Светодиодные платы по оценке - электронные компоненты Поиск - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Степень

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Статус Ройс Опуликовано Техниль Опресагионе Верна - DOSTIчH SVHC Имен Статус жIзnennogogo цikla Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛНА О.К.Ко Особз Мон В конце концов Вес В конце Колист Питани - В.О. В канусе ТОПОЛОГЯ Ток - Йсполь В конце МИНАННА Прримнани Постать Вес Фуевшии Млн
EVAL-IBD002-35W Eval-IBD002-35W Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 48 ~ 60 a. 700 май Hvled002 24 В ~ 48 В. Доска (ы) 11, Н.Е. Потютелнь Stmicroelectronics
RDK-801 RDK-801 ЭnergeTiSkayan yantegraцina
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 100 ~ 277 Vac 2.08a LYT6079C, PFS7626C 48 Доска (ы) 1, Иолирована Потютелнь ЭnergeTiSkayan yantegraцina
AL17150EV1 AL17150EV1 Дидж
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 85 ~ 265. 300 май AL17150 3,3 В. - Доска (ы) 1, Н.Е. - Дидж
AL1783EV1 AL1783EV1 Дидж
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 6,5 $ 60. 250 май AL1783 - - Доска (ы) 3, Н.Е. Потютелнь Дидж
AL1665+AL5822EV1 AL1665+AL5822EV1 Дидж
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 90 ~ 305 Вид 1A AL1665, AL5822 20 В ~ 42 В. - Доска (ы) 1, Н.Е. Потютелнь Дидж
AL1666+AL8116+AL5822EV1 AL1666+AL8116+AL582222EV1 Дидж
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 90 ~ 305 Вид 1.2a AL1666, AL5822, AL8116 25 В ~ 50 В. - Доска (ы) 1, Н.Е. Потютелнь Дидж
AL3644EV1 AL364444EV1 Дидж
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 2,5 В ~ 5 В. 1,5а AL3644 - - Доска (ы) 2, Н.Е. Потютелнь Дидж
TPS92200D1EVM TPS92200D1EVM Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 4 В ~ 30 В. 500 май TPS92200D1 - Доска (ы) 1, Н.Е. Потютелнь Тел
LIGHTING-1-GEVK Обозвежник-1-gekp OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 90 ~ 270 ВИД - FL7760 - Доска (ы) 2, Н.Е. Потютелнь OnSemi
TPS92200D2EVM TPS92200D2EVM Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 4 В ~ 30 В. 500 май TPS92200D2 - Доска (ы) 1, Н.Е. Потютелнь Тел
BASICPLUSDEMOBOARDTOBO1 BasicPlusDemoboArdtoBo1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 8 В ~ 16 В. 60 май TLD1114-1EP, TLD2141-3EP, TLD2331-3EP 1,4 В ~ 7 В. Доска (ы) 3, Н.Е. Потютелнь Infineon Technologies
TLD5190VOLTDEMOTOBO1 TLD5190Voltdemotobo1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 5 В ~ 28 В. - TLD5190 3,7 В ~ 25 Доска (ы) 1, Н.Е. - Infineon Technologies
BPLUSOFFLOADBOARDTOBO1 Bplusoffloadboardtobo1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 8 В ~ 16 В. 360 май TLD1114-1EP 5 -~ 7 В. Доска (ы) 1, Н.Е. Потютелнь Infineon Technologies
MAX25612BEVKIT# Max25612bevkit# Analog Devices Inc./maxim Integrated
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 6- ~ 18. 2A MAX25612 3 В ~ 48 В. Доска (ы) 1, Н.Е. Потютелнь Analog Devices Inc./maxim Integrated
EVQ3369-R-00A Evq3369-r-00a МОНОЛИНЕС
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 3,5 В ~ 36 В. 50 май MPQ3369 - Доска (ы) 6, Н.Е. Потютелнь Monolithic Power Systems Inc.
IS31FL3236A-QFLS2-EBCYCLE IS31FL3236A-QFLS2-EBCYCLE Lumissil Microsystems
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 2,7 В ~ 5,5 В. 38 май IS31FL3236A - - Доска (ы) 36, Н.Е. Потютелнь Lumissil Microsystems
DEMOBOARDTLE4242GTOBO1 Demoboardtle4242gtobo1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Ликс? 8 В ~ 16 В. 370 май TLE4242G 6в ~ 8 - Доска (ы) 1, Н.Е. - Infineon Technologies
FEBFL77944_L80L012B FEBFL77944_L80L012B На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В 12 108
FEBFL77944_L80H012A FEBFL77944_L80H012A На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В 12 198v
FEBFL77905_L83L08A FEBFL77905_L83L08A На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В 8 Вт 108
FEBFL77905_L83H08A FEBFL77905_L83H08A На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В 8 Вт 198v
FEBFL77904_L82L08A FEBFL77904_L82L08A На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В 8 Вт 108
FEBFL77904_L82H08A FEBFL77904_L82H08A На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В 8 Вт 198v
NCL30105GEVB NCL30105GEVB На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Коробка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2012 /files/onsemyonductor-ncl30105gevb-datasheets-0069.pdf 80 5 nedely В дар 350 май 350 май NCL30105 60 Доска (ы) 1, Н.Е.
NCP1422LEDGEVB NCP14222ELDESVB На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2006 /files/onsemyonductor-ncp1422ledgevb-datasheets-8968.pdf 3,6 В. 4 neDe Не 3,6 В. В дар 800 май 3,6 В. 800 май 800 май NCP1422 3,5 В. Доска (ы) 1, Н.Е.
IS32LT3952-GRLA3-EB IS32LT3952-GRLA3-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 4,5 В ~ 40. 1,5а IS32LT3952 Доска (ы) 1, Н.Е.
IS32LT3125A-GRLA3-EB IS32LT3125A-GRLA3-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Потютелнь 2,7 В ~ 5,5 В. IS32FL3738 Доска (ы)
LP5521TMEV LP5521TMEV Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С В /files/texasinstruments-lp5521tmev-datasheets-8588.pdf 4 neDe НЕТ SVHC I2c Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) Не 5,5 В. В дар USB -INTERFEйS 2,8 В. 4,5 В. 100 май 2,8 В ~ 5,5 В. 3 ЗAraDnый naSos LP5521 Доска (ы), Каблея (ы) 3, Н.Е.
EVQ4425A-QB-00A EVQ4425A-QB-00A МОНОЛИНЕС
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Коробка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/monolithicpowersystemsinc-evq4425aqb00a-datasheets-8595.pdf Потютелнь 4 В ~ 36 В. 1,5а MPQ4425A Доска (ы) 1, Н.Е.
IS31FL3199-QFLS2-EB IS31FL3199-QFLS2-EB Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Коробка 1 (neograniчennnый) Rohs3 5в В дар Audio omodiolaцip 2A 3 n 5,5. IS31FL3199 Доска (ы)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)