Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | мощность | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямое напряжение | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Защита от ЭСР | Пиковый обратный ток | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Ток Зенера | Динамический импеданс-Макс. | Импеданс-Макс. | Напряжение Температурный Коэфф-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZG03C200TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,3 мм | 2,8 мм | Без свинца | 2 | 20 недель | Неизвестный | 2 | 500Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | БЗГ03С200 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 | 1,2 В | 1 мкА | 200В | 200В | 5мА | 1,25 Вт | КРЕМНИЙ | Нет | 1 мкА | 200В | 6% | стабилитрон | 6% | 200Ом | 1 мкА при 150 В | 1,2 В при 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5251Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbz5247b-datasheets-4816.pdf | 22В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 6 недель | 30мг | 2 | 29Ом | 350 мВт | ±5% | 350 мВт | ММБЗ5251Б | Одинокий | 350 мВт | СОТ-23-3 | 900 мВ | 100нА | 22В | 22В | 5,6 мА | 350 мВт | 100нА | 5% | 5,6 мА | 29 Ом | 100 нА при 17 В | 900 мВ при 10 мА | 22В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5255Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbz5247b-datasheets-4816.pdf | 28В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 6 недель | 30мг | 2 | 44Ом | Нет | 350 мВт | ±5% | 350 мВт | ММБЗ5255Б | Одинокий | 350 мВт | СОТ-23-3 | 900 мВ | 100 мкА | 28В | 28В | 4,5 мА | 15 В | 350 мВт | 100нА | 5% | 4,5 мА | 44 Ом | 100 нА при 21 В | 900 мВ при 10 мА | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N985B | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n965b-datasheets-2410.pdf | ДО-204АА, ДО-7, Осевой | 12 недель | 2 | да | 500Ом | EAR99 | Свинец, Олово | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 500мВт | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 100 В | 1,3 мА | 100 В | 5% | стабилитрон | 5% | 500Ом | 5 мкА при 76 В | 1,1 В @ 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УЗ775 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 2 | 2 | нет | EAR99 | МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИ СВЯЗАННЫЙ | Нет | 8541.10.00.50 | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 3 Вт | ОСЕВОЙ | ПРОВОЛОКА | Одинокий | 1 | 1 мкА | 75В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 75В | 5% | 10 мА | стабилитрон | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX85C18-T50R | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bzx85c30-datasheets-2525.pdf | 18В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 2 | 245 мг | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 20Ом | Олово | 1 Вт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | BZX85C18 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 500нА | 17,95 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 15 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 18В | 5% | стабилитрон | 5% | 15 мА | 20Ом | 500 нА при 12,5 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММСЗ5233Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mmsz5240b-datasheets-0432.pdf | 6В | СОД-123 | 2,85 мм | 1,18 мм | 1,8 мм | Без свинца | 6 недель | 30мг | 2 | 7Ом | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | ММСЗ5233Б | Одинокий | 500мВт | СОД-123 | 5 мкА | 6В | 20 мА | 500мВт | 5% | 20 мА | 7 Ом | 5 мкА при 3,5 В | 900 мВ при 10 мА | 6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММСЗ5250Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mmsz5240b-datasheets-0432.pdf | 20 В | СОД-123 | 2,85 мм | 1,18 мм | 1,8 мм | Без свинца | 6 недель | 30мг | 2 | 25 Ом | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | ММСЗ5250Б | Одинокий | 500мВт | СОД-123 | 900 мВ | 100нА | 20 В | 20 В | 6,2 мА | 500мВт | 100нА | 5% | 6,2 мА | 25 Ом | 100 нА при 15 В | 900 мВ при 10 мА | 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММСЗ5251Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mmsz5240b-datasheets-0432.pdf | 22В | 5,6А | СОД-123 | 2,85 мм | 1,18 мм | 1,8 мм | Без свинца | 30мг | 2 | 29Ом | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | ММСЗ5251Б | Одинокий | 500мВт | СОД-123 | 100нА | 22В | 5,6 мА | 500мВт | 5% | 5,6 мА | 29 Ом | 100 нА при 17 В | 900 мВ при 10 мА | 22В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММСЗ5238Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mmsz5240b-datasheets-0432.pdf | 8,7 В | СОД-123 | 2,85 мм | 1,18 мм | 1,8 мм | Без свинца | 6 недель | 30мг | 2 | 8Ом | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | ММСЗ5238Б | Одинокий | 500мВт | СОД-123 | 3 мкА | 8,7 В | 20 мА | 500мВт | 5% | 20 мА | 8 Ом | 3 мкА при 6,5 В | 900 мВ при 10 мА | 8,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММСЗ4703 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 16В | 50 мкА | СОД-123 | Без свинца | 6 недель | 30мг | 2 | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | ММСЗ4703 | Одинокий | 500мВт | СОД-123 | 50нА | 16В | 50 мкА | 500мВт | 5% | 50 нА при 12,1 В | 900 мВ при 10 мА | 16В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C120TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,3 мм | 2,8 мм | Без свинца | 2 | 20 недель | 2 | 250Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | BZG03C120 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 мкА | 120 В | 5мА | 114В | КРЕМНИЙ | Нет | стабилитрон | 5% | 7Ом | 3 мкА при 9,1 В | 1,2 В при 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММСЗ5241Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mmsz5240b-datasheets-0432.pdf | 11В | СОД-123 | 2,85 мм | 1,18 мм | 1,8 мм | Без свинца | 30мг | 2 | 22Ом | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | ММСЗ5241Б | Одинокий | 500мВт | СОД-123 | 2мкА | 11В | 20 мА | 500мВт | 5% | 20 мА | 22 Ом | 2 мкА при 8,4 В | 900 мВ при 10 мА | 11В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C10TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | Без свинца | 2 | 2 | 7Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | БЗГ05С10 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1,2 В | 500нА | 10 В | 10 В | 25 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 500нА | стабилитрон | 6% | 200Ом | 500 нА при 7 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C68TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,3 мм | 2,8 мм | 2 | 20 недель | 2 | 80Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | BZG03C68 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 мкА | 68В | 10 мА | 72В | КРЕМНИЙ | Нет | стабилитрон | 6% | 25 Ом | 1 мкА при 51 В | 1,2 В при 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н829АУР | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n821aur-datasheets-9499.pdf | ДО-213АА (Стекло) | 2 | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | 10Ом | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Оловянный свинец | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицированный | 6,2 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 7,5 мА | КРЕМНИЙ | 6,2 В | 4,84% | стабилитрон | 5% | 10Ом | 0,031 мВ/°С | 2 мкА при 3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C13TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 10Ом | EAR99 | Олово | 5А | 8541.10.00.50 | е3 | 13В | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | БЗГ03С13 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 2мкА | 13В | 50 мА | 14,1 В | КРЕМНИЙ | Нет | стабилитрон | 6% | 5Ом | 2 мкА при 10 В | 1,2 В при 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5221Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbz5247b-datasheets-4816.pdf | 2,4 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 6 недель | 30мг | 2 | 30Ом | Нет | 350 мВт | ±5% | 350 мВт | ММБЗ5221Б | Одинокий | 350 мВт | СОТ-23-3 | 900 мВ | 100 мкА | 2,4 В | 2,4 В | 20 мА | 350 мВт | 100 мкА | 5% | 20 мА | 30 Ом | 100 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5223A (ДО-35)ТР | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n5227ado35-datasheets-3738.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ±10% | 1N5223 | ДО-35 | 500мВт | 30 Ом | 75 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 2,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н5253БТР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 25 В | 1,91 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | Без свинца | 2 | 6 недель | 80г | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 35Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | 500мВт | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 1N5253 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,2 В | 100нА | 25 В | 25 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | 100нА | 25 В | 5% | стабилитрон | 5% | 5мА | 35Ом | 100 нА при 19 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX85C6V2-T50A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bzx85c30-datasheets-2525.pdf | 6,2 В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 2 | 245 мг | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 4Ом | Олово | 1 Вт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | BZX85C6V2 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1 мкА | 6,2 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 35 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 6,2 В | 5% | стабилитрон | 5% | 35 мА | 4Ом | 1 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5263B-T50R | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5254btr-datasheets-4852.pdf&product=onsemiconductor-1n5263bt50r-5361289 | 56В | 1,91 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | Без свинца | 80г | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 150Ом | Олово | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5263 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,2 В | 100нА | 56В | 56В | 2,2 мА | Нет | 100нА | 56В | 5% | стабилитрон | 5% | 2,2 мА | 150Ом | 100 нА при 43 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX85C24-T50R | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | /files/onsemiconductor-bzx85c30-datasheets-2525.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | да | совместимый | ±6% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | BZX85C24 | НЕ УКАЗАН | 1 | Диоды опорного напряжения | О-LALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 Вт | КРЕМНИЙ | 1 Вт | 24В | 5% | 10 мА | стабилитрон | 25 Ом | 25 Ом | 500 нА при 17 В | 1,2 В при 200 мА | 24В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX85C18-T50A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bzx85c30-datasheets-2525.pdf | 18В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 2 | 245 мг | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 20Ом | Олово | 1 Вт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | BZX85C18 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 500нА | 17,95 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 15 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 18В | 5% | стабилитрон | 5% | 15 мА | 20Ом | 500 нА при 12,5 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79C33-T50A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bzx79c5v1-datasheets-8795.pdf | 33В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 25пФ | Без свинца | 80г | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 80Ом | Олово | 500мВт | ±5% | 500мВт | BZX79C33 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 50нА | 33В | 2мА | Нет | 33В | 5% | стабилитрон | 5% | 2мА | 80Ом | 50 нА при 23,1 В | 1,5 В при 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4731A-T50A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2009 год | /files/onsemiconductor-1n4731a-datasheets-7940.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 36 недель | да | ±5% | НЕТ | 1N4731 | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 4,3 В | 5% | 58 мА | стабилитрон | 9Ом | 9Ом | 10 мкА при 1 В | 4,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79C36-T50A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bzx79c5v1-datasheets-8795.pdf | 36В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 23пФ | Без свинца | 2 | 80г | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | 90Ом | Олово | 500мВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | BZX79C36 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 50нА | 36В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 2мА | КРЕМНИЙ | Нет | 36В | 5% | стабилитрон | 5% | 2мА | 90Ом | 50 нА при 25,2 В | 1,5 В при 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СЗЛ1.9А | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 3-СМД, без свинца | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±10% | 500мВт | стабилитрон | 325Ом | 50 нА при 900 мВ | 1 В при 100 мА | 1,9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5227Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbz5247b-datasheets-4816.pdf | 3,6 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 6 недель | 30мг | 2 | 24Ом | Нет | 350 мВт | ±5% | 350 мВт | ММБЗ5227Б | Одинокий | 350 мВт | СОТ-23-3 | 900 мВ | 15 мкА | 3,6 В | 3,6 В | 20 мА | 350 мВт | 15 мкА | 5% | 20 мА | 24 Ом | 15 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5250Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbz5247b-datasheets-4816.pdf | 20 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 6 недель | 30мг | 3 | 25 Ом | Нет | 350 мВт | ±5% | 350 мВт | ММБЗ5250Б | Одинокий | 350 мВт | СОТ-23-3 | 100нА | 20 В | 6,2 мА | 350 мВт | 5% | 6,2 мА | 25 Ом | 100 нА при 15 В | 900 мВ при 10 мА | 20 В |
