Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Материал | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | мощность | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямое напряжение | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Защита от ЭСР | Пиковый обратный ток | Код JEDEC-95 | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Ток Зенера | Динамический импеданс-Макс. | Импеданс-Макс. | Напряжение Температурный Коэфф-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX85C5V6-T50R | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bzx85c30-datasheets-2525.pdf | 5,6 В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 2 | 245 мг | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | 7Ом | Олово | 1 Вт | ±7% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | BZX85C5V6 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1 мкА | 5,6 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 45 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 5,6 В | 5% | стабилитрон | 5% | 45 мА | 7Ом | 1 мкА при 2 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н5253БТР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf | 25 В | 1,91 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | Без свинца | 2 | 6 недель | 80г | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 35Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | 500мВт | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 1N5253 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,2 В | 100нА | 25 В | 25 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | 100нА | 25 В | 5% | стабилитрон | 5% | 5мА | 35Ом | 100 нА при 19 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX85C6V2-T50A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bzx85c30-datasheets-2525.pdf | 6,2 В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 2 | 245 мг | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 4Ом | Олово | 1 Вт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | BZX85C6V2 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1 мкА | 6,2 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 35 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 6,2 В | 5% | стабилитрон | 5% | 35 мА | 4Ом | 1 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5263B-T50R | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5254btr-datasheets-4852.pdf&product=onsemiconductor-1n5263bt50r-5361289 | 56В | 1,91 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | Без свинца | 80г | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 150Ом | Олово | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5263 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,2 В | 100нА | 56В | 56В | 2,2 мА | Нет | 100нА | 56В | 5% | стабилитрон | 5% | 2,2 мА | 150Ом | 100 нА при 43 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX85C24-T50R | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | /files/onsemiconductor-bzx85c30-datasheets-2525.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | да | совместимый | ±6% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | BZX85C24 | НЕ УКАЗАН | 1 | Диоды опорного напряжения | О-LALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 Вт | КРЕМНИЙ | 1 Вт | 24В | 5% | 10 мА | стабилитрон | 25 Ом | 25 Ом | 500 нА при 17 В | 1,2 В при 200 мА | 24В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX85C18-T50A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bzx85c30-datasheets-2525.pdf | 18В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 2 | 245 мг | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 20Ом | Олово | 1 Вт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | BZX85C18 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 500нА | 17,95 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 15 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 18В | 5% | стабилитрон | 5% | 15 мА | 20Ом | 500 нА при 12,5 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4131 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n4109-datasheets-2400.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | 700Ом | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Чистая матовая банка | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 400мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | Одинокий | 30 | 400мВт | 1 | 75В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 250 мкА | КРЕМНИЙ | 75В | 2% | стабилитрон | 5% | 700Ом | 10 нА при 57 В | 1 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНС1Н4474 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/406 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-jantx1n4465-datasheets-4410.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 40 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | 16Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, МЕТАЛЛУРГИЧЕСКАЯ СВЯЗКА | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | МИЛ-19500 | 1,5 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 1 | Квалифицированный | 50нА | 24В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 24В | 5% | 10,5 мА | стабилитрон | 5% | 16Ом | 50 нА при 19,2 В | 1,5 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBJ5339B/TR13 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-smbj5339btp-datasheets-3324.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 2 | 1Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 5 Вт | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | SMBJ5339 | Одинокий | 1,38 Вт | 1 | 1 мкА | 5,6 В | 220 мА | КРЕМНИЙ | 5,6 В | 5% | стабилитрон | 5% | 1Ом | 1 мкА при 2 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н967А | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n965b-datasheets-2410.pdf | ДО-204АА, ДО-7, Осевой | 2 | 21 Ом | Свинец, Олово | ±10% | 500мВт | Одинокий | ДО-7 | 18В | 500мВт | 21 Ом | 5 мкА при 13,7 В | 1,1 В @ 200 мА | 18В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79C30-T50A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bzx79c5v1-datasheets-8795.pdf | 30 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 27пФ | Без свинца | 2 | 80г | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 80Ом | Олово | 500мВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | BZX79C30 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 50нА | 30 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 2мА | КРЕМНИЙ | Нет | 30 В | 5% | стабилитрон | 5% | 2мА | 80Ом | 50 нА при 21 В | 1,5 В при 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBJ5338B/TR13 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-smbj5339btp-datasheets-3324.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 2 | 1,5 Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 5 Вт | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | SMBJ5338 | Одинокий | 1,38 Вт | 1 | 1 мкА | 5,1 В | 240 мА | КРЕМНИЙ | 5,1 В | 5% | стабилитрон | 5% | 1,5 Ом | 1 мкА при 1 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79C27-T50A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bzx79c5v1-datasheets-8795.pdf | 27В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 30пФ | Без свинца | 2 | 80г | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 80Ом | Нет | 500мВт | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | BZX79C27 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 50нА | 27В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 2мА | КРЕМНИЙ | 27В | 5% | стабилитрон | 5% | 2мА | 80Ом | 50 нА при 18,9 В | 1,5 В при 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СЗЛ2.0А | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 3-СМД, без свинца | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±10% | 500мВт | стабилитрон | 325Ом | 50 нА при 1,1 В | 1 В при 100 мА | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX85C5V1-T50A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bzx85c30-datasheets-2525.pdf | 5,1 В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 2 | 245 мг | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 10Ом | Олово | 1 Вт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | BZX85C5V1 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1 мкА | 5,1 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 45 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 5,1 В | 5% | стабилитрон | 5% | 45 мА | 10Ом | 1 мкА при 2 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н829А (ДО35) | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n823a-datasheets-0545.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 1 | O-XALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 6,2 В | 5% | стабилитрон | 10Ом | 0,031 мВ/°С | 2 мкА при 3 В | 6,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79C20-T50A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bzx79c5v1-datasheets-8795.pdf | 20 В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 36пФ | Без свинца | 2 | 80г | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | 55Ом | Олово | 500мВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | BZX79C20 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 50нА | 20 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | Нет | 20 В | 5% | стабилитрон | 5% | 5мА | 55Ом | 50 нА при 14 В | 1,5 В при 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗХ84Б2В4-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4730A-T50A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-1n4731a-datasheets-7940.pdf | 3,9 В | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | Стекло | 2 | 245 мг | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 9Ом | Олово | 1 Вт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 1N4730 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Диоды опорного напряжения | 390 мА | 50 мкА | 3,9 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 64 мА | Нет | 3,9 В | 5% | стабилитрон | 5% | 64 мА | 9Ом | 50 мкА при 1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5241Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbz5247b-datasheets-4816.pdf | 11В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 6 недель | 30мг | 2 | 22Ом | Нет | 350мВт | ±5% | 350мВт | ММБЗ5241Б | Одинокий | 350мВт | СОТ-23-3 | 2мкА | 11В | 20 мА | 350мВт | 5% | 20 мА | 22 Ом | 2 мкА при 8,4 В | 900 мВ при 10 мА | 11В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4740AP/TR8 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n4733aptr8-datasheets-0494.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | 7Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | 1 Вт | 1N4740 | Одинокий | 10 мкА | 10 В | 7Ом | 10 мкА при 7,6 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н5953А Г | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n5920ae3tr13-datasheets-5128.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | да | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 1N5953 | 1 | О-LALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1,25 Вт | КРЕМНИЙ | 1,5 Вт | 150 В | 10% | 2,5 мА | стабилитрон | 600Ом | 1 мкА при 114 В | 1,2 В при 200 мА | 150 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5260B-T50A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemiconductor-1n5260bt50a-5361265 | 43В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | Без свинца | 80г | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 93Ом | Олово | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5260 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 100нА | 43В | 3мА | Нет | 43В | 5% | стабилитрон | 5% | 3мА | 93Ом | 100 нА при 33 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5262B-T50A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemiconductor-1n5262bt50a-5361266 | 51В | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | Без свинца | 80г | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | 125 Ом | Олово | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5262 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 100нА | 51В | 2,5 мА | Нет | 51В | 5% | стабилитрон | 5% | 2,5 мА | 125 Ом | 100 нА при 39 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н821А (ДО35) | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n823a-datasheets-0545.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | O-XALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,4 Вт | 6,2 В | 5% | стабилитрон | 10Ом | 0,62 мВ/°С | 2 мкА при 3 В | 6,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4693E3 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | 2 | EAR99 | МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИ СВЯЗАННЫЙ | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | 500мВт | ОСЕВОЙ | ПРОВОЛОКА | 1 | О-LALF-W2 | 7,5 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | ДО-204АХ | 7,5 В | 5% | 0,05 мА | стабилитрон | 10 мкА при 5,7 В | 1,1 В @ 200 мА | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5993D | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n6010a-datasheets-0912.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | 50Ом | Да | ±1% | 500мВт | Одинокий | 480мВт | ДО-35 | 2мкА | 5,1 В | 5мА | 500мВт | 1% | 50 Ом | 2 мкА при 2 В | 1,1 В @ 200 мА | 5,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНС1Н6317 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/533 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jans1n6324-datasheets-4469.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 4 недели назад) | нет | 1,3 кОм | EAR99 | Да | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | МИЛ-19500/533 | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | 5 мкА | 5,1 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5,1 В | 5% | стабилитрон | 5% | 1,3 кОм | 5 мкА при 2 В | 1,4 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н824 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n823a-datasheets-0545.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | 20 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИ СВЯЗАННЫЙ | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | О-LALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | ДО-204АА | 6,2 В | 4,84% | стабилитрон | 15Ом | 0,31 мВ/°С | 2 мкА при 3 В | 6,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N827AUR | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n821aur-datasheets-9499.pdf | ДО-213АА (Стекло) | 2 | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | 10Ом | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Оловянный свинец | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицированный | 6,2 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 7,5 мА | КРЕМНИЙ | 6,2 В | 4,84% | стабилитрон | 5% | 10Ом | 2 мкА при 3 В |
