264ma 2,5 ОМ 500NA @ 13,7 В. 1,2 - @ 1a
1N5344BRLG 1n5344brlg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf&product=onsemicondultor-1n534444brlg-5113695 8,2 В. Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 18 4.535924G НЕТ SVHC Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 1,5 ОМ Ear99 Оло Не 5 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5344 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 10 мк 8,2 В. 8,2 В. Иолирована 150 май В дар 10 мк 8,2 В. 5% Zenereode 5% 580 май 1,5 ОМ 10 мк, 6,2 В. 1,2 - @ 1a
BZG05C5V6-HM3-08 BZG05C5V6-HM3-08 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M Пефер 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2018 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c3v6m308-datasheets-8380.pdf DO-214AC, SMA 13 ± 7,14% DO-214AC (SMA) 1,25 Вт 7 О 1 ония @ 2v 1,2 - @ 200 Ма 5,6 В.
1N5343BRLG 1n5343brlg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf&product=onsemyondultor-1n5343brlg-5113701 7,5 В. 3,68 мм Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 13 4.535924G НЕТ SVHC Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 1,5 ОМ Ear99 Оло Не 5 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 1n5343 Одинокий 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 10 мк 7,5 В. 7,5 В. Иолирована 175ma В дар 10 мк 7,5 В. 5% Zenereode 5% 630 май 1,5 ОМ 10 мк, 5,7 В. 1,2 - @ 1a
1N5347BRLG 1n5347brlg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf 10 В 3,68 мм Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 10 nedely 4.535924G НЕТ SVHC Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 2 О Ear99 Оло Не 5 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5347 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 5 Мка 10 В 10 В Иолирована 125 май В дар 5 Мка 10 В 5% Zenereode 5% 475 май 2 О 5 мк. 1,2 - @ 1a
1N5341B-TP 1n5341b-tp МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2006 /files/microcommercialco-1n5341btp-datasheets-8749.pdf DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2 12 в дар Ear99 not_compliant 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА Не Проволока Nukahan 1n5341 2 Nukahan 1 Спр Н.Квалиирована O-Palf-W2 Одинокий Иолирована 5 Вт Кремни 5 Вт 6,2 В. 5% 200 май Zenereode 1 О 1 О 1 ония @ 3v 1,2 - @ 1a 6,2 В.
1N5363BRLG 1n5363brlg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2000 /files/onsemoronductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf 30 3,68 мм Т-18, Ос 6,35 мм 8,89 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 12 4.535924G НЕТ SVHC Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 8ohm Ear99 Не 5 Вт ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5363 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 500NA 30 30 Иолирована 40 май 500NA 30 5% Zenereode 5% 158 май 8ohm 500NA @ 22,8в. 1,2 - @ 1a
3SMAJ5935B-TP 3SMAJ5935B-TP
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
3SMAJ5929B-TP 3SMAJ5929B-TP МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2007 /files/microcommercialco-3smaj5930btp-datasheets-8489.pdf DO-214AC, SMA 2 12 в дар Ear99 not_compliant 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар Дон C Bend 260 SMAJ5929 2 10 1 Спр Н.Квалиирована R-PDSO-C2 Одинокий 3W Кремни 3W 15 5% 25 май Zenereode 9ohm 9ohm 1 Ония @ 11,4 В. 1,5 - @ 200 Ма 15
1N5342BRLG 1n5342brlg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf&product=onsemyondultor-1n5342brlg-5113671 6,8 В. 3,68 мм Т-18, Ос 8,89 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 26 nedely 4.535924G НЕТ SVHC Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 1 О Ear99 Оло Не 5 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5342 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 10 мк 6,8 В. 6,8 В. Одинокий Иолирована 175ma В дар 10 мк 6,8 В. 5% Zenereode 5% 700 май 1 О 10 мк, 5,2 В. 1,2 - @ 1a
1N5346BRLG 1n5346brlg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf&product=onsemyondultor-1n5346brlg-5113676 9.1V Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 11 nedely 4.535924G НЕТ SVHC Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 2 О Ear99 Оло Не 5 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5346 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 7,5 мка 9.1V 9.1V Иолирована 150 май В дар 7,5 мка 9.1V 5% Zenereode 5% 520 май 2 О 7,5 мк -пр. 6,9 В. 1,2 - @ 1a
BZG05C18-M3-08 BZG05C18-M3-08 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА BZG05C-M Пефер 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c3v6m308-datasheets-8380.pdf DO-214AC, SMA 13 ± 6,39% DO-214AC (SMA) 1,25 Вт 20 ОМ 500NA @ 13V 1,2 - @ 200 Ма 18В
3SMAJ5950B-TP 3SMAJ5950B-TP МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2007 /files/microcommercialco-3SMAJ5950BTP-datasheets-8616.pdf DO-214AC, SMA 2 12 в дар Ear99 not_compliant 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар Дон C Bend 260 SMAJ5950 2 10 1 Спр R-PDSO-C2 Одинокий 3W Кремни 3W 110В 5% 3,4 мая Zenereode 300om 300om 1 Млокс @ 83,6 1,5 - @ 200 Ма 110В

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.