Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Zener Single Diodes - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела Статус Ройс Опуликовано Техниль На Это Деликат PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН MATERIAL Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Ипер КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee ТЕКУИГИГ ИДЕРИКАТОРАПАТОРАПЕРАПЕР DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Rerйtingepeatania Терпимость КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Naprayeseee БЕЗОПАСНЫЙ Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Я Поседл Коунфигуразия Wremape@pikovoйtemperaturu (я) R. Колист Подкейгория Колист Кваликакахионн Статус МАКСИМАЛАНА ТЕМПЕРАТУРА КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ Вес Vpreged Верна МАКС Зенер на Rrabose anprayoneee Коунфигура Слюна Тест Пело Синла - МАКС Диднн Power Dissipation-Max Зaщita OSD ПИКЕКАНЕТНА Ох Sprawoчnoe hanpryaeneee На naprayeseee tol-max Рубоидж Тёст Дип ТОЛЕРАНТНЯСК Зenertoc Динамискильский Ипер Тель Ток - Обратна тебе На На
1N5342BG 1n5342bg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf 6,8 В. 3,68 мм Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН 2 19 nedely 4.535924G НЕТ SVHC Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 1 О Ear99 Не 5 Вт ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5342 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр 1 O-Palf-W2 1,2 В. 10 мк 6,8 В. 6,8 В. Иолирована 175ma 6,8 В. Кремни 10 мк 6,8 В. 5% Zenereode 5% 700 май 1 О 10 мк, 5,2 В. 1,2 - @ 1a
1N4615-1 1N4615-1 Microsemi Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 175 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) В 1999 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n46151-datasheets-0590.pdf DO-204AA, DO-7, OSEVOй 13 Проиод. Ear99 8541.10.00.50 ± 5% Не 1N4615 1 Спр Одинокий 500 м 0,5 5% 0,25 мая Zenereode 1250 м 1,25 Кум 2,5 мка @ 1V 1,1 - @ 200 Ма
1N5341BG 1n5341bg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf 6,2 В. 200a 3,68 мм Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН 2 10 nedely 4.535924G НЕТ SVHC Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 1 О Ear99 Не Sluчaй 017aa - 01 vыpusk o 5 Вт ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 1n5341 Одинокий 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 1 Млокс 6,2 В. 6,2 В. Иолирована 200 май 6,2 В. Кремни 1 Млокс 6,2 В. 5% Zenereode 5% 765 май 1 О 1 ония @ 3v 1,2 - @ 1a
1N5370BG 1n5370bg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf 56 Т-18, Ос 6,35 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 2 nede 4.535924G НЕТ SVHC Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 35om Ear99 Не 5 Вт ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5370 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 500NA 56 56 Иолирована 20 май 56 500NA 56 5% Zenereode 5% 86 май 35om 500NA @ 42,6 В. 1,2 - @ 1a
SZ-10NN27VL SZ-10NN27VL САНКЕН $ 3,20
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -55 ° C ~ 175 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2013 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanken-sz10n27vl-datasheets-0511.pdf NeStAndartnый smd 12 Ear99 8541.10.00.50 6 Вт 27 Zenereode 10 мка @ 22 980MV @ 60a 27
1N5360BG 1n5360bg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf 25 В 3A 3,68 мм Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 20 4.535924G НЕТ SVHC Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 4 О Ear99 Не 5 Вт ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5360 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 500NA 25 В 25 В Иолирована 50 май 800 500NA 25 В 5% Zenereode 5% 190 май 4 О 500NA @ 19V 1,2 - @ 1a
1N5340BG 1n5340bg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf 200a 3,68 мм Т-18, Ос 8,89 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 7 4.535924G НЕТ SVHC Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 1 О Ear99 Не 5 Вт ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5340 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр 1 O-Palf-W2 1,2 В. 1 Млокс Иолирована 200 май 1 Млокс 5% Zenereode 5% 790 май 1 О 1 ония @ 3v 1,2 - @ 1a
1N5388BG 1n5388bg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf 200 3,68 мм Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН 2 7 4.535924G НЕТ SVHC Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 480om Ear99 Оло Не 5 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5388 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 500NA 200 200 Иолирована 5 май 152V Кремни В дар 500NA 200 5% Zenereode 5% 23,6 Ма 480om 500NA @ 152V 1,2 - @ 1a
1N5359BG 1n5359bg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf 24 3,68 мм Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН 2 11 nedely 4.535924G НЕТ SVHC Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 3,5 ОМ Ear99 Оло Не 5 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1N5359 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 500NA 24 24 Иолирована 50 май 24 Кремни В дар 500NA 24 5% Zenereode 5% 198ma 3,5 ОМ 500NA @ 18.2V 1,2 - @ 1a
1N5353BG 1n5353bg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf 16 1A 3,68 мм Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН 2 8 4.535924G НЕТ SVHC Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 2,5 ОМ Ear99 Оло Не 5 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1N5353 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 1 Млокс 16 16 Иолирована 75 май 400 Кремни В дар 1 Млокс 16 5% Zenereode 5% 295 май 2,5 ОМ 1 ония @ 12,2 В. 1,2 - @ 1a
1N823A 1n823a Микросоми
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 175 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener В /files/microsemicorporation-1n823a-datasheets-0545.pdf DO-204AH, DO-35, OSEVOй 2718 ММ СОДЕРИТС 2 20 2 в дар 10ohm Ear99 МАЙТАЛЛУРГИЕСКИС Свине, олово Не 8541.10.00.50 ± 5% E3 Олово (sn) 500 м Проволока 2 Одинокий 500 м 1 2 мкс 6,2 В. Иолирована 7,5 мая Кремни 6,2 В. 4,84% Zenereode 5% 10ohm 0,31 мВ/° C. 2 мкс @ 3V
1N4728A 1n4728a На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 200 ° C. -65 ° С Rohs3 2009 /files/onsemoronductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf 3,3 В. DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,21 мм 2,72 мм 2,72 мм СОУДНО ПРИОН Стекло 18 245 м НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) 10ohm Не 1 Вт ± 5% 1 Вт 1n4728 Одинокий 1 Вт DO-41 330 май 1,2 В. 100 мк 3,3 В. 3,3 В. 76 май 3,3 В. 1 Вт 100 мк 5% 76 май 10 ОМ 100 мк @ 1v 3,3 В.
BZX85C10 BZX85C10 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 200 ° C. -65 ° С Rohs3 2004 /files/onsemoronductor-bzx85c12-datasheets-0347.pdf 10 В 2,72 мм DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,2 мм 6,35 мм 50,8 ММ СОУДНО ПРИОН 18 245 м НЕТ SVHC 2 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) 7om Не 1 Вт ± 5% 1 Вт BZX85C10 Одинокий 1 Вт DO-204AL (DO-41) 1,2 В. 500NA 10 В 10 В 25 май 10 В 1 Вт 500NA 5% 25 май 7 О 500NA @ 7V 1,2 - @ 200 Ма 10 В
SMBJ5354B-TP SMBJ5354B-TP МИКРОМЕР СО
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-smbj5343btp-datasheets-9456.pdf DO-214AA, SMB 2 12 в дар Ear99 not_compliant 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар Дон C Bend 260 SMBJ5354 2 10 1 Спр Н.Квалиирована R-PDSO-C2 Одинокий 5 Вт Кремни 5 Вт 17 5% 70 май Zenereode 2,5 ОМ 2,5 ОМ 500NA @ 12,9 В. 1,2 - @ 1a 17
1N5956BG 1n5956bg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2006 /files/onsemyonductor-1n5956brlg-datasheets-7251.pdf 6,2 В. DO-204AL, DO-41, OSEVOй 6,35 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 2 2 nede 4.535924G НЕТ SVHC 2 Активна (postednyй obnownen: 6 -й в дар 1,2 Кум Ear99 Не 8541.10.00.50 3W ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 3W Проволока 260 1n5956 2 Одинокий 40 3W 1 Спр 1,5 В. 1 Млокс 200 200 Иолирована 1,9 мая 152V Кремни 1 Млокс 200 5% Zenereode 5% 7ma 1,2 Кум 1 ония @ 152V 1,5 - @ 200 Ма
1N5357BG 1n5357bg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf 20 3,68 мм Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН 2 7 4.535924G НЕТ SVHC Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 3 О Ear99 Оло Не 5 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5357 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 500NA 20 20 Иолирована 65 май 20 Кремни В дар 500NA 20 5% Zenereode 5% 237 Ма 3 О 500NA @ 15.2V 1,2 - @ 1a
CMDZ5250B TR PBFREE Cmdz5250b tr pbfree Central Semiconductor Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Веса 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemyonductorcorp-cmdz52222222btrpbfree-datasheets-8099.pdf SC-76, SOD-323 20 ± 5% В дар 1 Спр Одинокий 250 м 0,25 20 5% 6,2 мая Zenereode 25 ч 25 ч 100NA @ 15V 900 мВ @ 10ma 20
1N5920BG 1n5920bg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 200 ° C. -65 ° С Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-1n5956brlg-datasheets-7251.pdf 6,2 В. 2,7 ММ DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,2 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 2 nede 4.535924G НЕТ SVHC 2 Активна (posteDnyй obnownen: 14 -й 2 О Не 3W ± 5% БЕЗОПАСНЫЙ 3W 1n5920 Одинокий 3W Оос 1,5 В. 5 Мка 6,2 В. 6,2 В. 60,5 мая 6,2 В. 3W 5 Мка 5% 241MA 2 О 5 мка @ 4V 1,5 - @ 200 Ма 6,2 В.
1N4736A 1n4736a На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 200 ° C. -65 ° С Rohs3 2016 /files/onsemoronductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf 6,8 В. DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,21 мм 2,72 мм 2,72 мм СОУДНО ПРИОН Стекло 18 245 м НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря 3,5 ОМ Оло Не 1 Вт ± 5% 1 Вт 1n4736 Одинокий 1 Вт DO-41 680 май 10 мк 6,8 В. 6,8 В. 37 май 6,8 В. 1 Вт Не 10 мк 5% 37 май 3,5 ОМ 10 мка @ 4V 6,8 В.
1N5953BG 1n5953bg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2006 /files/onsemyonductor-1n5956brlg-datasheets-7251.pdf 6,2 В. DO-204AL, DO-41, OSEVOй 6,35 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 2 2 nede 4.535924G НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 600om Ear99 Не 8541.10.00.50 3W ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 3W Проволока 260 1N5953 2 Одинокий 40 3W 1 Спр 1 Млокс 150 Иолирована 2,5 мая 150 Кремни 150 5% Zenereode 5% 10 май 600om 1 ония @ 114V 1,5 - @ 200 Ма
SMBJ5380B-TP SMBJ5380B-TP МИКРОМЕР СО
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-smbj5343btp-datasheets-9456.pdf DO-214AA, SMB 2 12 Ear99 8541.10.00.50 ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар Дон C Bend Nukahan SMBJ5380 Nukahan 1 Спр R-PDSO-C2 Одинокий 5 Вт Кремни 5 Вт 120 5% 10 май Zenereode 170om 170om 500NA @ 91.2V 1,2 - @ 1a 120
1N5348BG 1n5348bg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf 11в 125 май 3,68 мм Т-18, Ос 8,89 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 11 nedely 4.535924G НЕТ SVHC Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 2,5 ОМ Ear99 Не 5 Вт ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5348 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 5 Мка 11в 11в Иолирована 125 май 5 Мка 11в 5% Zenereode 5% 430 май 2,5 ОМ 5 Мка @ 8,4в. 1,2 - @ 1a
1N4734A 1n4734a На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 200 ° C. -65 ° С Rohs3 2009 /files/onsemoronductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf 5,6 В. DO-204AL, DO-41, OSEVOй 6,35 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН Стекло 18 245 м НЕТ SVHC 2 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) 5ohm Оло Не 1 Вт ± 5% 1 Вт 1n4734 Одинокий 1 Вт DO-41 560 май 10 мк 5,6 В. 5,6 В. 45 май 5,6 В. 1 Вт Не 10 мк 5% 45 май 5 ОМ 10 мк @ 2v 5,6 В.
1N5347BG 1n5347bg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-1n5342brlg-datasheets-8587.pdf&product=onsemyondustor-1n5347bg-5114096 10 В 125 май 3,68 мм Т-18, Ос 8,89 мм 3,68 мм 3,68 мм СОУДНО ПРИОН 2 9 nedely 4.535924G НЕТ SVHC Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 2 О Ear99 Оло Не 5 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ Не 5 Вт Проволока 260 1n5347 Одинокий 40 5 Вт 1 Спр O-Palf-W2 1,2 В. 5 Мка 10 В 10 В Иолирована 125 май Кремни В дар 5 Мка 10 В 5% Zenereode 5% 475 май 2 О 5 мк. 1,2 - @ 1a
1N4750A 1n4750a На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 200 ° C. -65 ° С Rohs3 2016 /files/onsemoronductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf 27 DO-204AL, DO-41, OSEVOй 50,8 ММ 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН Стекло 18 245 м НЕТ SVHC 2 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) 35om Не 1 Вт ± 5% 1 Вт 1N4750 Одинокий 1 Вт DO-41 2.7a 5 Мка 27 27 9,5 мая 27 1 Вт 5 Мка 5% 9,5 мая 35 ОМ 5 Мка @ 20,6 В. 27
SMBJ5367B-TP SMBJ5367B-TP МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2008 /files/microcommercialco-smbj5343btp-datasheets-9456.pdf DO-214AA, SMB 2 12 в дар Ear99 not_compliant 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар Дон C Bend 260 SMBJ5367 2 10 1 Спр Н.Квалиирована R-PDSO-C2 Одинокий 5 Вт Кремни 5 Вт 43В 5% 30 май Zenereode 20:00 20:00 500NA @ 32,7 В. 1,2 - @ 1a 43В
BZX85C15 BZX85C15 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Оос 200 ° C. -65 ° С Rohs3 2014 /files/onsemoronductor-bzx85c12-datasheets-0347.pdf 15 DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,2 мм 2,7 ММ 2,7 ММ СОУДНО ПРИОН 18 245 м НЕТ SVHC 2 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) 15ohm Не 1 Вт ± 6% 1 Вт BZX85C15 Одинокий 1 Вт DO-204AL (DO-41) 500NA 14.7V 15 май 12 1 Вт 5% 15 май 15 О 500NA @ 10,5 В. 1,2 - @ 200 Ма 15
1N4744A 1n4744a На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 200 ° C. -65 ° С Rohs3 2009 /files/onsemoronductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf 15 DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,21 мм 2,72 мм 2,72 мм СОУДНО ПРИОН Стекло 18 113.398093G НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) 14om Оло Не 2A 1 Вт ± 5% 15 1 Вт 1n4744 Одинокий 1 Вт DO-41 1,5а 5 Мка 15 15 17ma 15 1 Вт Не 5 Мка 5% 17ma 14 ОМ 5 Мка @ 11,4в. 15
1N4732A 1n4732a На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 200 ° C. -65 ° С Rohs3 2009 /files/onsemoronductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf 4,7 В. DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,21 мм 2,72 мм 2,72 мм СОУДНО ПРИОН Стекло 18 245 м НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) 8ohm Оло Не 1 Вт ± 5% 1 Вт 1n4732 Одинокий 1 Вт DO-41 470 май 10 мк 4,7 В. 4,7 В. 53 май 4,7 В. 1 Вт Не 10 мк 5% 53 май 8 О 10 мка @ 1V 4,7 В.
BZX85C12 BZX85C12 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 200 ° C. -65 ° С Rohs3 2008 /files/onsemoronductor-bzx85c12-datasheets-0347.pdf 12 2,72 мм DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,2 мм 2,72 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 18 245 м НЕТ SVHC 2 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) 9ohm Оло Не 1 Вт ± 5% 1 Вт BZX85C12 Одинокий 1 Вт 200 ° C. DO-204AL (DO-41) 200 май 1,2 В. 500NA 12 12 20 май 12 1 Вт Не 500NA 8,4 В. 5% 20 май 9 О 500NA @ 8,4в. 1,2 - @ 200 Ма 12

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.