Специфический таймер - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Телекоммуникации IC THIP PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Питания Поступил Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГЕЕСКИЯ ТИП ASTOTA (MMAKS) Колист UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Вес Колиствоистенн Fmax-Min Проп. ЗAdErжKA@nom-sup Я ТОТ КРЕВО Wshod PLL Perviчnы чasы/kriestalkyskaya-astota-noma Взёрт, а я
ICS9FG104DFLF ICS9FG104DFLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/integrateddevicetechnology-ics9fg104dflf-datasheets-1463.pdf SSOP 28 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 3,3 В. 0,635 мм Drugoй 3,3 В. 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G28 400 мг ЧaSы В дар
5V41067APGGI8 5V41067APGGI8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-5v41067apggi8-datasheets-1371.pdf TSSOP 6,5 мм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 20 7 20 в дар 1 ММ Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 20 Промлэнно 3.465V 30 ЧASы -DrAйVERы 3,3 В. 1 ВОДЕЛЕЙС 200 мг 4 0,05 млн HCSL Не
5V41067APGGI 5V41067Apggi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-5v41067apggi-datasheets-1320.pdf TSSOP 6,5 мм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 20 7 4,6 В. 3,3 В. 20 в дар 1 ММ Ear99 1 80 май E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 20 Промлэнно 30 ЧASы -DrAйVERы 1 ВОДЕЛЕЙС 200 мг 4 0,05 млн HCSL Не
5V41067APGG8 5V41067APGG8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 1 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-5V41067Apgg8-datasheets-1217.pdf TSSOP 6,5 мм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 20 7 20 в дар 1 ММ Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 20 Коммер 3.465V 30 ЧASы -DrAйVERы 3,3 В. 1 ВОДЕЛЕЙС 200 мг 4 0,05 млн HCSL Не
844202AKI-245LF 844202AKI-245LF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2005 /files/integrateddevicetechnology-844202aki245lf-datasheets-1195.pdf 3,3 В. 32 1 250 мг Кришалл В дар
ICS960007AFLFT ICS960007Aflft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-ics960007aflft-datasheets-1157.pdf SSOP Не
ICS960001AF ICS960001AF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С В 2009 /files/integrateddevicetechnology-ics960001af-datasheets-1159.pdf SSOP 48 1 Не
ICS960001AFT ICS960001aft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С В 2009 /files/integrateddevicetechnology-ics960001aft-datasheets-0981.pdf SSOP 48 1 Не
ICS95V857CKLF8 ICS95V857CKLF8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2005 /files/integrateddevicetechnology-ics95v857cklf8-datasheets-0591.pdf 40 1 233 мг ЧaSы В дар
ICS9FG108DGILF ICS9FG108DGILF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/integrateddevicetechnology-ics9fg108dgilf-datasheets-0570.pdf TSSOP 16 мм 2,4 мм 7,6 мм 3,3 В. 215 май 3.465V 3.135V 48 250 май 1 1 400 мг ЧaSы В дар
ICS95V857CKLF ICS95V857CKLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2005 /files/integrateddevicetechnology-ics95v857cklf-datasheets-0492.pdf 6 мм 6 мм 40 в дар НЕИ 1 E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 2,5 В. 0,5 мм 40 Drugoй 2,7 В. 2,3 В. 30 2,5 В. 1 Н.Квалиирована S-XQCC-N40 95V 233 мг 3-шТат 10 220 мг 0,04 млн ЧaSы В дар
ICS841S04BGILF ICS841S04BGILF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2007 /files/integrateddevicetechnology-ics841s04bgilf-datasheets-0487.pdf TSSOP 7,8 мм 4,4 мм 24 в дар Ear99 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 24 Промлэнно 3.465V 30 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G24 100 мг ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл В дар 25 мг
IDTCV141PVG IDTCV141PVG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С 2,79 мм ROHS COMPRINT 2005 /files/integrateddevicetechnology-idtcv141pvg-datasheets-0464.pdf SSOP 7,49 мм 48 48 НЕИ 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,635 мм 48 Коммер 3.465V 30 3,3 В. 1 Н.Квалиирована 3-шТат 8 0,25 млн 4,5 млн 0,25 млн ЧaSы В дар
9FGL839AKLF 9fgl839aklf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9fgl839aklf-datasheets-0367.pdf 100 6 мм 6 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 7 48 в дар 900 мкм Ear99 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 48 1 100 мг Кришалл В дар
95V842AFILFT 95V842afilft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2008 /files/integrateddevicetechnology-95v842afilft-datasheets-0354.pdf QSOP 4,9 мм 1,47 мм 3,8 мм 2,5 В. СОУДНО ПРИОН 16 16 в дар 1,47 мм Оло 1 E3 Дон Крхлоп 260 2,5 В. 0,635 мм 16 Drugoй 2,7 В. 2,3 В. 30 1 Н.Квалиирована 95V 333 мг 3-шТат 1 5,5 млн 5,5 млн 0,06 м ЧaSы В дар
ICS95V857AK ICS95V857ak ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С 0 ° С В 2008 /files/integrateddevicetechnology-ics95v857ak-datasheets-0272.pdf 40 E0 Квадран NeT -lederStva 2,5 В. 0,5 мм Drugoй 2,5 В. 1 Н.Квалиирована S-PQCC-N40 233 мг ЧaSы В дар
9ERS3125BKLFT 9ers3125bklft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-9ers3125bklft-datasheets-0274.pdf 8 ММ 8 ММ СОУДНО ПРИОН 7 56 в дар 850 мкм Ear99 Оло E3 260 56 30 1 400 мг ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл В дар
557MI-01LFT 557mi-01lft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2004 /files/integrateddevicetechnology-557mi01lft-datasheets-0256.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 8 7 3.465V 3.135V 8 в дар 1,5 мм Ear99 Оло 55 май E3 Дон Крхлоп 260 3,3 В. 8 Промлэнно 30 1 Н.Квалиирована 100 мг ЧaSы В дар 25 мг
9ERS3125BKILFT 9ers3125bkilft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-9ers3125bkilft-datasheets-0200.pdf 8 ММ 8 ММ 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 56 7 56 в дар 850 мкм Ear99 E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 56 Промлэнно 30 Ч ч generaTorы 1 Н.Квалиирована 400 мг Кришалл В дар
9EPRS525AGLF 9EPRS525AGLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/integrateddevicetechnology-9eprs525aglf-datasheets-0113.pdf TSSOP 14 ММ 6,1 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 56 8 3.465V 3.135V 56 в дар 1 ММ Ear99 Не 115 май E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 3,3 В. 0,5 мм 56 Коммер 3 Ч ч generaTorы 1 400 мг 19 МИКРОПРЕССОНА АНАСА Кришалл В дар
841S101EGILFT 841S101GILFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-841s101egilft-datasheets-0019.pdf TSSOP 5 ММ 1 ММ 4,4 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 16 7 16 в дар 1 ММ Ear99 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 16 Промлэнно 3.465V 30 Ч ч generaTorы 80 май 1 Н.Квалиирована 100 мг Gererator чasow, drugoй Кришалл В дар 25 мг
9EPRS525AGILFT 9EPRS525AGILFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/integrateddevicetechnology-9eprs525agilft-datasheets-0001.pdf TSSOP 14 ММ 6,1 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 56 8 3.465V 3.135V 56 в дар 1 ММ Ear99 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп Nukahan 3,3 В. 0,5 мм 56 Коммер Nukahan 3 Ч ч generaTorы 1 Н.Квалиирована 400 мг МИКРОПРЕССОНА АНАСА Кришалл В дар
ICS9FG104DFLFT ICS9FG104DFLFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/integrateddevicetechnology-ics9fg104dflft-datasheets-9953.pdf SSOP 28 28 НЕИ E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 3,3 В. 0,635 мм Drugoй 3,3 В. 1 Н.Квалиирована 400 мг ЧaSы В дар
82V3380PFG8 82V3380PFG8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-82v3380pfg8-datasheets-9886.pdf TQFP 14 ММ 14 ММ СОУДНО ПРИОН 100 8 100 в дар 1,4 мм Ear99 Оло 1 E3 Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 100 Промлэнно ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА 30 1 Н.Квалиирована 622,08 мг CMOS В дар
8413S09BKILF 8413S09BKILF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS 0,9 мм ROHS COMPRINT 2007 /files/integrateddevicetechnology-8413s09bkilf-datasheets-9857.pdf 7 мм 7 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 48 48 в дар 900 мкм Ear99 Оло 8542.39.00.01 E3 Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 48 Промлэнно 3.465V Nukahan ЧAsOWOйGENERATOR 25 мг 312,5 мг
9FGL08P1B000KILFT 9FGL08P1B000KILFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 2006 /files/integrateddevicetechnology-9fgl08p1b000kilft-datasheets-9853.pdf 6 мм 6 мм СОУДНО ПРИОН 7 48 900 мкм
9ERS3165BKILFT 9ers3165bkilft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2012 /files/integrateddevicetechnology-9ers3165bkilft-datasheets-9813.pdf 9 мм 9 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 64 8 3.465V 3.135V 64 в дар 900 мкм Ear99 125 май E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 64 Промлэнно 30 4 Ч ч generaTorы 1 Н.Квалиирована 400 мг ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл В дар 14.318mhz
93789DFLFT 93789dflft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-93789dflft-datasheets-9756.pdf SSOP 10,2 ММ 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 28 1,73 мм 266 мг CMOS Не
9LPRS502SGLF 9LPRS502SGLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-9lprs502sglf-datasheets-9686.pdf TSSOP 14 ММ 6,1 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 56 8 3.465V 3.135V 56 в дар 1 ММ Ear99 Оло 250 май E3 Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 56 Коммер 30 3 Ч ч generaTorы 1 Н.Квалиирована 400 мг МИКРОПРЕССОНА АНАСА Кришалл В дар
ICS95V857ALT ICS95V857ALT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С 0 ° С В 2011 год /files/integrateddevicetechnology-ics95v857alt-datasheets-9659.pdf TFSOP 9,7 мм 4,4 мм 48 не 1 E0 Дон Крхлоп 225 2,5 В. 0,4 мм 48 Drugoй 2,7 В. 2,3 В. 30 2,5 В. 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G48 95V 233 мг 3-шТат 10 220 мг 0,04 млн ЧaSы В дар

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.