Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны (43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Материал | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Внешний вид | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код HTS | Номинальная мощность | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Защита от ЭСР | Пиковый обратный ток | Обратное напряжение | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Ток Зенера | Динамический импеданс-Макс. | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N4732A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 4,7 В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,21 мм | 2,72 мм | 2,72 мм | Без свинца | Стекло | 18 недель | 245 мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | 8Ом | Олово | Нет | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4732 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 470 мА | 10 мкА | 4,7 В | 4,7 В | 53 мА | 4,7 В | 1 Вт | Нет | 10 мкА | 5% | 53 мА | 8 Ом | 10 мкА при 1 В | 4,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX85C12 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-bzx85c12-datasheets-0347.pdf | 12 В | 2,72 мм | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,2 мм | 2,72 мм | 6,35 мм | Без свинца | 18 недель | 245 мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 9Ом | Олово | Нет | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | BZX85C12 | Одинокий | 1 Вт | 200°С | ДО-204АЛ (ДО-41) | 200 мА | 1,2 В | 500нА | 12 В | 12 В | 20 мА | 12 В | 1 Вт | Нет | 500нА | 8,4 В | 5% | 20 мА | 9 Ом | 500 нА при 8,4 В | 1,2 В @ 200 мА | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4743A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 13В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,21 мм | 2,72 мм | 2,72 мм | Без свинца | Стекло | 18 недель | 245 мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | 10Ом | Олово | Нет | ДЕЛО 017AH ВЫПУСК О | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4743 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 1,3А | 5мкА | 13В | 13В | 19 мА | 13В | 1 Вт | Нет | 5мкА | 5% | 19 мА | 10 Ом | 5 мкА при 9,9 В | 13В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX85C16 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-bzx85c12-datasheets-0347.pdf | 16 В | 2,72 мм | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,2 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 18 недель | 245 мг | Нет СВХК | 2,6 мм | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 15Ом | Нет | 1 Вт | ±6% | 1 Вт | BZX85C16 | Одинокий | 1 Вт | ДО-204АЛ (ДО-41) | 500нА | 16 В | 15 мА | 16 В | 1 Вт | 5% | 15 мА | 15 Ом | 500 нА при 11 В | 1,2 В @ 200 мА | 16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CZRB5338B-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-czrb5350bhf-datasheets-0085.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | да | 1,5 Ом | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 5 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 5,1 В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 5,1 В | 5% | 240 мА | стабилитрон | 1,5 Ом | 1 мкА при 1 В | 1,2 В @ 200 мА | 5,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4742A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 12 В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,2 мм | 2,7 мм | 2,7 мм | Без свинца | Стекло | 18 недель | 245 мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 9Ом | Олово | Нет | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4742 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 1,2А | 5мкА | 12 В | 12 В | 21 мА | 12 В | 1 Вт | Нет | 5мкА | 5% | 21 мА | 9 Ом | 5 мкА при 9,1 В | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMOZ5V6 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmoz5v6trpbfree-datasheets-0252.pdf | СК-79, СОД-523 | 42 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 300мВт | 0,35 Вт | 5,6 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 40Ом | 40Ом | 1 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | 5,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5241B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 11В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 22Ом | 22Ом | 2 мкА при 8,4 В | 900 мВ при 10 мА | 11В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4735A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 6,2 В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,2 мм | 2,7 мм | 2,7 мм | Без свинца | Стекло | 18 недель | 245 мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 2Ом | Олово | Нет | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4735 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 620 мА | 10 мкА | 6,2 В | 6,2 В | 41 мА | 6,2 В | 1 Вт | Нет | 10 мкА | 5% | 41 мА | 2Ом | 10 мкА при 3 В | 6,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBJ5353B-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-smbj5343btp-datasheets-9456.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMBJ5353 | 2 | 10 | 1 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | КРЕМНИЙ | 5 Вт | 16 В | 5% | 75 мА | стабилитрон | 2,5 Ом | 2,5 Ом | 1 мкА при 12,2 В | 1,2 В при 1 А | 16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4733A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 5,1 В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,21 мм | 2,72 мм | 2,72 мм | Без свинца | Стекло | 18 недель | 245 мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | 7Ом | Нет | 2А | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4733 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 510 мА | 10 мкА | 5,1 В | 5,1 В | 49 мА | 5,1 В | 1 Вт | 10 мкА | 5% | 49 мА | 7 Ом | 10 мкА при 1 В | 5,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4757A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 51В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 18 недель | 245 мг | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 95Ом | Нет | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4757 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 5мкА | 51В | 51В | 5мА | 1 Вт | 5мкА | 5% | 5мА | 95 Ом | 5 мкА при 38,8 В | 51В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMZ5956B TR13 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmz5945btr13pbfree-datasheets-9444.pdf | ДО-214АС, СМА | 56 недель | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | ДА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 200В | 5% | 1,9 мА | стабилитрон | 1200Ом | 1,2 кОм | 1 мкА при 152 В | 1,5 В при 200 мА | 200В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBJ5369B-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-smbj5343btp-datasheets-9456.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMBJ5369 | 2 | 10 | 1 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | КРЕМНИЙ | 5 Вт | 51В | 5% | 25 мА | стабилитрон | 27Ом | 27Ом | 500 нА при 38,8 В | 1,2 В при 1 А | 51В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C15-HM3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZG03C-M | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22m308-datasheets-9843.pdf | ДО-214АС, СМА | 13 недель | ±6% | ДО-214АС (СМА) | 1,25 Вт | 10 Ом | 1 мкА при 11 В | 1,2 В при 500 мА | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1PMT5935BT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-1pmt5935bt1g-datasheets-0117.pdf | 6,2 В | ДО-216АА | 2,18 мм | 1,15 мм | 2,05 мм | Без свинца | 1 | 2 недели | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 23Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 3,2 Вт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 3,2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1PMT5935 | 2 | Одинокий | 40 | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | С-ПССО-Г1 | 1,5 В | 1 мкА | 27В | 27В | КАТОД | 13,9 мА | КРЕМНИЙ | Да | 500нА | 27В | 5% | стабилитрон | 5% | 23Ом | 1 мкА при 20,6 В | 1,25 В @ 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4751A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 30 В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,21 мм | 2,72 мм | 2,72 мм | Без свинца | Стекло | 18 недель | 245 мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 40Ом | Нет | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4751 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 3А | 5мкА | 30 В | 30 В | 8,5 мА | 30 В | 1 Вт | 5мкА | 5% | 8,5 мА | 40 Ом | 5 мкА при 22,8 В | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SZ1SMB5913BT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-1smb5952bt3g-datasheets-7431.pdf | ДО-214АА, СМБ | 4,32 мм | 2,3 мм | 3,56 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 10Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 550 мВт | ДВОЙНОЙ | Л ИЗГИБ | 1SMB | 2 | Одинокий | 550 мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,5 В | 100 мкА | 3,3 В | 113,6 мА | 3 Вт | КРЕМНИЙ | 100 мкА | 3,3 В | 5% | стабилитрон | 5% | 100 мкА | 10Ом | 100 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SZ1SMA5921BT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-1sma5920bt3g-datasheets-7182.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,57 мм | 4,57 мм | 2,29 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 2,5 Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 2 | Одинокий | 1 | Диоды опорного напряжения | 2,5 мкА | 6,8 В | 55,1 мА | КРЕМНИЙ | 6,8 В | 5% | стабилитрон | 2,5 Ом | 2,5 мкА при 5,2 В | 1,5 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27К12П-Е3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZD27C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzd27c4v3pe308-datasheets-9588.pdf | ДО-219АБ | 2,9 мм | 1,08 мм | 1,9 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 149,997327мг | Неизвестный | 2 | 7Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 800мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 1,2 В | 3 мкА | 12 В | 50 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | Да | 5мкА | 12 В | 5,39% | стабилитрон | 5% | 5мкА | 7Ом | 3 мкА при 9,1 В | 1,2 В @ 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SZ1SMB5918BT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-1smb5952bt3g-datasheets-7431.pdf | ДО-214АА, СМБ | 4,32 мм | 2,3 мм | 3,56 мм | Без свинца | 2 | 14 недель | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 4Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | 550 мВт | ДВОЙНОЙ | Л ИЗГИБ | 1SMB | 2 | Одинокий | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,5 В | 5мкА | 5,1 В | 3 Вт | КРЕМНИЙ | 5мкА | 5,1 В | 5% | 73,5 мА | стабилитрон | 5% | 5мкА | 4Ом | 5 мкА при 2 В | 1,5 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4756A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 47В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 18 недель | 245 мг | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | 80Ом | Нет | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4756 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 5мкА | 47В | 47В | 5,5 мА | 1 Вт | 5мкА | 5% | 5,5 мА | 80 Ом | 5 мкА при 35,8 В | 47В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4752A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 33В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,21 мм | 2,72 мм | 2,72 мм | Без свинца | Стекло | 18 недель | 245 мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | 45Ом | Олово | Нет | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4752 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 3,3А | 5мкА | 33В | 33В | 7,5 мА | 33В | 1 Вт | Нет | 5мкА | 5% | 7,5 мА | 45 Ом | 5 мкА при 25,1 В | 33В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4758A | ОН Полупроводник | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 56В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 18 недель | 245 мг | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | 110Ом | Олово | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4758 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 5мкА | 56В | 56В | 4,5 мА | 1 Вт | Нет | 5мкА | 5% | 4,5 мА | 110 Ом | 5 мкА при 42,6 В | 56В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4746A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 18В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,21 мм | 2,72 мм | 2,72 мм | Без свинца | Стекло | 18 недель | 245 мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 20Ом | Олово | Нет | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4746 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 1,8 А | 5мкА | 18В | 18В | 14 мА | 18В | 1 Вт | Нет | 5мкА | 5% | 14 мА | 20 Ом | 5 мкА при 13,7 В | 18В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4747A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 20 В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,21 мм | 2,72 мм | 2,72 мм | Без свинца | Стекло | 18 недель | 245 мг | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 22Ом | Олово | Нет | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4747 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 2А | 5мкА | 20 В | 20 В | 12,5 мА | 20 В | 1 Вт | Нет | 5мкА | 5% | 12,5 мА | 22 Ом | 5 мкА при 15,2 В | 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4740A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 10 В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,21 мм | 2,72 мм | 2,72 мм | Без свинца | Стекло | 18 недель | 245 мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 7Ом | Олово | Нет | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4740 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 1А | 10 мкА | 10 В | 10 В | 25 мА | 10 В | 1 Вт | Нет | 10А | 5% | 25 мА | 7 Ом | 10 мкА при 7,6 В | 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4755A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 43В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 18 недель | 245 мг | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | 70Ом | Нет | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4755 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 5мкА | 43В | 43В | 6мА | 1 Вт | 5мкА | 5% | 6мА | 70 Ом | 5 мкА при 32,7 В | 43В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4749A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 24В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | Стекло | 18 недель | 245 мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 25Ом | Олово | Нет | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4749 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 2,4А | 5мкА | 24В | 24В | 10,5 мА | 24В | 1 Вт | Нет | 5мкА | 5% | 10,5 мА | 25 Ом | 5 мкА при 18,2 В | 24В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4737A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf | 7,5 В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,21 мм | 2,72 мм | 2,72 мм | Без свинца | Стекло | 18 недель | 245 мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | 4Ом | Олово | Нет | 1 Вт | ±5% | 1 Вт | 1N4737 | Одинокий | 1 Вт | ДО-41 | 750 мА | 10 мкА | 7,5 В | 7,5 В | 34 мА | 7,5 В | 1 Вт | Нет | 10 мкА | 5% | 34 мА | 4Ом | 10 мкА при 5 В | 7,5 В |
