+86 19168759373 info@chipsmt.ru

Степень

Срэйват	Ибрагейн	Сознание	Проиджодель	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Вер (К.)	Raзmer (lxwxh)	В припании	В конце	Ток -	Йсполь	В конце	Прримнани	Постать	Вес	Фуевшии	Млн
		Ev2341-tl-00a	МОНОЛИНЕС		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	8 В ~ 24 В.	2A	MP2341GTL	5,9 В.		Доска (ы)	1, Н.Е.	Потютелнь	Monolithic Power Systems Inc.
		AL8853EV1	Дидж		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	20 В ~ 36 В.	800 май	AL8853	60	-	Доска (ы)	1, Н.Е.	Потютелнь	Дидж
		Demobcr431ulvdroptobo1	Infineon Technologies		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	6 В ~ 42 В.	36,5 мая	BCR431U	-	-	Доска (ы)	1, Н.Е.	-	Infineon Technologies
		TLD5099EPB2GEVALKITTOBO1	Infineon Technologies		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	8 В ~ 27 В.	350 май	TLD5099EP	33 В ~ 47,4.	-	Доска (ы)	1, Н.Е.	Потютелнь	Infineon Technologies
		TPS92623Q1EVM	Тел		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	9 В ~ 20 В.	130 май	TPS92623-Q1	-	-	Доска (ы)	3, Н.Е.	Потютелнь	Тел
		Evq3326-r-00a	МОНОЛИНЕС		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	4 В ~ 16 В.	50 май	MPQ3326	-	-	Доска (ы), Каблея (ы)	16.	Потютелнь	Monolithic Power Systems Inc.
		TLD5099EPB2BEVALKITTOBO1	Infineon Technologies		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	8 В ~ 27 В.	1A	TLD5099EP	6- ~ 23 В.	-	Доска (ы)	1, Н.Е.	Потютелнь	Infineon Technologies
		Lowvoltagep2sgevb	OnSemi		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	7 В ~ 16 В.	-	-	-		Доска (ы)	1, Н.Е.	-	OnSemi
		TPS92624Q1EVM	Тел		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	9 В ~ 20 В.	130 май	TPS92624-Q1	-	-	Доска (ы)	4, Н.Е.	Потютелнь	Тел
		TPS92519EVM-169	Тел		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	6- ~ 65 a.	2A	TPS92519-Q1	2,8 В.	-	Доска (ы)	2, Н.Е.	-	Тел
		Evq3364-r-00a	МОНОЛИНЕС		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	3,5 В ~ 36 В.	150 май	MPQ3364	50	-	Доска (ы)	4, Н.Е.	Потютелнь	Monolithic Power Systems Inc.
		Refllcbuck4ch320wtobo1	Infineon Technologies		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	90 ~ 305 Вид	1,5а	ICL5102	3 В ~ 71 В.	-	Доска (ы)	4, Н.Е.	Потютелнь	Infineon Technologies
		TLD22522RCLEVALTOBO1	Infineon Technologies		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	8 В ~ 16 В.	120 май	TLD2252-2EP	-	-	Доска (ы)	2, Н.Е.	-	Infineon Technologies
		TLD1211SJEVALTOBO1	Infineon Technologies		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	8 В ~ 16 В.	85 май	TLD1211SJ	-	-	Доска (ы)	1, Н.Е.	-	Infineon Technologies
		REFILD8150DC15ASMDTOBO1	Infineon Technologies		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	8 В ~ 80 В.	1,5а	ILD8150	-	-	Доска (ы)	1, Н.Е.	Потютелнь	Infineon Technologies
		TLD5190IVREGEVALTOBO1	Infineon Technologies		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	5,5 В ~ 35 В.	1,5а	TLD5190QV	5,5 В ~ 41,8 В.	-	Доска (ы)	1, Н.Е.	Потютелнь	Infineon Technologies
		EVQ3367-R-01A	МОНОЛИНЕС		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	3,5 В ~ 36 В.	150 май	MPQ3367	50	-	Доска (ы)	6, Н.Е.	Потютелнь	Monolithic Power Systems Inc.
		TLD55421IVREGEVALTOBO1	Infineon Technologies		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	5,5 В ~ 35 В.	1,5а	TLD5542-1	2 В ~ 51 В.	-	Доска (ы)	1, Н.Е.	Потютелнь	Infineon Technologies
		TLD5099EPVB2GEVALKTOBO1	Infineon Technologies		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	8 В ~ 27 В.	350 май	TLD5099EP	48		Доска (ы)	1, Н.Е.	-	Infineon Technologies
		Reficl5102u100wlcctobo1	Infineon Technologies		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	90 ~ 267.	182а	ICL5102	20 В ~ 55 В.	-	Доска (ы)	1, Н.Е.	Потютелнь	Infineon Technologies
		Max25608evsys#	Analog Devices Inc./maxim Integrated		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		4 В ~ 60 В.	1.4a	MAX25608	3,7 В.	-	Доска (ы), Каблея (ы)	12, Н.Е.	Потютелнь	Analog Devices Inc./maxim Integrated
		NCV7694GEVB	OnSemi		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		8 В ~ 18	3A	NCV7694	11,8 В.	-	Доска (ы)	1, Н.Е.	-	OnSemi
		NCV7692DRLV1GEVB	OnSemi		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		7 В ~ 40 В.	540 май	NCV7692	-	-	Доска (ы)	1, Н.Е.	-	OnSemi
		EV3318-C-00A	МОНОЛИНЕС		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	2,7 В ~ 5,5 В.	25 май	Mp3318	38В	-	Доска (ы)	3, Н.Е.	Потютелнь	Monolithic Power Systems Inc.
		TLD5099EPSEPICEVALKTOBO1	Infineon Technologies		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	8 В ~ 27 В.	1A	TLD5099EP	6- ~ 23 В.	-	Доска (ы)	1, Н.Е.	Потютелнь	Infineon Technologies
		TLD55421HIPOWEVALTOBO1	Infineon Technologies		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	7,5 В ~ 35 В.	25 а	TLD5542-1	5 n 24 В.	-	Доска (ы)	1, Н.Е.	Потютелнь	Infineon Technologies
		LP5860EVM	Тел		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	2,7 В ~ 5,5 В.	-	LP5860	-	-	Доска (ы), Каблея (ы)	18, Н.Е.	Потютелнь	Тел
		TLD5099EPVSEPICEVALTOBO1	Infineon Technologies		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	8 В ~ 27 В.	1A	TLD5099EP	12		Доска (ы)	1, Н.Е.	-	Infineon Technologies
		EVQ3369-R-01A	МОНОЛИНЕС		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	3,5 В ~ 36 В.	100 май	MPQ3369	50	-	Доска (ы)	6, Н.Е.	Потютелнь	Monolithic Power Systems Inc.
		Reficl8810led42wpsrtobo1	Infineon Technologies		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	90 ~ 305 Вид	-	ICL8810	52	-	Доска (ы)	1, Н.Е.	Потютелнь	Infineon Technologies

| <
<
1
2
3
4
5
6
7
8
9
>
> |

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.