Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Код HTS | Номинальная мощность | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямое напряжение | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Защита от ЭСР | Пиковый обратный ток | Обратное напряжение | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Ток Зенера | Динамический импеданс-Макс. | Импеданс-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N5251B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 22В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | 1,91 мм | 1,91 мм | Без свинца | 18 недель | 80г | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | 29Ом | Олово | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5251 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 100нА | 22В | 22В | 5,6 мА | 500мВт | Нет | 100нА | 5% | 5,6 мА | 29 Ом | 100 нА при 17 В | 1,2 В при 200 мА | 22В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C12-M3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БЗГ03С-М | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22m308-datasheets-9843.pdf | ДО-214АС, СМА | 13 недель | ±5,42% | ДО-214АС (СМА) | 1,25 Вт | 7 Ом | 3 мкА при 9,1 В | 1,2 В при 500 мА | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C10-M3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БЗГ03С-М | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22m308-datasheets-9843.pdf | ДО-214АС, СМА | 13 недель | ±6% | ДО-214АС (СМА) | 1,25 Вт | 4Ом | 10 мкА при 7,5 В | 1,2 В при 500 мА | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C22-M3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БЗГ03С-М | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22m308-datasheets-9843.pdf | ДО-214АС, СМА | 13 недель | ±5,68% | ДО-214АС (СМА) | 1,25 Вт | 15 Ом | 1 мкА при 16 В | 1,2 В при 500 мА | 22В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5231B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 5,1 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 17Ом | 17Ом | 5 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | 5,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SML4744A-E3/61 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-sml4764ae361-datasheets-9824.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,087 мм | 2,79 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | 2 | да | 14Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ИМПЕДАНС | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SML4744 | 2 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 5 мкА | 15 В | 15 В | 17 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 5 мкА | 15 В | 5% | стабилитрон | 5% | 17 мА | 14Ом | 5 мкА при 11,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SML4749A-E3/61 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-sml4764ae361-datasheets-9824.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,6 мм | 2,087 мм | 2,9 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | 2 | да | 25 Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ИМПЕДАНС | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SML4749 | 2 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 5 мкА | 24В | 24В | 10,5 мА | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 24В | 5% | стабилитрон | 5% | 10,5 мА | 25 Ом | 5 мкА при 18,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SML4746A-E3/61 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-sml4764ae361-datasheets-9824.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,087 мм | 2,79 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | 2 | да | 20Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ИМПЕДАНС | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SML4746 | 2 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 5 мкА | 18В | 18В | 14 мА | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 18В | 5% | стабилитрон | 5% | 14 мА | 20Ом | 5 мкА при 13,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SML4764A-E3/61 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-sml4764ae361-datasheets-9824.pdf | ДО-214АС, СМА | Без свинца | 2 | 10 недель | 2 | да | 350Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ИМПЕДАНС | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SML4764 | 2 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 5 мкА | 100В | 2,5 мА | КРЕМНИЙ | 100В | 5% | стабилитрон | 5% | 2,5 мА | 350Ом | 5 мкА при 76 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5235B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 49 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 6,8 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 5Ом | 5Ом | 3 мкА при 5 В | 900 мВ при 10 мА | 6,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27К15П-Е3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZD27C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzd27c4v3pe308-datasheets-9588.pdf | ДО-219АБ | 2,9 мм | 1,08 мм | 1,9 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 149,997327мг | Неизвестный | 2 | 10Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | 6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 800мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | БЗД27С15 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | 1,2 В | 1 мкА | 15 В | 50 мА | 17,1 В | КРЕМНИЙ | Да | 5 мкА | 15 В | стабилитрон | 5% | 5 мкА | 10Ом | 1 мкА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PD3Z284C5V6-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-pd3z284c5v17-datasheets-9577.pdf | 5,6 В | PowerDI™ 323 | 2,5 мм | 650 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 2 | 19 недель | 2 | нет | 40Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | 500мВт | ±7% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | PD3Z284C5V6 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,1 В | 1 мкА | 5,6 В | КАТОД | 5мА | КРЕМНИЙ | 1 мкА | 5,6 В | 7,14% | стабилитрон | 7% | 1 мкА | 40Ом | 1 мкА при 2 В | 1,1 В @ 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CMHZ5265B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmhz5232btrpbfree-datasheets-7086.pdf | СОД-123 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,5 Вт | 62В | 5% | 2мА | стабилитрон | 185Ом | 185Ом | 100 нА при 47 В | 900 мВ при 10 мА | 62В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5227B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 3,6 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | 24Ом | Олово | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5227 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 15 мкА | 3,6 В | 3,6 В | 20 мА | 3,6 В | 500мВт | 15 мкА | 5% | 20 мА | 24 Ом | 15 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА | 3,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD3Z284C5V1-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/diodesincorporated-pd3z284c5v17-datasheets-9577.pdf | 5,1 В | PowerDI™ 323 | 2,5 мм | 650 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 2 | 19 недель | 2 | нет | 60Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | 500мВт | ±6% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | PD3Z284C5V1 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,1 В | 2мкА | 5,1 В | КАТОД | 5мА | КРЕМНИЙ | 2мкА | 5,1 В | 5,88% | стабилитрон | 6% | 2мкА | 60Ом | 2 мкА при 2 В | 1,1 В @ 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5236B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 7,5 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | 1,91 мм | 1,91 мм | Без свинца | 18 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 6Ом | Нет | 2А | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5236 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 3 мкА | 7,5 В | 7,5 В | 20 мА | 500мВт | 3 мкА | 5% | 20 мА | 6 Ом | 3 мкА при 6 В | 1,2 В при 200 мА | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФЛЗ8В2-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dflz247-datasheets-8110.pdf | 8,2 В | Пауэрди®123 | 3,7 мм | 980 мкм | 1,78 мм | Освобождать | 2 | 16 недель | 10,007382мг | 2 | нет | 2Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | 1 Вт | ±6% | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДФЛЗ8В2 | 2 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,2 В | 5 мкА | 8,2 В | КАТОД | 100 мА | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 8,2 В | 6,1% | стабилитрон | 5% | 5 мкА | 2Ом | 5 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C6V2P-E3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZD27C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzd27c4v3pe308-datasheets-9588.pdf | ДО-219АБ | Без свинца | 2 | 11 недель | 15мг | Неизвестный | 2 | 3Ом | EAR99 | 8541.10.00.50 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 800мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | 6,2 В | ОДИНОКИЙ | 6,2 В | КРЕМНИЙ | 6,2 В | 6,45% | 100 мА | стабилитрон | 3Ом | 5 мкА при 2 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5250B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | Осевой | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 20 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | 1,91 мм | 1,91 мм | Без свинца | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | 25 Ом | Олово | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5250 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 100нА | 20 В | 20 В | 6,2 мА | 500мВт | 100нА | 5% | 6,2 мА | 25 Ом | 100 нА при 15 В | 1,2 В при 200 мА | 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5239B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 9,1 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 6,35 м | 6,35 м | 6,35 м | Без свинца | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | 10Ом | Олово | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5239 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 3 мкА | 9,1 В | 9,1 В | 20 мА | 9,1 В | 500мВт | Нет | 3 мкА | 5% | 20 мА | 10 Ом | 3 мкА при 7 В | 1,2 В при 200 мА | 9,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27К5В1П-Е3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZD27C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzd27c4v3pe308-datasheets-9588.pdf | ДО-219АБ | 2,9 мм | 1,08 мм | 1,9 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 15мг | 2 | 6Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | 6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 800мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | БЗД27С5В1 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | 1,2 В | 5 мкА | 5,1 В | 100 мА | 5,1 В | КРЕМНИЙ | Да | 5 мкА | 5,1 В | 5,88% | стабилитрон | 5% | 5 мкА | 6Ом | 5 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5248B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 18В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | 1,91 мм | 1,91 мм | Без свинца | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | 21 Ом | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5248 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 100нА | 18В | 18В | 7мА | 18В | 500мВт | 100нА | 5% | 7мА | 21 Ом | 100 нА при 14 В | 1,2 В при 200 мА | 18В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C200P-E3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZD27C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzd27c4v3pe308-datasheets-9588.pdf | ДО-219АБ | 2,9 мм | 1,08 мм | 1,9 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 149,997327мг | 2 | 500Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | 6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 800мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | БЗД27С200 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | 1,2 В | 1 мкА | 200В | 5мА | 200В | КРЕМНИЙ | Да | 5 мкА | 200В | 6% | стабилитрон | 5% | 5 мкА | 500Ом | 1 мкА при 150 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C24P-E3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZD27C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzd27c4v3pe308-datasheets-9588.pdf | ДО-219АБ | 1,08 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 15мг | Неизвестный | 2 | 15Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 800мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 800мВт | 1 | 175°С | 5 мкА | 24В | 25 мА | 24В | КРЕМНИЙ | Да | 20 В | 24В | 5,79% | стабилитрон | 6% | 15Ом | 1 мкА при 18 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5241B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemiconductor-1n5241b-5113874 | 11В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | 22Ом | Олово | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5241 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 2мкА | 11В | 11В | 20 мА | 11В | 500мВт | Нет | 2мкА | 5% | 20 мА | 22 Ом | 2 мкА при 8,4 В | 1,2 В при 200 мА | 11В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27К11П-Е3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZD27C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzd27c4v3pe308-datasheets-9588.pdf | ДО-219АБ | Без свинца | 2 | 11 недель | 15мг | Неизвестный | 2 | 7Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 800мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | 4мкА | 11В | 50 мА | 11В | КРЕМНИЙ | Да | 11В | 5,45% | стабилитрон | 7Ом | 4 мкА при 8,2 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C33P-E3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZD27C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzd27c4v3pe308-datasheets-9588.pdf | ДО-219АБ | Без свинца | 2 | 11 недель | 15мг | Неизвестный | 2 | 15Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 800мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 1 мкА | 33В | 25 мА | 33В | КРЕМНИЙ | Да | 33В | 6,06% | стабилитрон | 6% | 15Ом | 1 мкА при 24 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3SMBJ5933B-TP | Микро Коммерческая Компания | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-3smbj5933btp-datasheets-9412.pdf | ДО-214АА, СМБ | 12 недель | ±5% | SMBJ5933 | ДО-214АА (СМБ) | 3 Вт | 17,5 Ом | 1 мкА при 16,7 В | 1,5 В @ 200 мА | 22В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5242B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 12 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,2 мм | 2 мм | 2 мм | Без свинца | 18 недель | 80г | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | 30Ом | Олово | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5242 | Одинокий | 500мВт | ДО-35 | 1,2 В | 100нА | 12 В | 12 В | 20 мА | 12 В | 500мВт | Нет | 1 мкА | 5% | 20 мА | 30 Ом | 1 мкА при 9,1 В | 1,2 В при 200 мА | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5386BRLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf | 180 В | 3,68 мм | Т-18, Осевой | 8,89 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | Нет СВХК | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 430Ом | EAR99 | Олово | Нет | 5 Вт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | НЕТ | 5 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | 1N5386 | Одинокий | 40 | 5 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | О-PALF-W2 | 1,2 В | 500нА | 180 В | 180 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | Да | 500нА | 180 В | 5% | стабилитрон | 5% | 26,4 мА | 430Ом | 500 нА при 137 В | 1,2 В при 1 А |
