| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | мощность | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямое напряжение | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Пиковая мощность оборотов без повторений Dis-Max | Защита от ЭСР | Пиковый обратный ток | Обратный ток-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Ток Зенера | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Сопротивление колена-Макс. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3EZ82D2E3/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 20 недель | 2,3 Ом | Нет | ±2% | 3 Вт | 3EZ82 | Одинокий | ДО-204АЛ (ДО-41) | 500нА | 8,2 В | 3 Вт | 95 Ом | 500 нА при 62,2 В | 1,2 В при 200 мА | 82В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C27 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-bzx84c15d87z-datasheets-4508.pdf | 27В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 70пФ | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 6 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | 80Ом | Олово | Нет | 350 мВт | ±7% | 350 мВт | BZX84C27 | Одинокий | 350 мВт | СОТ-23-3 (ТО-236) | 900 мВ | 50нА | 27В | 25 В | 2мА | 27В | 350 мВт | Нет | 5% | 5мА | 80 Ом | 50 нА при 18,9 В | 900 мВ при 10 мА | 27В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C22-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 3,5 Ом | Нет | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 2мкА | 22В | 50 мА | 1,85 Вт | 6% | 3,5 Ом | 2 мкА при 16 В | 1,2 В при 1 А | 22В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C200-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 500Ом | Серебро, Олово | Нет | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 2мкА | 200В | 5мА | 1,85 Вт | Нет | 6% | 500 Ом | 2 мкА при 150 В | 1,2 В при 1 А | 200В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C4V3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bzx84c15d87z-datasheets-4508.pdf | 4,3 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 450пФ | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 30мг | Нет СВХК | 3 | 90Ом | Нет | 350 мВт | ±7% | 350 мВт | BZX84C4V3 | Одинокий | 350 мВт | СОТ-23-3 (ТО-236) | 900 мВ | 5 мкА | 4,3 В | 4,3 В | 5мА | 4,3 В | 350 мВт | 5 мкА | 5% | 5мА | 90 Ом | 5 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 4,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММСЗ5234Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mmsz5240b-datasheets-0432.pdf | 6,2 В | СОД-123 | 2,85 мм | 1,18 мм | 1,8 мм | Без свинца | 30мг | 2 | 7Ом | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | ММСЗ5234Б | Одинокий | 500мВт | СОД-123 | 900 мВ | 5 мкА | 6,2 В | 6,2 В | 20 мА | 500мВт | 5 мкА | 5% | 20 мА | 7 Ом | 5 мкА при 4 В | 900 мВ при 10 мА | 6,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СЗ-10НН27ВР | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanken-sz10nn27vr-datasheets-9824.pdf | Нестандартный SMD | 6 Вт | 27В | 10 мкА при 22 В | 980 мВ при 60 А | 27В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C24 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bzx84c15d87z-datasheets-4508.pdf | 24В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 80пФ | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 30мг | 3 | 70Ом | Олово | Нет | 350 мВт | ±5% | 350 мВт | BZX84C24 | Одинокий | 350 мВт | СОТ-23-3 (ТО-236) | 50нА | 24,2 В | 5мА | 350 мВт | Нет | 5% | 5мА | 70 Ом | 50 нА при 16,8 В | 900 мВ при 10 мА | 24В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C180-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 2 | да | 210Ом | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 6 Вт | 1 | Не квалифицирован | 2мкА | 180 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 210Ом | 2 мкА при 130 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ8.2D10E3/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2,3 Ом | Нет | ±10% | 3 Вт | 3EZ8.2 | Одинокий | ДО-204АЛ (ДО-41) | 500нА | 8,2 В | 3 Вт | 2,3 Ом | 5 мкА при 6 В | 1,2 В при 200 мА | 8,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ8.2D5/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | нет | 2,3 Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 3 Вт | ПРОВОЛОКА | 3EZ8.2 | 2 | Одинокий | 1 | О-PALF-W2 | 500нА | 8,2 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 8,2 В | 5% | 91 мА | стабилитрон | 2,3 Ом | 5 мкА при 6 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ7.5D5/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | нет | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3EZ7.5 | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 3 Вт | КРЕМНИЙ | 1,25 Вт | 7,5 В | 5% | 100 мА | стабилитрон | 2Ом | 5 мкА при 5 В | 1,2 В при 200 мА | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ9.1DE3/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2,5 Ом | Нет | ±20% | 3 Вт | 3EZ9.1 | Одинокий | ДО-204АЛ (ДО-41) | 500нА | 9,1 В | 3 Вт | 2,5 Ом | 3 мкА при 7 В | 1,2 В при 200 мА | 9,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ8.2D5E3/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3EZ8.2 | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 3 Вт | КРЕМНИЙ | 1,25 Вт | 5 мкА | 8,2 В | 5% | 91 мА | стабилитрон | 2,3 Ом | 5 мкА при 6 В | 1,2 В при 200 мА | 8,2 В | 700Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ75D2E3/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 20 недель | 2 | 2Ом | Олово | Нет | ±2% | 3 Вт | 3EZ75 | Одинокий | ДО-204АЛ (ДО-41) | 500нА | 7,5 В | 3 Вт | 85 Ом | 500 нА при 56 В | 1,2 В при 200 мА | 75В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C110-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 125 Ом | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 2мкА | 110 В | 12 мА | 1,85 Вт | 5% | 125 Ом | 2 мкА при 82 В | 1,2 В при 1 А | 110 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ82D2/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 20 недель | 2,3 Ом | Нет | ±2% | 3 Вт | 3EZ82 | Одинокий | ДО-204АЛ (ДО-41) | 500нА | 8,2 В | 3 Вт | 95 Ом | 500 нА при 62,2 В | 1,2 В при 200 мА | 82В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ9.1D/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±20% | 3EZ9.1 | ДО-204АЛ (ДО-41) | 3 Вт | 2,5 Ом | 3 мкА при 7 В | 1,2 В при 200 мА | 9,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ7.5D/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 2Ом | Свинец, Олово | ±20% | 3 Вт | 3EZ7.5 | Одинокий | ДО-204АЛ (ДО-41) | 7,5 В | 3 Вт | 2Ом | 5 мкА при 5 В | 1,2 В при 200 мА | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ9.1D10E3/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±10% | 3EZ9.1 | ДО-204АЛ (ДО-41) | 3 Вт | 2,5 Ом | 3 мкА при 7 В | 1,2 В при 200 мА | 9,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ7.5DE3/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±20% | 3EZ7.5 | ДО-204АЛ (ДО-41) | 3 Вт | 2Ом | 5 мкА при 5 В | 1,2 В при 200 мА | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ9.1D5E3/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 2 | 2,5 Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 3 Вт | ПРОВОЛОКА | 3EZ9.1 | 2 | Одинокий | 1 | 3 мкА | 9,1 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 9,1 В | 5% | стабилитрон | 2,5 Ом | 3 мкА при 7 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C7V5TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,2 мм | 2,8 мм | Без свинца | 2 | 2 | 3Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | BZG05C7V5 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 1,2 В | 1 мкА | 7,5 В | 7,5 В | 35 мА | 7,5 В | КРЕМНИЙ | 1 мкА | 7,5 В | 6,04% | стабилитрон | 6% | 3Ом | 1 мкА при 4,5 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ8.2DE3/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2,3 Ом | Нет | ±20% | 3 Вт | 3EZ8.2 | Одинокий | ДО-204АЛ (ДО-41) | 500нА | 8,2 В | 3 Вт | 2,3 Ом | 5 мкА при 6 В | 1,2 В при 200 мА | 8,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ91D2/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 20 недель | ±2% | 3EZ91 | ДО-204АЛ (ДО-41) | 3 Вт | 115 Ом | 500 нА при 69,2 В | 1,2 В при 200 мА | 91В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C160-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 180Ом | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 2мкА | 160 В | 8мА | 1,85 Вт | 6% | 180 Ом | 2 мкА при 120 В | 1,2 В при 1 А | 160 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ8.2D10/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-3ez56d5tr12-datasheets-7550.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ±10% | 3EZ8.2 | ДО-204АЛ (ДО-41) | 3 Вт | 2,3 Ом | 5 мкА при 6 В | 1,2 В при 200 мА | 8,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C13-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 2,5 Ом | Серебро, Олово | Нет | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 4мкА | 14 В | 100 мА | 1,85 Вт | Нет | 6% | 2,5 Ом | 4 мкА при 10 В | 1,2 В при 1 А | 13В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C3V6TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 20Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | BZG05C3V6 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 20 мкА | 3,6 В | 60 мА | 3,6 В | КРЕМНИЙ | 3,6 В | 5,56% | стабилитрон | 6% | 20Ом | 20 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79C24-T50A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bzx79c5v1-datasheets-8795.pdf&product=onsemiconductor-bzx79c24t50a-5361419 | 24В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 33пФ | Без свинца | 2 | 80г | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 70Ом | Олово | 500мВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | BZX79C24 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 50нА | 24,2 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | Нет | 24В | 5% | стабилитрон | 5% | 5мА | 70Ом | 50 нА при 16,8 В | 1,5 В при 100 мА |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.