Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Буферы и драйверы часов - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна - МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Колист. Каналов Wremape@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГИСКИЯ ТИП ИК В. Logiчeskayavy Я ASTOTA (MMAKS) Колист Вес Веса Кргителнь ТОК Колист Вес Колиствоистенн Весна кондигионирований Fmax-Min Maks i (ol) Проп. ЗAdErжKA@nom-sup Я ТОТ КРЕВО Wshod Колиствоиртировананна Колиствот
8523BGILFT 8523bgilft Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 1,2 ММ ROHS COMPRINT 6,5 мм 4,4 мм ICON-PBFREE DA Ear99 Сообщите 8542.39.00.01 1 E3 МАНЕВОВО В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 20 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V 30 Н.Квалиирована R-PDSO-G20 8523 ВОДЕЛЕЙС 4 Deferenenцialnый mryks 1,6 млн 0,05 млн 20
854058AGLFT 854058Aglft Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 1,2 ММ ROHS COMPRINT 7,8 мм 4,4 мм Сообщите 8542.39.00.01 1 E3 МАНЕВОВО В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 24 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V 30 Додер Н.Квалиирована R-PDSO-G24 Мультипрор 1 8 24
889874AKLFT 889874aklft Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 ММ ROHS COMPRINT 3 ММ 3 ММ Диапа -экл: oT -2,375V oDO -3,465 Сообщите 8542.39.00.01 1 E3 МАГОВОЙ В дар Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 16 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,63 В. 2.375V 30 Н.Квалиирована S-XQCC-N16 889874 ВОДЕЛЕЙС 2 DIFERENцIAL 2000 мг 16
85311AMI 85311ami Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 1,75 мм ROHS COMPRINT 4,9 мм 3,9 мм ICON-PBFREE DA Ear99 Вы Сообщите 8542.39.00.01 1 E3 МАНЕВОВО В дар Дон Крхлоп 260 2,5 В. 1,27 ММ 8 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 2.625V 2.375V 30 ЧASы -DrAйVERы 2,5/3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G8 85311 ВОДЕЛЕЙС 2 DIFERENцIAL 2.1 2.1 0,02 млн 8
859S1601BGILF 859S1601BGILF Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT Сообщите В дар Дон Крхлоп 0,635 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С ЧASы -DrAйVERы 2,5/3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G28 28
858012AKLF 858012aklf Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT Сообщите 8542.39.00.01 В дар Квадран NeT -lederStva 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С ЧASы -DrAйVERы 2,5/3,3 В. Н.Квалиирована S-PQCC-N16 16
889834AKLFT 889834aklft Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 3 1 ММ ROHS COMPRINT 3 ММ 3 ММ Rerжim ecl: vcc = 0v c vee = -3,63v до -2,375V Сообщите 8542.39.00.01 1 E3 МАНЕВОВО В дар Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 16 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,63 В. 2.375V 30 ЧASы -DrAйVERы 2,5/3,3 В. Н.Квалиирована S-XQCC-N16 889834 ВОДЕЛЕЙС 4 Мультинг 4 16
853016AMLF 853016AMLF Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 1,75 мм ROHS COMPRINT 4,9 мм 3,9 мм Rerжim ecl: vcc = 0v c vee = -3v o -5,5 Сообщите 8542.39.00.01 1 E3 МАГОВОЙ В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 1,27 ММ 8 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,5 В. 30 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 853016 ВОДЕЛЕЙС 1 DIFERENцIAL 8
85108AGI 85108agi Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 1,2 ММ В 7,8 мм 4,4 мм Icon-pbfree no Ear99 not_compliant 8542.39.00.01 1 E0 Олово/Свине (SN85PB15) В дар Дон Крхлоп 225 3,3 В. 0,65 мм 24 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,63 В. 2,97 30 ЧASы -DrAйVERы 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G24 85108 ВОДЕЛЕЙС 8 DIFERENцIAL 500 мг 3 млн 0,08 млн 24
854210CYLFT 854210cylft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 3 1,6 ММ ROHS COMPRINT 7 мм 7 мм ICON-PBFREE DA Сообщите 8542.39.00.01 2 E3 МАНЕВОВО В дар Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,8 мм 32 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V 30 ЧASы -DrAйVERы 3,3 В. Н.Квалиирована S-PQFP-G32 854210 ВОДЕЛЕЙС 5 DIFERENцIAL 0,28 м 32
ICS8304AMI ICS8304AMI Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 1,75 мм В 4,9 мм 3,9 мм Icon-pbfree no not_compliant 8542.39.00.01 1 E0 Олово/Свине (SN85PB15) В дар Дон Крхлоп 240 3,3 В. 1,27 ММ 8 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V 30 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 8304 ВОДЕЛЕЙС 4 Станода 3,7 млн 0,06 м 8
ICS8516FYI ICS8516FYI Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1,6 ММ В 7 мм 7 мм Icon-pbfree no not_compliant 8542.39.00.01 1 E0 Олейнн В дар Квадран Крхлоп 240 3,3 В. 0,5 мм 48 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V 20 Н.Квалиирована S-PQFP-G48 8516 ВОДЕЛЕЙС 3-шТат 16 DIFERENцIAL 2,4 млн 0,065 м 48
889872AKLF 889872aklf Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 3 1 ММ ROHS COMPRINT 3 ММ 3 ММ Сообщите 8542.39.00.01 1 E3 МАНЕВОВО В дар Квадран NeT -lederStva 260 2,5 В. 0,5 мм 16 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 2.625V 2.375V 30 ЧASы -DrAйVERы 2,5 В. Н.Квалиирована S-XQCC-N16 889872 ВОДЕЛЕЙС 3 DIFERENцIAL 2000 мг 0,75 млн 16
IDT74FCT20807PYI IDT74FCT20807PYI Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 CMOS 1,99 мм В 7,2 мм 5,3 мм Icon-pbfree no not_compliant 8542.39.00.01 1 E0 Олово/Свине (SN85PB15) В дар Дон Крхлоп 225 2,5 В. 0,65 мм 20 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 2,7 В. 2,3 В. 30 ЧASы -DrAйVERы 2,5 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G20 Фт ВОДЕЛЕЙС 10 Станода 0,008 а 3,5 млн 3,5 млн 0,15 млн 20
853052AMLFT 853052AMLFT Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 1,75 мм ROHS COMPRINT 4,9 мм 3,9 мм Rerжim ecl: vcc = 0v s vee = ot -2,375v do -5,5v Сообщите 8542.39.00.01 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 2,5 В. 1,27 ММ 8 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,5 В. 2.375V 30 Додер Н.Квалиирована R-PDSO-G8 85305 Мультипрор 1 2 8
8521BYILFT 8521ByIlft Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 3 1,6 ММ ROHS COMPRINT 7 мм 7 мм ICON-PBFREE DA Ear99 Сообщите 8542.39.00.01 1 E3 МАНЕВОВО В дар Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,8 мм 32 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V 30 ЧASы -DrAйVERы 1,83,3 В. Н.Квалиирована S-PQFP-G32 8521 ВОДЕЛЕЙС 9 Deferenenцialnый mryks 1,8 млн 32
855011AGLFT 855011Aglft Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1,1 мм ROHS COMPRINT 3 ММ 3 ММ Сообщите 8542.39.00.01 1 E3 МАГОВОЙ В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 8 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,8 В. 2.375V 30 Н.Квалиирована S-PDSO-G8 855011 ВОДЕЛЕЙС 2 DIFERENцIAL 8
8521BYILF 8521byilf Ингеррованая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 3 1,6 ММ ROHS COMPRINT 7 мм 7 мм ICON-PBFREE DA Ear99 Сообщите 8542.39.00.01 1 E3 МАНЕВОВО В дар Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,8 мм 32 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V 30 ЧASы -DrAйVERы 1,83,3 В. Н.Квалиирована S-PQFP-G32 8521 ВОДЕЛЕЙС 9 Deferenenцialnый mryks 1,8 млн 32
SY10H841LZHTR SY10H841LZHTR Микл
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT SOIC 3,3 В. 3,6 В. 16 1 3,2 млн Пероводжик 3.1 м 160 мг -3ma 24ma Пекл
8P791208NLGI 8p791208nlgi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 3 В 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 12 32 в дар 900 мкм E3 Олово (sn) 260 32 Nukahan ВОДЕЛЕЙС
TC74VHCT541AFTELKM TC74VHCT541AFTELKM Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2009 /files/toshiba-tc74vhct541aftelkm-datasheets-4660.pdf TSSOP 5,5 В. 4,5 В. 20 Не Nerting 8 1 Бер 14 млн 8 -8ma 8 май 4 мка 8
SY10H646LJZTR SY10H646LJZTR Микл
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT /files/micrel-sy10h646ljztr-datasheets-4628.pdf LCC 1 160 мг В
49FCT806SOG8 49FCT806SOG8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-49fct806sog8-datasheets-4630.pdf SOIC 20 7 5,25 В. 4,75 В. Ear99 Оло E3 Дон Крхлоп Коммер ЧASы -DrAйVERы 2 Н.Квалиирована 0,064 а 5,6 млн Lvttl
74FCT807CTQG 74FCT807CTQG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-74fct807ctqg-datasheets-4622.pdf QSOP 8,7 мм 3,8 мм СОУДНО ПРИОН 20 7 5,25 В. 4,75 В. 20 в дар 1,47 мм Ear99 Оло 1 20 май E3 Дон Крхлоп 260 0,635 мм 20 Коммер Nukahan ЧASы -DrAйVERы 1 Н.Квалиирована Фт ВОДЕЛЕЙС 3,5 млн 100 мг 10 5 Мка 0,048 а 0,35 млн В
85356AGILFT 85356Agilft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2007 /files/integrateddevicetechnology-85356Agilft-datasheets-4620.pdf TSSOP 6,5 мм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 20 7 3,6 В. 20 в дар 1 ММ Ear99 Оло 2 E3 Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 20 Промлэнно 30 ЧASы -DrAйVERы 2 Н.Квалиирована 85356 ВОДЕЛЕЙС 900 мг 2 1,45 млн 0,15 млн LVDS
5PB1104CMGK 5pb1104cmgk ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 В 2 ММ 2 ММ СОУДНО ПРИОН 12 8 в дар 500 мкм E3 Олово (sn) 260 8 30
74FCT20807QGI8 74FCT20807QGI8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-74fct20807qgi8-datasheets-4615.pdf QSOP 8,7 мм 3,8 мм 2,5 В. СОУДНО ПРИОН 20 7 2,7 В. 2,3 В. 20 в дар 1,47 мм Ear99 Оло Не 1 E3 Дон Крхлоп 260 2,5 В. 0,635 мм 20 Промлэнно ЧASы -DrAйVERы 1 Фт ВОДЕЛЕЙС 3,5 млн 166 мг 10 100NA 0,008 а Lvttl
49FCT806SOG 49fct806sog ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-49fct806sog-datasheets-4598.pdf SOIC 20 7 5,25 В. 4,75 В. 20 Ear99 Оло E3 Дон Крхлоп Коммер ЧASы -DrAйVERы 2 Н.Квалиирована 5,6 млн 10 5 Мка 0,064 а Lvttl
ICS9112AG-27 ICS9112AG-27 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2005 /files/integrateddevicetechnology-ics9112ag27-datasheets-4593.pdf TSSOP 4,4 мм 3 ММ 8 не 1 E0 Олейнн Дон Крхлоп Nukahan 3,3 В. 0,65 мм 8 Промлэнно 3,6 В. Nukahan 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 140 мг 3-шТат 4 3,8 млн ЧaSы
49FCT806PYG 49fct806pyg ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS 1,99 мм ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-49fct806pyg-datasheets-4557.pdf SSOP 7,2 мм 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 20 8 5,25 В. 4,75 В. 20 в дар 1,73 мм Ear99 Оло 2 E3 Дон Крхлоп 260 0,65 мм 20 Коммер 30 ЧASы -DrAйVERы 2 Н.Квалиирована Фт ВОДЕЛЕЙС 5,6 млн 10 5 Мка 3-шТат 0,064 а 0,7 м Lvttl 5

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.