Специфический таймер - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна - МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Питания Поступил Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГЕЕСКИЯ ТИП ASTOTA (MMAKS) Колист UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Power Dissipation-Max МАКСИМАЛНА РУБОБЕР Вес Колиствоистенн Fmax-Min ТОТ КРЕВО Wshod PLL Perviчnы чasы/kriestalkyskaya-astota-noma Взёрт, а я
MPC9824AC MPC9824AC ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2003 /files/integrateddevicetechnology-mpc9824ac-datasheets-4426.pdf TQFP 7 мм 7 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 32 3.465V 3.135V 32 в дар 1,4 мм Ear99 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,8 мм 32 Промлэнно 30 Ч ч generaTorы 6,5 мая 1 Н.Квалиирована 200 мг ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл В дар 25 мг
9SQL4954BNLGI8 9sql4954bnlgi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 1 ММ В 2006 /files/integrateddevicetechnology-9sql4954bnlgi8-datasheets-4400.pdf 5 ММ 5 ММ 32 7 Ear99 8542.39.00.01 В дар Квадран NeT -lederStva Nukahan 3,3 В. 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V Nukahan S-XQCC-N32 ЧAsOWOйGENERATOR 25 мг 100 мг
9DBU0641AKILF 9dbu0641akilf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 4,5 мая ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9dbu0641akilf-datasheets-4338.pdf 5 ММ 900 мкм 5 ММ 1,5 В. СОУДНО ПРИОН 40 8 1575 1.425V 40 в дар 900 мкм Ear99 Оло 1 E3 Квадран NeT -lederStva 260 1,5 В. 0,4 мм 40 Промлэнно Nukahan 1 9dbu Дерь на пл. 167 мг 2 47 м 55 % 0,075 млн HCSL В дар
9SQL4954BNLGI 9sql4954bnlgi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 1 ММ В 2006 /files/integrateddevicetechnology-9sql495444bnlgi-datasheets-4305.pdf 5 ММ 5 ММ 32 7 Ear99 8542.39.00.01 В дар Квадран NeT -lederStva Nukahan 3,3 В. 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V Nukahan S-XQCC-N32 ЧAsOWOйGENERATOR 25 мг 100 мг
ICS98UAE877AHLFT ICS98UAE877Ahlft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-ics98uae877ahlft-datasheets-4179.pdf BGA 52 1 410 мг ЧaSы В дар
9SQL4952BNLGI8 9sql4952bnlgi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 1 ММ В 2006 /files/integrateddevicetechnology-9sql4952bnlgi8-datasheets-4015.pdf 4 мм 4 мм 24 7 Ear99 8542.39.00.01 В дар Квадран NeT -lederStva Nukahan 3,3 В. 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V Nukahan S-XQCC-N24 ЧAsOWOйGENERATOR 25 мг 100 мг
9DBU0541AKLF 9dbu0541aklf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 3MA ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9dbu0541aklf-datasheets-4010.pdf 5 ММ 1 ММ 5 ММ 1,5 В. СОУДНО ПРИОН 32 7 1575 1.425V 32 в дар 900 мкм Ear99 Оло 1 E3 Квадран 260 1,5 В. 32 Коммер 1 9dbu ВОДЕЛЕЙС 167 мг 2 35 м 55 % 0,05 млн HCSL Не
ICS9FG104CGLF ICS9FG104CGLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2008 /files/integrateddevicetechnology-ics9fg104cglf-datasheets-4002.pdf TSSOP 28 НЕИ E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 3,3 В. 0,635 мм Коммер 3,3 В. 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G28 400 мг ЧaSы В дар
ICS98UAE877AHLF ICS98UAE877AHLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-ics98uae877ahlf-datasheets-3980.pdf BGA 52 1 410 мг ЧaSы В дар
9DB823BFLF 9db823bflf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 70 ° С 0 ° С 2,8 мм ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9db823bflf-datasheets-3922.pdf SSOP 15,9 мм 7,5 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 48 7 48 в дар 2,3 мм Ear99 Оло 1 E3 Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,635 мм 48 Коммер 3.465V 30 ЧASы -DrAйVERы 1 Н.Квалиирована 9db Дерь на пл. 400 мг 3-шТат 8 0,05 млн HCSL В дар
ICS97ULPA877AHLFT ICS97ULPA877AHLFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-ics97ulpa877ahlft-datasheets-3896.pdf BGA 7 мм 4,5 мм 52 52 в дар 1 E3 МАГОВОЙ Униджин М 260 1,8 В. 0,65 мм 52 Коммер 30 1 Н.Квалиирована 97ulp 410 мг 10 0,04 млн ЧaSы В дар
9ZX21901BKLF 9zx21901bklf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2013 /files/integrateddevicetechnology-9zx21901bklf-datasheets-3842.pdf 10 мм 10 мм СОУДНО ПРИОН 72 8 3.465V 3.135V 72 в дар 1 ММ Ear99 Оло 1 407 Ма E3 Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 72 Коммер Nukahan 1 9ZX 400 мг 19 3-шТат 0,065 м ЧaSы В дар
9DBU0541AKILF 9dbu0541akilf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 3MA ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9dbu0541akilf-datasheets-3829.pdf 5 ММ 1 ММ 5 ММ 1,5 В. СОУДНО ПРИОН 32 7 1575 1.425V 32 в дар 900 мкм Ear99 Оло 1 E3 Квадран 260 1,5 В. 32 Промлэнно 1 9dbu ВОДЕЛЕЙС 167 мг 2 35 м 55 % 0,05 млн HCSL Не
9SQL4952BNLGI 9sql4952bnlgi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 1 ММ В 2006 /files/integrateddevicetechnology-9sql4952bnlgi-datasheets-3825.pdf 4 мм 4 мм 24 7 Ear99 8542.39.00.01 В дар Квадран NeT -lederStva Nukahan 3,3 В. 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V Nukahan S-XQCC-N24 ЧAsOWOйGENERATOR 25 мг 100 мг
ICS97ULPA877AHLF ICS97ULPA877AHLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-ics97ulpa877ahlf-datasheets-3788.pdf BGA 7 мм 4,5 мм 52 52 в дар 1 E3 МАГОВОЙ Униджин М 260 1,8 В. 0,65 мм 52 Коммер 30 1 Н.Квалиирована 97ulp 410 мг 10 0,04 млн ЧaSы В дар
ICS9169M-01T ICS9169M-01T ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С CMOS В 1998 /files/integrateddevicetechnology-ics9169m01t-datasheets-3779.pdf SOIC 28 Ear99 НЕИ E0 Олейнн Дон Крхлоп Nukahan 28 Коммер 5,5 В. Nukahan 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G28 100 мг ЧaSы В дар 14.31818MHZ 66,5 мг
MC88920EGR2 MC88920EGR2 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-mc88920egr2-datasheets-3692.pdf SOIC 1 50 мг CMOS В дар
9FG1904BK-1LF 9FG1904BK-1LF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2007 /files/integrateddevicetechnology-9fg1904bk1lf-datasheets-3689.pdf 10 мм 10 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 72 8 3.465V 3.135V 72 в дар 1 ММ Ear99 E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 72 Коммер Nukahan 2 500 май 1 Н.Квалиирована 400 мг ЧaSы В дар
ICS97ULP877BKLFT ICS97ULP877BKLFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2005 /files/integrateddevicetechnology-ics97ulp877bklft-datasheets-3680.pdf 6 мм 6 мм 40 40 в дар 1 E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 1,8 В. 0,5 мм 40 Коммер 30 1 Н.Квалиирована 97ulp 410 мг 3-шТат 10 0,04 млн ЧaSы В дар
9DBU0531AKLF 9dbu0531aklf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 3MA ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9dbu0531aklf-datasheets-3631.pdf 5 ММ 1 ММ 5 ММ 1,5 В. СОУДНО ПРИОН 32 7 1575 1.425V 32 в дар 900 мкм Ear99 Оло 1 E3 Квадран 260 1,5 В. 32 Коммер 30 1 9dbu ВОДЕЛЕЙС 167 мг 2 35 м 55 % 0,06 м HCSL Не
MC88920EG MC88920EG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-mc88920eg-datasheets-3592.pdf SOIC 20 Не 1 50 мг CMOS В дар
ICS97ULP877BKLF ICS97ULP877BKLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2005 /files/integrateddevicetechnology-ics97ulp877bklf-datasheets-3580.pdf 6 мм 6 мм 40 40 1 E3 МАГОВОЙ Квадран NeT -lederStva 260 1,8 В. 0,5 мм 40 Коммер 40 1 Н.Квалиирована 97ulp 410 мг 3-шТат 10 350 мг 0,04 млн ЧaSы В дар
ICS97ULP877AHT ICS97ULP877AHT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С В 2007 /files/integrateddevicetechnology-ics97ulp877aht-datasheets-3489.pdf BGA 52 1 410 мг ЧaSы В дар
9DBU0531AKILF 9dbu0531akilf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 3MA ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9dbu0531akilf-datasheets-3433.pdf 5 ММ 1 ММ 5 ММ 1,5 В. СОУДНО ПРИОН 32 7 1575 1.425V 32 в дар 900 мкм Ear99 Оло 1 E3 Квадран 260 1,5 В. 32 Промлэнно 1 9dbu ВОДЕЛЕЙС 167 мг 2 35 м 55 % 0,06 м HCSL Не
ICS97ULP877AHLFT ICS97ULP877AHLFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2007 /files/integrateddevicetechnology-ics97ulp87777ahlft-datasheets-3412.pdf BGA 7 мм 4,5 мм 52 52 1 E1 Жestaynanaynan -cerebraynan medion Униджин М 260 1,8 В. 0,65 мм 52 Коммер 40 1 Н.Квалиирована 97ulp 410 мг 10 350 мг 0,04 млн ЧaSы В дар
MC88916EG80R2 MC88916EG80R2 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-mc88916eg80r2-datasheets-3382.pdf SOIC 5,5 В. 4,5 В. 20 1 1 80 мг CMOS В дар
IDTCV174CPAG IDTCV174CPAG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-idtcv174cpag-datasheets-3312.pdf TFSOP 56 Ear99 E3 МАГОВОЙ Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 56 Коммер 3.465V 30 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G56 400 мг ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл В дар 14.31818MHZ
ICS97ULP877AHLF ICS97ULP877AHLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2007 /files/integrateddevicetechnology-ics97ulp87777ahlf-datasheets-3309.pdf BGA 7 мм 4,5 мм 52 52 1 E1 Жestaynanaynan -cerebraynan medion Униджин М 260 1,8 В. 0,65 мм 52 Коммер 40 1 Н.Квалиирована 97ulp 410 мг 10 350 мг 0,04 млн ЧaSы В дар
MC88916EG80 MC88916EG80 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-mc88916eg80-datasheets-3291.pdf SOIC 1 80 мг CMOS В дар
9DBU0441AKLF 9dbu0441aklf ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 6ma ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-9dbu0441aklf-datasheets-3218.pdf 5 ММ 1 ММ 5 ММ 1,5 В. СОУДНО ПРИОН 32 7 1575 1.425V 32 в дар 900 мкм Ear99 Оло 1 E3 Квадран NeT -lederStva 260 1,5 В. 32 Коммер Nukahan 1 9dbu Дерь на пл. 167 мг 2 45 м 55 % 0,05 млн HCSL В дар

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.