| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Внешний вид | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код HTS | мощность | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямое напряжение | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Защита от ЭСР | Пиковый обратный ток | Обратное напряжение | Код JEDEC-95 | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Ток Зенера | Динамический импеданс-Макс. | Импеданс-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX79C15 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | Осевой | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-bzx79c5v1-datasheets-8795.pdf | 15 В | 1,91 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 55пФ | 4,56 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 мм | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 30Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | 500мВт | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | BZX79C15 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,2 В | 50нА | 15 В | 15 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | 15 В | КРЕМНИЙ | 50нА | 15 В | 5% | стабилитрон | 5% | 5мА | 30Ом | 50 нА при 10,5 В | 1,5 В при 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5231B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemiconductor-1n5231b-5113871 | 5,1 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 18 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | 17Ом | Олово | Нет | 2А | 500мВт | ±5% | 51В | 500мВт | 1N5231 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 5 мкА | 5,1 В | 5,1 В | 20 мА | 5,1 В | 500мВт | Нет | 5 мкА | 5% | 20 мА | 17 Ом | 5 мкА при 2 В | 1,2 В при 200 мА | 5,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5222B | ОН Полупроводник | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 2,4 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | Без свинца | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 30Ом | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5222 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 100 мкА | 2,5 В | 2,4 В | 20 мА | 500мВт | 100 мкА | 5% | 20 мА | 30 Ом | 100 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА | 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C24P-E3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZD27C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzd27c4v3pe308-datasheets-9588.pdf | ДО-219АБ | 1,08 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 15мг | Неизвестный | 2 | 15Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 800мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 800мВт | 1 | 175°С | 5 мкА | 24В | 25 мА | 24В | КРЕМНИЙ | Да | 20 В | 24В | 5,79% | стабилитрон | 6% | 15Ом | 1 мкА при 18 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5241B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemiconductor-1n5241b-5113874 | 11В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | 22Ом | Олово | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5241 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 2мкА | 11В | 11В | 20 мА | 11В | 500мВт | Нет | 2мкА | 5% | 20 мА | 22 Ом | 2 мкА при 8,4 В | 1,2 В при 200 мА | 11В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C11P-E3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZD27C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzd27c4v3pe308-datasheets-9588.pdf | ДО-219АБ | Без свинца | 2 | 11 недель | 15мг | Неизвестный | 2 | 7Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 800мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | 4мкА | 11В | 50 мА | 11В | КРЕМНИЙ | Да | 11В | 5,45% | стабилитрон | 7Ом | 4 мкА при 8,2 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C33P-E3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZD27C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzd27c4v3pe308-datasheets-9588.pdf | ДО-219АБ | Без свинца | 2 | 11 недель | 15мг | Неизвестный | 2 | 15Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 800мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 1 мкА | 33В | 25 мА | 33В | КРЕМНИЙ | Да | 33В | 6,06% | стабилитрон | 6% | 15Ом | 1 мкА при 24 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3SMBJ5933B-TP | Микро Коммерческая Компания | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-3smbj5933btp-datasheets-9412.pdf | ДО-214АА, СМБ | 12 недель | ±5% | SMBJ5933 | ДО-214АА (СМБ) | 3 Вт | 17,5 Ом | 1 мкА при 16,7 В | 1,5 В при 200 мА | 22В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5242B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 12 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,2 мм | 2 мм | 2 мм | Без свинца | 18 недель | 80г | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | 30Ом | Олово | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5242 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 100нА | 12 В | 12 В | 20 мА | 12 В | 500мВт | Нет | 1 мкА | 5% | 20 мА | 30 Ом | 1 мкА при 9,1 В | 1,2 В при 200 мА | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMHZ4687 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmhz4687trpbfree-datasheets-9403.pdf | СОД-123 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,5 Вт | 4,3 В | 5% | 0,05 мА | стабилитрон | 4 мкА при 2 В | 1,5 В при 100 мА | 4,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФЛЗ15-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dflz247-datasheets-8110.pdf | 15 В | Пауэрди®123 | 350пФ | 3,7 мм | 980 мкм | 1,78 мм | Без свинца | 2 | 16 недель | 10,007382мг | Нет СВХК | 2 | нет | 10Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | PowerDI123 | 8541.10.00.50 | 1 Вт | ±6% | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | АЭК-Q101 | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДФЛЗ15 | 2 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,2 В | 1 мкА | 15 В | 15 В | КАТОД | 50 мА | КРЕМНИЙ | 1 мкА | 15 В | стабилитрон | 6% | 1 мкА | 10Ом | 1 мкА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Z4KE150A-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-z4ke150ae354-datasheets-8561.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 20 недель | 2 | да | 1 кОм | EAR99 | НИЗКИЙ ИМПЕДАНС | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | Олово/Серебро (Sn96.5Ag3.5) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,5 Вт | ПРОВОЛОКА | Z4KE150 | 2 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 500нА | 150 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | 150 В | 5% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 1 кОм | 500 нА при 113,6 В | 1 В при 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5246B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 16 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | 1,91 мм | 1,91 мм | Без свинца | 18 недель | 80г | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 17Ом | Олово | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5246 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 100нА | 16 В | 16 В | 7,8 мА | 16 В | 500мВт | 100нА | 5% | 7,8 мА | 17 Ом | 100 нА при 12 В | 1,2 В при 200 мА | 16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C12 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bzx84c18trpbfree-datasheets-9400.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 49 недель | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,3 Вт | 12 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 25 Ом | 25 Ом | 100 нА при 8 В | 900 мВ при 10 мА | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФЛЗ13-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dflz247-datasheets-8110.pdf | Пауэрди®123 | 3,7 мм | 980 мкм | 1,78 мм | 2 | 16 недель | 10,007382мг | 2 | нет | 10Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | 1 Вт | ±6% | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДФЛЗ13 | 2 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,2 В | 2мкА | 13В | КАТОД | 50 мА | КРЕМНИЙ | 2мкА | 13В | стабилитрон | 5% | 2мкА | 10Ом | 2 мкА при 10 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBJ5343B-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-smbj5343btp-datasheets-9456.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMBJ5343 | 2 | 10 | 1 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | КРЕМНИЙ | 5 Вт | 7,5 В | 5% | 175 мА | стабилитрон | 1,5 Ом | 1,5 Ом | 10 мкА при 5,7 В | 1,2 В при 1 А | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C18 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bzx84c18trpbfree-datasheets-9400.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 77 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,3 Вт | 18В | 5% | 5мА | стабилитрон | 45Ом | 45Ом | 50 нА при 12,6 В | 900 мВ при 10 мА | 18В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФЛЗ10-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dflz247-datasheets-8110.pdf | 10 В | Пауэрди®123 | 3,7 мм | 980 мкм | 1,78 мм | Без свинца | 2 | 24 недели | 10,007382мг | Нет СВХК | 2 | нет | 4Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | 1 Вт | ±6% | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДФЛЗ10 | 2 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,2 В | 5 мкА | 10 В | 10 В | КАТОД | 50 мА | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 10 В | 6% | стабилитрон | 5% | 5 мкА | 4Ом | 5 мкА при 7,5 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5244B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 14 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | 1,91 мм | 1,91 мм | Без свинца | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 11 часов назад) | 15Ом | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5244 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 100нА | 14 В | 14 В | 9мА | 14 В | 500мВт | 100нА | 5% | 9мА | 15 Ом | 100 нА при 10 В | 1,2 В при 200 мА | 14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5225B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 3В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,2 мм | 2 мм | 2 мм | Без свинца | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | 29Ом | Олово | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5225 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 50 мкА | 3В | 3В | 20 мА | 500мВт | 50 мкА | 5% | 20 мА | 29 Ом | 50 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5234B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 6,2 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | 7Ом | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5234 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 5 мкА | 6,2 В | 6,2 В | 20 мА | 6,2 В | 500мВт | 5 мкА | 5% | 20 мА | 7 Ом | 5 мкА при 4 В | 1,2 В при 200 мА | 6,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-A3V0,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-bzx84b4v7215-datasheets-1503.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | 95Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | ±1% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84A3V0 | 3 | Одинокий | 30 | 250мВт | 1 | 900 мВ | 10 мкА | 3В | 3В | 5мА | КРЕМНИЙ | Нет | 10 мкА | 3В | 1% | стабилитрон | 1% | 95Ом | 10 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5226B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemiconductor-1n5226b-5113848 | 3,3 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | 1,91 мм | 1,91 мм | Без свинца | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | 28Ом | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5226 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 25 мкА | 3,3 В | 3,3 В | 20 мА | 3,3 В | 500мВт | 25 мкА | 5% | 20 мА | 28 Ом | 25 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА | 3,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5245B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemiconductor-1n5245b-5113851 | 15 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 18 недель | 80г | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | 16Ом | Олово | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5245 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 100нА | 15 В | 15 В | 8,5 мА | 15 В | 500мВт | Нет | 100нА | 5% | 8,5 мА | 16 Ом | 100 нА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5252B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 24В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 50,8 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | 33Ом | Олово | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5252 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 100нА | 24В | 24В | 5,2 мА | 24В | 500мВт | Нет | 100нА | 5% | 5,2 мА | 33 Ом | 100 нА при 18 В | 1,2 В при 200 мА | 24В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-A3V9,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-bzx84b4v7215-datasheets-1503.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | 90Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | ±1% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84A3V9 | 3 | Одинокий | 30 | 250мВт | 1 | 900 мВ | 3 мкА | 3,9 В | 3,9 В | 5мА | КРЕМНИЙ | Нет | 3 мкА | 3,9 В | 1% | стабилитрон | 1% | 90Ом | 3 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-A3V6,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-bzx84b4v7215-datasheets-1503.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±1% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84A3V6 | 3 | 30 | 1 | Р-ПДСО-Г3 | ОДИНОКИЙ | 250мВт | КРЕМНИЙ | 0,25 Вт | ТО-236АБ | 3,6 В | 1% | 5мА | стабилитрон | 90Ом | 5 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5345BRLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf | 8,7 В | Т-18, Осевой | 8,89 мм | 3,68 мм | 3,68 мм | Без свинца | 2 | 5 недель | 4.535924г | Нет СВХК | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 2Ом | EAR99 | Олово | Нет | 5 Вт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | НЕТ | 5 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | 1N5345 | Одинокий | 40 | 5 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | О-PALF-W2 | 1,2 В | 10 мкА | 8,7 В | 8,7 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 150 мА | КРЕМНИЙ | Да | 10 мкА | 8,7 В | 5% | стабилитрон | 5% | 545 мА | 2Ом | 10 мкА при 6,6 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-A5V6,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-bzx84b4v7215-datasheets-1503.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | 40Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | ±1% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БЗС84А5В6 | 3 | Одинокий | 30 | 250мВт | 1 | 1 мкА | 5,6 В | 5мА | КРЕМНИЙ | Нет | 5,6 В | 1% | стабилитрон | 1% | 40Ом | 1 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-A4V3,215 | Нексперия США Инк. | 0,44 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-bzx84b4v7215-datasheets-1503.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | 90Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | ±1% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84A4V3 | 3 | Одинокий | 30 | 250мВт | 1 | 3 мкА | 4,3 В | 5мА | КРЕМНИЙ | Нет | 4,3 В | 1% | стабилитрон | 1% | 90Ом | 3 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.