Светодиодные платы по оценке - электронные компоненты Поиск - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Степень

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Упако Вернояж Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Опресагионе СОУДНО ПРИОН Верна - DOSTIчH SVHC Статус жIзnennogogo цikla Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛНА О.К.Ко Н. Особз Я МАКСИМАЛНГАН Мон В конце концов Вес В конце Колист В канусе Ток - Йсполь Эfektywsth В конце МИНАННА МАКСИМАЛИН ВОЗ Постать Вес
IS31LT3957-ZLS4-EBBOOST IS31LT3957-ZLS4-EBBOOST Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 5 В ~ 75 В. IS31LT3957 Доска (ы) 1, Н.Е.
IS31FL3731-QFLS2-EB IS31FL3731-QFLS2-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Коробка 1 (neograniчennnый) Rohs3 5в В дар Audio omodiolaцip 2A 2,7 В ~ 5,5 В. IS31FL3731 Доска (ы)
IS31BL3233A-DLS2-EB IS31BL3233A-DLS2-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 2,7 В ~ 5,5 В. 750 май IS31BL3233A Доска (ы) 2, Н.Е.
LM3405AEVAL/NOPB LM3405AEVAL/NOPB Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Коробка 1 (neograniчennnый) В 22 СОДЕРИТС 4 neDe НЕТ SVHC Не 22 В дар Потютелнь LM3405 3В 1A 3 В ~ 15 В. 1 1A LM3405A Доска (ы) 1, Н.Е.
IS32LT3181-ZLA3-EB IS32LT3181-ZLA3-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 В дар 6 В ~ 42 В. 75 май IS32LT3181 Доска (ы) 6, Н.Е.
IS32LT3957-ZLA3-EBBOOST IS32LT3957-ZLA3-EBBOOST Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 125В IS32LT3957 Доска (ы) 1, Н.Е.
TPS60230EVM-047 TPS60230EVM-047 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) В /files/texasinstruments-tps60230evm047-datasheets-8406.pdf Модул 7в СОДЕРИТС 4 neDe Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) Не В дар ЗAraDnый naSos 2,7 В. 20 май TPS60230 Доска (ы) 5, Н.Е.
IS31FL3238-QFLS4-EB IS31FL3238-QFLS4-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 2,7 В ~ 5,5 В. 76 май IS31FL3238 Доска (ы) 18, Н.Е.
ADM8843EB-EVALZ Adm8843eb-evalz Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/analogdevicesinc-adm8843ebevalz-datasheets-8428.pdf Модул 5,5 В. СОДЕРИТС 8 НЕТ SVHC Проиодшо (posledene obnowoneee: 3 мая. 5,5 В. В дар 5 май ADM8843 20 май 2,6 В. 2,5 В. 20 май 2,6 В ~ 5,5. 4 ADM8843 88 % Доска (ы) 4, Н.Е.
EVAL16W66VBCKCETOBO1 Eval16w66vbckcetobo1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/infineontechnologies-eval16w66vbckcetobo1-datasheets-8351.pdf 170V ~ 277VAC 270 май ICL8201, IPN60R3K4CE 55 В ~ 75 В. Доска (ы) 1, Н.Е.
IS31FL3235A-QFLS2-EB IS31FL3235A-QFLS2-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 2,7 В ~ 5,5 В. 38 май IS31FL3235A Доска (ы) 28, БЕЙСИОЛИРОВАННОГО
IS31LT3117-ZLS4-EB IS31LT3117-ZLS4-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 6- ~ 53 В. 350 май IS31LT3117 Доска (ы) 4, Н.Е.
IS31FL3206-QFLS4-EB IS31FL3206-QFLS4-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 2,7 В ~ 5,5 В. 38 май IS31FL3206 Доска (ы) 12, Н.Е.
IS32LT3124C-ZLA3-EB IS32LT3124C-ZLA3-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 5 В ~ 28 В. 150 май IS32LT3124C Доска (ы) 4, Н.Е.
IS31LT3952-GRLS4-EB IS31LT3952-GRLS4-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 4,5 В ~ 38 В. 1,5а IS31LT3952 Доска (ы) 1, Н.Е.
KEA128LEDLIGHTRD Kea128ledlightrd Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Кинитис Коробка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2014 11 nedely Spi цiprowoй yanterfeйs KEA128, MC10XS3425 Доска (ы) 4, Н.Е.
EVLHVLED007W35F Evlhvled007w35f Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/stmicroelectronics-evlhvled007w35f-datasheets-8365.pdf 90V ~ 265VAC 730 май Hvled007 48 Доска (ы) 1, Иолирована
IS31FL3732A-QFLS2-EB IS31FL3732A-QFLS2-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 2,7 В ~ 5,5 В. IS31FL3732A Доска (ы)
IS31FL3196A-QFLS2-EB IS31FL3196A-QFLS2-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 2,7 В ~ 5,5 В. 40 май IS31FL3196A Доска (ы) 6, Н.Е.
IS32LT3126-ZLA3-EB IS32LT3126-ZLA3-EB Issi, ина
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 5 В ~ 42 В. 150 май IS32LT3126 Доска (ы) 2, Н.Е.
IS31FL3216A-QFLS3-EB IS31FL3216A-QFLS3-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 2,7 В ~ 5,5 В. IS31FL3216A Доска (ы) 16.
IS32LT3953-GRLA3-EB IS32LT3953-GRLA3-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 4,5 В ~ 40. 3A IS32LT3953 Доска (ы) 1, Н.Е.
IS31LT3948-GRLS4-EB IS31LT3948-GRLS4-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 5 В ~ 100 В. 2A IS31LT3948 Доска (ы) 1, Н.Е.
IS31BL3228B-UTLS2-EB IS31BL3228B-UTLS2-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 2,8 В ~ 5,5 В. 20 май IS31BL3228B Доска (ы) 6, Н.Е.
STEVAL-ILL063V1 Steval-Ill063v1 Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Коробка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/stmicroelectronics-stevalill063v1-datasheets-8333.pdf 48 В дар Потютелнь 3A 5,5 В ~ 48 В. 3A LED5000 Доска (ы) 1, Н.Е.
DC1573A DC1573A Lehneйnahnehnohnologiar / analogowhe uestroйpsta
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Коробка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2010 ГОД /files/analogdevices-dc1573a-datasheets-0376.pdf 8 Проиджодво (posleDene obnowyneee: 3 nedeli -nanazhad) 40 В дар Потютелнь 6в 100 май 20 В ~ 28 В. 8 100 май LT3760 45 Доска (ы) 8, БЕЙХОЛИРОВАННОГО
IS31FL3236A-QFLS2-EBCYCLE IS31FL3236A-QFLS2-EBCYCLE Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 2,7 В ~ 5,5 В. 38 май IS31FL3236A Доска (ы) 36, Н.Е.
ADM00656 ADM00656 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Коробка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2015 /files/microchiptechnology-adm00651-datasheets-2448.pdf 14 НЕТ SVHC В дар 100 май 195.5V ~ 264.5VAC 1 100 май 100 май HV9805 125V 195,5. 264,5. Доска (ы) 1, Н.Е.
ADP8860DBCP-EVALZ ADP8860DBCP-EVALZ Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/analogdevicesinc-adp8860acpzr7-datasheets-1934.pdf 5,5 В. СОДЕРИТС 8 НЕТ SVHC Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) 5,5 В. В дар Кородкая ADP8860 60 май 2,5 В. 2,3 В ~ 5,5 В. 7 ADP8860 88 % Доска (ы) 7, Н.Е.
IS31FL3730-QFLS2-EB IS31FL3730-QFLS2-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 3 (168 чASOW) Rohs3 В дар I2c 2,7 В ~ 5,5 В. IS31FL3730 Доска (ы)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)