Специфический таймер - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна - МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Питания Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГЕЕСКИЯ ТИП ASTOTA (MMAKS) Колист UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Вес Колиствоистенн Весна кондигионирований Fmax-Min Maks i (ol) ТОТ КРЕВО Wshod PLL Perviчnы чasы/kriestalkyskaya-astota-noma Взёрт, а я
9FGL04P1B000KILFT 9FGL04P1B000KILFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 2006 /files/integrateddevicetechnology-9fgl04p1b000kilft-datasheets-8330.pdf 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 7 32 900 мкм
MAX3698CTJ+ MAX3698CTJ+ Микросоми
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 2015 /files/microsemi-max3698ctj-datasheets-8315.pdf
ICS95V2F857AGLF ICS95V2F857AGLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2008 /files/integrateddevicetechnology-ics95v2f857aglf-datasheets-8293.pdf TFSOP 48 в дар 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 2,5 В. 0,5 мм 48 Drugoй 2,7 В. 2,3 В. 30 ЧASы -DrAйVERы 2,5 В. 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G48 95V Дерь на пл. 233 мг 3-шТат 10 220 мг 0,04 млн LVCMOS В дар
ICS954218BGLF ICS954218BGLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2013 /files/integrateddevicetechnology-ics954218bglf-datasheets-8267.pdf TFSOP 1 400 мг Не
9FGL04P1B000KILF 9FGL04P1B000KILF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 2006 /files/integrateddevicetechnology-9fgl04p1b000kilf-datasheets-8221.pdf 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 7 32 900 мкм
9FGL0451BKILFT 9FGL0451BKILFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 CMOS 1 ММ В 2006 /files/integrateddevicetechnology-9fgl0451bkilft-datasheets-8121.pdf 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 32 7 32 в дар 900 мкм Ear99 8542.39.00.01 E3 Олово (sn) В дар Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 32 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V Nukahan ЧAsOWOйGENERATOR 40 мг 100 мг
9FGL0451BKILF 9fgl0451bkilf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 CMOS 1 ММ В 2006 /files/integrateddevicetechnology-9fgl0451bkilf-datasheets-8034.pdf 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 32 7 32 в дар 900 мкм Ear99 8542.39.00.01 E3 Олово (sn) В дар Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 32 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V Nukahan ЧAsOWOйGENERATOR 40 мг 100 мг
9FGL0441BKILFT 9fgl0441bkilft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 CMOS 1 ММ В 2006 /files/integrateddevicetechnology-9fgl0441bkilft-datasheets-7925.pdf 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 32 7 32 в дар 900 мкм Ear99 8542.39.00.01 E3 Олово (sn) В дар Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 32 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V Nukahan ЧAsOWOйGENERATOR 40 мг 100 мг
MAX3697CTJ+ MAX3697CTJ+ Микросоми
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 2015 /files/microsemi-max3697ctj-datasheets-7923.pdf
ICS954204BGLF ICS954204BGLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2005 /files/integrateddevicetechnology-ics954204bglf-datasheets-7905.pdf TFSOP 56 Ear99 E3 МАГОВОЙ Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 56 Коммер 3.465V 30 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G56 400 мг ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл В дар 14.31818MHZ
9FGL0441BKILF 9fgl0441bkilf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9fgl0441bkilf-datasheets-7832.pdf 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 32 7 32 в дар 900 мкм Ear99 E3 Олово (sn) Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 32 Промлэнно 3.465V Nukahan 1 100 мг ЧaSы В дар 40 мг
MAX3697AETJ+T MAX3697AETJ+T. Микросоми
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 2010 ГОД /files/microsemi-max3697aetjt-datasheets-7816.pdf
ICS954511BFT ICS954511BFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С В 2009 /files/integrateddevicetechnology-ics954511bft-datasheets-7805.pdf SSOP 56 1 400 мг Не
CSPU877DBVG CSPU877DBVG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 1996 /files/integrateddevicetechnology-cspu877dbvg-datasheets-7801.pdf 7 мм 4,5 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 52 52 в дар 1 ММ Ear99 Далее, Секребро, олова 1 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) Униджин М 260 1,8 В. 0,65 мм 52 Коммер 30 1 Н.Квалиирована 877 340 мг 10 0,009 а 0,04 млн ЧaSы В дар
MAX3697AETJ+ MAX3697AETJ+ Микросоми
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 0,8 мм В 2010 ГОД /files/microsemi-max3697aetj-datasheets-7721.pdf 5 ММ 5 ММ Ear99 НЕИ 8542.39.00.01 3,3 В. 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,6 В. Gererator чasow, drugoй 25 мг 156,25 мг
9FGL02P1B000KILFT 9FGL02P1B000KILFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 2006 /files/integrateddevicetechnology-9fgl02p1b000kilft-datasheets-7716.pdf 4 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 7 24 900 мкм
CSPU877BVG CSPU877BVG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-cspu877bvg-datasheets-7694.pdf 7 мм 4,5 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 52 1,9 1,7 52 в дар 1 ММ Ear99 Далее, Секребро, олова 1 E1 Жestaynanaynan -cerebraynan medion Униджин М 260 1,8 В. 0,65 мм 52 Коммер 30 1 Н.Квалиирована 877 340 мг 3-шТат 10 0,009 а 0,04 млн ЧaSы В дар
ICS954511BFLFT ICS954511BFLFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-ics954511bflft-datasheets-7676.pdf SSOP 56 1 400 мг Не
9FGL02P1B000KILF 9FGL02P1B000KILF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 2006 /files/integrateddevicetechnology-9fgl02p1b000kilf-datasheets-7641.pdf 4 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 7 24 900 мкм
ICS954511BFLF ICS954511BFLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-ics954511bflf-datasheets-7626.pdf SSOP 56 1 400 мг Не
9FGL0251BKILFT 9FGL0251BKILFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 CMOS 1 ММ В 2006 /files/integrateddevicetechnology-9fgl0251bkilft-datasheets-7546.pdf 4 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 24 7 24 в дар 900 мкм Ear99 8542.39.00.01 E3 Олово (sn) В дар Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 24 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V Nukahan ЧAsOWOйGENERATOR 40 мг 100 мг
ICS954511BF ICS954511BF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С В 2009 /files/integrateddevicetechnology-ics954511bf-datasheets-7505.pdf SSOP 56 1 400 мг Не
9ZXL1231AKLFT 9zxl1231aklft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9zxl1231aklft-datasheets-7433.pdf 9 мм 9 мм СОУДНО ПРИОН 64 8 64 в дар 900 мкм Ear99 Оло 8542.39.00.01 1 E3 Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 64 Коммер 3.465V 3.135V Nukahan ЧASы -DrAйVERы 3,3 В. Н.Квалиирована 9ZX Дерь на пл. 12 Deferenenцialnый mryks 0,065 м
871S1022EKLF 871S1022EKLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-871s1022eklf-datasheets-7395.pdf 5 ММ 5 ММ 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 32 7 3.465V 3.135V 32 в дар 900 мкм Ear99 100 май E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 32 Коммер Nukahan 1 Н.Квалиирована 500 мг 4 Gererator чasow, drugoй Кришалл В дар 25 мг
9DB1200CGLFT 9db1200cglft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 1 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2012 /files/integrateddevicetechnology-9db1200cglft-datasheets-7394.pdf TSSOP 17 ММ 6,1 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 64 7 3.465V 3.135V 64 в дар 1 ММ Ear99 Оло Не 1 375 май E3 Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 64 Коммер 1 9db 400 мг 12 3-шТат 0,05 млн ЧaSы В дар
9LPRS436CGILF 9lprs436cgilf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS 115 май ROHS COMPRINT 2011 год /files/integrateddevicetechnology-9lprs436cgilf-datasheets-7351.pdf TSSOP 12,5 мм 6,1 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 48 7 3.465V 3.135V 48 в дар 1 ММ Ear99 100 май E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 48 Промлэнно 30 4 Ч ч generaTorы 1 Н.Квалиирована 166,67 мг 14 МИКРОПРЕССОНА АНАСА Кришалл В дар
9FGL0251BKILF 9FGL0251BKILF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 CMOS 1 ММ В 2006 /files/integrateddevicetechnology-9fgl0251bkilf-datasheets-7345.pdf 4 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 24 7 24 в дар 900 мкм Ear99 8542.39.00.01 E3 Олово (sn) В дар Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 24 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V Nukahan ЧAsOWOйGENERATOR 40 мг 100 мг
9FGL0241BKILFT 9FGL0241BKILFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 CMOS 1 ММ В 2006 /files/integrateddevicetechnology-9fgl0241bkilft-datasheets-7285.pdf 4 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 24 7 24 в дар 900 мкм Ear99 8542.39.00.01 E3 Олово (sn) В дар Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 24 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V Nukahan ЧAsOWOйGENERATOR 40 мг 100 мг
9EPRS525AGILF 9EPRS525AGILF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/integrateddevicetechnology-9eprs525agilf-datasheets-7273.pdf TSSOP 14 ММ 6,1 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 56 8 3.465V 3.135V 56 в дар 1 ММ Ear99 Не E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 3,3 В. 0,5 мм 56 Коммер 3 Ч ч generaTorы 1 400 мг 19 МИКРОПРЕССОНА АНАСА Кришалл В дар
ICS954141AFT ICS954141aft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С В 2009 /files/integrateddevicetechnology-ics954141aft-datasheets-7227.pdf SSOP 56 1 Не

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.