Специфический таймер - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Телекоммуникации IC THIP Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Питания Поступил Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГЕЕСКИЯ ТИП ТИП ГЕЙНЕРАТОРА ASTOTA (MMAKS) Колист UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Power Dissipation-Max МАКСИМАЛНА РУБОБЕР Колиствоистенн Maks i (ol) ТОТ КРЕВО Wshod PLL Perviчnы чasы/kriestalkyskaya-astota-noma Взёрт, а я Колиствоиртировананна
9DBU0831AKLF 9dbu0831aklf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 9ma ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9dbu0831aklf-datasheets-5801.pdf 6 мм 900 мкм 6 мм 1,5 В. СОУДНО ПРИОН 48 7 1575 1.425V 48 в дар 900 мкм Ear99 Оло 1 E3 Квадран NeT -lederStva 260 1,5 В. 0,4 мм 48 Коммер Nukahan 1 9dbu Дерь на пл. 167 мг 2 55 % 0,075 млн HCSL В дар
932S431AGLFT 932S431AGLFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-932s431aglft-datasheets-5746.pdf TSSOP 14 ММ 6,1 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 56 8 3.465V 3.135V 56 в дар 1 ММ Ear99 Оло 350 май E3 Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 56 Коммер Nukahan 3 Ч ч generaTorы 1 Н.Квалиирована 400 мг ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл В дар 14.318mhz
810001DKI-21LFT 810001DKI-21LFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА В 2007 /files/integrateddevicetechnology-810001dki21lft-datasheets-5734.pdf 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 32 в дар 900 мкм Ear99 8542.39.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 32 LVCMOS
ICS954141AFLF ICS954141AFLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-ics954141aflf-datasheets-5729.pdf SSOP 56 1 Не
5V41066PGGI8 5V41066PGGI8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 1999 /files/integrateddevicetechnology-5v41066pggi8-datasheets-5716.pdf TSSOP 6,5 мм 4,4 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 20 7 3.465V 3.135V 20 в дар 1 ММ Ear99 Оло Не 125 май E3 Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 20 Промлэнно 30 1 200 мг ЧaSы В дар 25 мг
8430S07AKILFT 8430s07akilft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2008 /files/integrateddevicetechnology-8430s07akilft-datasheets-5693.pdf 5 ММ 5 ММ 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 32 27 nedely 32 в дар 900 мкм Ear99 E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 32 Промлэнно 3.465V 30 Ч ч generaTorы 1 Н.Квалиирована 133,33 мг Gererator чasow, drugoй Кришалл В дар 25 мг
810001DKI-21LF 810001DKI-21LF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА В 2007 /files/integrateddevicetechnology-810001dki21lf-datasheets-5658.pdf 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 32 в дар 900 мкм Ear99 8542.39.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 32 LVCMOS
9DBU0831AKILF 9dbu0831akilf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 9ma ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9dbu0831akilf-datasheets-5588.pdf 6 мм 900 мкм 6 мм 1,5 В. СОУДНО ПРИОН 48 7 1575 1.425V 48 в дар 900 мкм Ear99 Оло 1 E3 Квадран NeT -lederStva 260 1,5 В. 0,4 мм 48 Промлэнно Nukahan 1 9dbu Дерь на пл. 167 мг 2 55 % 0,075 млн HCSL В дар
MK1491-06STR MK1491-06str ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 70 ° С 0 ° С CMOS 2,65 мм В 1999 /files/integrateddevicetechnology-mk149106strstrstr-datasheets-5542.pdf SOIC 7,5 мм 28 не Ear99 E0 Дон Крхлоп 225 3,3 В. 28 Коммер 3,45 В. 30 Ч ч generaTorы 3,3 В. 1 R-PDSO-G28 49 152 мг ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл Не 14.31818MHZ
XRT91L33IGTR-F XRT91L33IGTR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT TSSOP 1 622,08 мг LVDS В дар
MK1491-06SLF MK1491-06SLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 1999 /files/integrateddevicetechnology-mk149106slf-datasheets-5443.pdf SOIC 17,9 мм 2,55 мм 7,6 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 30 май 28 3,45 В. 3,15 В. 28 в дар 2,34 мм Ear99 Не E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 28 Коммер Ч ч generaTorы 1 49 152 мг ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл 14.31818MHZ
9DBU0741AKLF 9dbu0741aklf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9dbu0741aklf-datasheets-5374.pdf 5 ММ 900 мкм 5 ММ 1,5 В. СОУДНО ПРИОН 40 8 1575 1.425V 40 в дар 900 мкм Ear99 Оло 1 E3 Квадран 260 1,5 В. 0,4 мм 40 Коммер 1 9dbu ВОДЕЛЕЙС 167 мг 2 36 м 55 % 0,06 м HCSL Не
MK1491-06S MK1491-06s ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С CMOS 2,65 мм В 1999 /files/integrateddevicetechnology-mk149106s-datasheets-5367.pdf SOIC 7,5 мм 28 не Ear99 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 3,3 В. 28 Коммер 3,45 В. Ч ч generaTorы 3,3 В. 1 R-PDSO-G28 49 152 мг ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл Не 14.31818MHZ
MK1491-06RTR MK1491-06RTR ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С CMOS В 1999 /files/integrateddevicetechnology-mk149106rtr-datasheets-5227.pdf SSOP 9,9 мм 3,9 мм 28 не Ear99 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 3,3 В. 0,635 мм 28 Коммер 3,45 В. Ч ч generaTorы 3,3 В. 1 R-PDSO-G28 49 152 мг ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл Не 14.31818MHZ
IDTCV183-2BPAG8 IDTCV183-2BPAG8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2013 /files/integrateddevicetechnology-idtcv1832bpag8-datasheets-5139.pdf TFSOP 64 1 400 мг Кришалл В дар
9DBU0741AKILF 9dbu0741akilf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9dbu0741akilf-datasheets-5094.pdf 5 ММ 900 мкм 5 ММ 1,5 В. СОУДНО ПРИОН 40 8 1575 1.425V 40 в дар 900 мкм Ear99 Оло 1 E3 Квадран 260 1,5 В. 0,4 мм 40 Промлэнно 1 9dbu ВОДЕЛЕЙС 167 мг 2 36 м 55 % 0,06 м HCSL Не
MK1491-06RLFTR MK1491-06RLFTR ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 1999 /files/integrateddevicetechnology-mk149106rlftr-datasheets-5051.pdf QSOP 9,9 мм 3,8 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 28 3,45 В. 3,15 В. 28 в дар 1,47 мм Ear99 Не E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,635 мм 28 Коммер Ч ч generaTorы 1 49 152 мг ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл 14.31818MHZ
9161A-01CW16LFT 9161A-01CW16LFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2005 /files/integrateddevicetechnology-9161a01cw16lft-datasheets-5037.pdf SOIC 10,4 мм 7,6 мм СОУДНО ПРИОН 16 5,25 В. 4,75 В. 16 в дар 2,34 мм Ear99 Оло 65 май E3 Дон Крхлоп 260 16 Коммер Nukahan 2 1 Н.Квалиирована 120 мг ЧaSы В дар 60 мг
82V3280EQG8 82V3280EQG8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2008 /files/integrateddevicetechnology-82v3280eqg8-datasheets-4997.pdf 14 ММ 14 ММ СОУДНО ПРИОН 100 4 neDe 100 в дар 1,4 мм 1 E3 Олово (sn) Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 100 Промлэнно ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА Nukahan 1 622,08 мг CMOS В дар
932S421BFLFT 932s421bflft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS 2,8 мм ROHS COMPRINT 2009 /files/integratedDeviceTechnology-932S421BFLFT-Datasheets-4959.pdf 7,5 мм 3,3 В. 56 7 56 в дар Ear99 Оло E3 Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,635 мм 56 Коммер 3.465V 30 Ч ч generaTorы 350 май 1 Н.Квалиирована 400 мг ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл В дар 14.318mhz 333,33 мг
MK1491-06RLF MK1491-06RLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 1999 /files/integrateddevicetechnology-mk149106rlf-datasheets-4955.pdf QSOP 9,9 мм 1,5 мм 3,8 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 30 май 28 3,45 В. 3,15 В. 28 в дар 1,47 мм Ear99 Не E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,635 мм 28 Коммер Ч ч generaTorы 1 49 152 мг 10 ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл 14.31818MHZ
9DBU0731AKLF 9dbu0731aklf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9dbu0731aklf-datasheets-4883.pdf 5 ММ 900 мкм 5 ММ 1,5 В. СОУДНО ПРИОН 40 8 1575 1.425V 40 в дар 900 мкм Ear99 Оло 1 E3 Квадран 260 1,5 В. 0,4 мм 40 Коммер 1 9dbu ВОДЕЛЕЙС 167 мг 2 36 м 55 % 0,06 м HCSL Не
9SQL4958BNDGI8 9sql4958bndgi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 1 ММ В 6 мм 6 мм 48 7 Ear99 8542.39.00.01 В дар Квадран NeT -lederStva Nukahan 3,3 В. 0,4 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V Nukahan S-XQCC-N48 ЧAsOWOйGENERATOR 25 мг 100 мг
841S101EGILF 841S101Egilf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-841s101egilf-datasheets-4704.pdf TSSOP 5 ММ 4,4 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 16 7 3.465V 3.135V 16 в дар 1 ММ Ear99 Оло 80 май E3 Дон Крхлоп 260 3,3 В. 16 Промлэнно 30 Ч ч generaTorы Н.Квалиирована 100 мг 1 Gererator чasow, drugoй Кришалл В дар 25 мг
9SQL4958BNDGI 9SQL4958BNDGI ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 1 ММ В 6 мм 6 мм 48 7 Ear99 8542.39.00.01 В дар Квадран NeT -lederStva Nukahan 3,3 В. 0,4 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V Nukahan S-XQCC-N48 ЧAsOWOйGENERATOR 25 мг 100 мг
ICS953201BF ICS953201BF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 70 ° С 0 ° С В 2009 /files/integrateddevicetechnology-ics953201bf-datasheets-4680.pdf SSOP 56 Не
9DBU0731AKILF 9dbu0731akilf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9dbu0731akilf-datasheets-4659.pdf 5 ММ 900 мкм 5 ММ 1,5 В. СОУДНО ПРИОН 40 8 1575 1.425V 40 в дар 900 мкм Ear99 Оло 1 E3 Квадран 260 1,5 В. 0,4 мм 40 Промлэнно 1 9dbu ВОДЕЛЕЙС 167 мг 2 36 м 55 % 0,06 м HCSL Не
MC88LV926EGR2 MC88LV926EGR2 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT /files/integrateddevicetechnology-mc88lv926egr2-datasheets-4557.pdf SOIC 3,3 В. 20 3,6 В. 20 НЕИ E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 3,3 В. Коммер ЧASы -DrAйVERы 1 Н.Квалиирована 66 мг 0,024 а CMOS В дар
9DBU0641AKLF 9dbu0641aklf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 4,5 мая ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9dbu0641aklf-datasheets-4495.pdf 5 ММ 900 мкм 5 ММ 1,5 В. СОУДНО ПРИОН 40 8 1575 1.425V 40 в дар 900 мкм Ear99 Оло 1 E3 Квадран NeT -lederStva 260 1,5 В. 0,4 мм 40 Коммер Nukahan 1 9dbu Дерь на пл. 167 мг 2 47 м 55 % 0,075 млн HCSL В дар
MC88LV926EG MC88LV926EG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 70 ° С 0 ° С 2,65 мм ROHS COMPRINT /files/integrateddevicetechnology-mc88lv926eg-datasheets-4460.pdf SOIC 7,5 мм 3,3 В. 20 3,6 В. 20 Не 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 20 Коммер 30 ЧASы -DrAйVERы 1 88LV Дерь на пл. 66 мг 4 0,024 а 0,75 млн CMOS В дар 1

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.