Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактБерги иривр
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | Статус жIзnennogogo цikla | PBFREE CODE | Толсина | Колист | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Конец | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | МЕСТОД УПАКОККИ | Колист | Н. | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Полаяня | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Колист | Подкейгория | Vodnana polarnostaph | Питания | Колист | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | Смерть | ЛОГИСКИЯ ТИП ИК | Уровина Скринина | Колист | Втипа | В. | Nagruзka emcostath | Logiчeskayavy | Я | ASTOTA (MMAKS) | Колист | Вес | Веса | Кргителнь ТОК | Power Dissipation-Max | Вес | Колиствоистенн | Весна кондигионирований | Maks i (ol) | ТИП | На nanapravyenee -o | Проп. ЗAdErжKA@nom-sup | Я | ТОТ КРЕВО | Wshod | Колиствоиртировананна | Raboshyй цikl (mmaks) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ICS8547AY | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | LQFP | 7 мм | 7 мм | 48 | 48 | не | RabothototeTpripriposque 3,3 В | 6 | E0 | Олейнн | Квадран | Крхлоп | 240 | 3,3 В. | 0,5 мм | 48 | Drugoй | 3.465V | 20 | 1 | Н.Квалиирована | ВОДЕЛЕЙС | 1,5 -е | 2 | 0,25 млн | LVDS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICS83026BMI-01LFT | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2012 | /files/integrateddevicetechnology-ics83026bmi01lft-datasheets-4161.pdf | SOIC | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | в дар | Ear99 | 1 | E3 | МАНЕВОВО | Дон | Крхлоп | 260 | 3,3 В. | 8 | Промлэнно | 3.465V | 30 | ЧASы -DrAйVERы | 3,3 В. | 1 | Н.Квалиирована | R-PDSO-G8 | 83026 | ВОДЕЛЕЙС | 350 мг | 3-шТат | 2 | LVDS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8530dylft | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Лю | 3 | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | 2007 | /files/integrateddevicetechnology-8530dylft-datasheets-4149.pdf | LQFP | 7 мм | 7 мм | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 48 | 7 | 3.465V | 3.135V | 48 | в дар | 1,4 мм | Ear99 | ТОКА | Оло | 1 | E3 | Квадран | Крхлоп | 260 | 3,3 В. | 0,5 мм | 48 | Коммер | Nukahan | ЧASы -DrAйVERы | 1 | Н.Квалиирована | 8530 | ВОДЕЛЕЙС | 2 млн | 500 мг | 32 | 0,05 млн | LVDS | 53 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74FCT3807SQGI | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 1 | 105 ° С | -40 ° С | CMOS | 17272 мм | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/integrateddevicetechnology-74fct3807sqgi-datasheets-4145.pdf | QSOP | 8,7 мм | 3,8 мм | СОУДНО ПРИОН | 20 | 7 | 3.465V | 1,71 В. | 20 | в дар | 1,47 мм | Оло | 8542.39.00.01 | 1 | E3 | Дон | Крхлоп | 260 | 1,8 В. | 0,635 мм | 20 | Промлэнно | 30 | Фт | ВОДЕЛЕЙС | 10 | Станода | 4,5 млн | 0,065 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962R1320501VXA | Analog Devices, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 125 ° С | -55 ° С | В | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 3,63 В. | 2.375V | 16 | С.И. | 380 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICS854210CYLF | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 | 85 ° С | -40 ° С | 1,6 ММ | ROHS COMPRINT | 2003 | /files/integrateddevicetechnology-ics854210cylf-datasheets-4137.pdf | LQFP | 7 мм | 7 мм | 32 | в дар | 2 | E3 | МАНЕВОВО | Квадран | Крхлоп | 260 | 3,3 В. | 0,8 мм | 32 | Промлэнно | 3.465V | 3.135V | 30 | 2 | Н.Квалиирована | ВОДЕЛЕЙС | 2 гер | 5 | CML | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY74FCT244CTSOC | Cypress Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | 2,65 мм | В | 12,8 мм | 7,5 мм | 20 | 2 | Питани О. | not_compliant | 8542.39.00.01 | 2 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | В дар | Дон | Крхлоп | 5в | 1,27 ММ | 20 | Промлэнно | 85 ° С | -40 ° С | 5,25 В. | 4,75 В. | Верный Аатер -/Приоэратхики | Исиннн | 5в | Н.Квалиирована | R-PDSO-G20 | Фт | Восточный | 4 | 50pf | 3-шТат | 0,064 а | Клшит | 4,1 м | 4,1 м | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SNJ54LS368AJ | Тел | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | 125 ° С | -55 ° С | В | ROHS COMPRINT | Постепок | 19,56 мм | 5,08 мм | 6,92 мм | 5в | СОДЕРИТС | 16 | 5,5 В. | 4,5 В. | 16 | Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) | 4,57 мм | 2 | Ear99 | ОДНА -ФУНКИЯ СД | Не | Трубка | 2 | Иртировани | Дон | 5в | 16 | ВОЗДЕЛАН | 2 | Верный Аатер -/Приоэратхики | 5в | Лаурет | Восточный | MIL-PRF-38535 | 4 | В | 45pf | Бер | 45 м | 6 | -1ma | 12ma | 3-шТат | Клшит | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 18 млн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74fct3807spygi8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 1 | 105 ° С | -40 ° С | CMOS | 1,99 мм | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/integrateddevicetechnology-74fct3807spygi8-datasheets-4098.pdf | SSOP | 7,2 мм | 5,3 мм | СОУДНО ПРИОН | 20 | 3.465V | 1,71 В. | 20 | в дар | 1,73 мм | Оло | 8542.39.00.01 | 1 | E3 | Дон | Крхлоп | 260 | 1,8 В. | 0,65 мм | 20 | Промлэнно | 30 | Фт | ВОДЕЛЕЙС | 10 | Станода | 4,5 млн | 0,065 м | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8530dylf | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | 2007 | /files/integrateddevicetechnology-8530dylf-datasheets-4090.pdf | LQFP | 7 мм | 7 мм | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 48 | 7 | 3.465V | 3.135V | 48 | в дар | 1,4 мм | Ear99 | ТОКА | Оло | 1 | E3 | Квадран | Крхлоп | 260 | 3,3 В. | 0,5 мм | 48 | Коммер | Nukahan | ЧASы -DrAйVERы | 1 | Н.Квалиирована | 8530 | ВОДЕЛЕЙС | 2 млн | 500 мг | 32 | 0,05 млн | LVDS | 53 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NB100LVEP221FA | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -40 ° С | Эkl | 1,7 ММ | ROHS COMPRINT | LQFP | 10 мм | 10 мм | СОДЕРИТС | 52 | 3,8 В. | 2.375V | 52 | Rerжim necl: vcc = 0v c vee = -2,375v do -3,8 | Не | 8542.39.00.01 | 1 | E0 | Olovo/strineц (sn80pb20) | В дар | Квадран | Крхлоп | 240 | 2,5 В. | 0,65 мм | 52 | Промлэнно | 30 | ЧASы -DrAйVERы | -2,5/-3,3/2,5/3,3 | 100LVE | ВОДЕЛЕЙС | 20 | Deferenenцialnый mryks | 0,71 м | 0,05 млн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICS854054Aglf | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 1 | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2004 | /files/integrateddevicetechnology-ics854054aglf-datasheets-4086.pdf | TSSOP | 5 ММ | 4,4 мм | 16 | в дар | 1 | E3 | МАНЕВОВО | Дон | Крхлоп | 260 | 3,3 В. | 0,65 мм | 16 | Промлэнно | 3.465V | 30 | Додер | 1 | Н.Квалиирована | 854054 | Мультипрор | 2,8 -е | 1 | 0,7 м | CML | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT5V2310PGG8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | TSSOP | 24 | 1 | 200 мг | Lvttl | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74fct3807spygi | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 1 | 105 ° С | -40 ° С | CMOS | 1,99 мм | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/integrateddevicetechnology-74fct3807spygi-datasheets-4029.pdf | SSOP | 7,2 мм | 5,3 мм | СОУДНО ПРИОН | 20 | 7 | 3.465V | 1,71 В. | 20 | в дар | 1,73 мм | Оло | 8542.39.00.01 | 1 | E3 | Дон | Крхлоп | 260 | 1,8 В. | 0,65 мм | 20 | Промлэнно | 30 | Фт | ВОДЕЛЕЙС | 10 | Станода | 4,5 млн | 0,065 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICS85401AKLF | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | Жeleзnodoroжnый/truebka | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2007 | /files/integrateddevicetechnology-ics85401aklf-datasheets-4019.pdf | 3 ММ | 3 ММ | 3,3 В. | 16 | 3.465V | 3.135V | 16 | в дар | 1 | E3 | МАГОВОЙ | Квадран | NeT -lederStva | 260 | 3,3 В. | 0,5 мм | 16 | Промлэнно | Nukahan | Додер | 1 | Н.Квалиирована | Мультипрор | 2,5 -е | 1 | 0,46 м | Lvttl | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-8775901MSA | Тел | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | Жeleзnodoroжnый/truebka | 125 ° С | -55 ° С | CMOS | ROHS COMPRINT | 13,09 мм | 2,45 мм | 6,92 мм | 5в | СОДЕРИТС | 20 | 5,5 В. | 4,5 В. | 20 | Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) | 1,84 мм | 2 | Ear99 | Свине, олово | Не | 2 | Иртировани | Дон | Плоски | 5в | 20 | ВОЗДЕЛАН | 2 | Восточный | 5в | Квалигированан | Дельфан | Восточный | 4 | 11,5 млн | 50pf | Бер | 11,5 млн | 8 | -24ma | 24ma | 4 мка | 3-шТат | Клшит | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 9,5 млн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 854105agilf | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 1 | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2007 | /files/integrateddevicetechnology-854105agilf-datasheets-4008.pdf | TSSOP | 5 ММ | 4,4 мм | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 16 | 7 | 3.465V | 3.135V | 16 | в дар | 1 ММ | Ear99 | Оло | 1 | E3 | Дон | Крхлоп | 260 | 3,3 В. | 16 | Промлэнно | 30 | ЧASы -DrAйVERы | 1 | Н.Квалиирована | 5в | ВОДЕЛЕЙС | 1,75 млн | 1,75 млн | 250 мг | 259 875 м | 4 | 0,072 м | Lvttl | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT49FCT805ASO8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | В | 2009 | /files/integrateddevicetechnology-idt49fct805aso8-datasheets-4009.pdf | SOIC | 75184 мм | 20 | Мониторинвода; МАКСИМАЛАНСКАЯ | not_compliant | 2 | E0 | Олово/Свине (SN85PB15) | Дон | Крхлоп | 225 | 5в | 20 | Коммер | 4,75 В. | 30 | ЧASы -DrAйVERы | 5в | 2 | Н.Квалиирована | Фт | ВОДЕЛЕЙС | 50pf | 80 мг | 3-шТат | 5 | 0,064 а | 5,8 млн | 5,3 млн | 0,7 м | Lvttl | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 9dbl411bglf | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 1 | 70 ° С | 0 ° С | 150 мг | ROHS COMPRINT | 2012 | /files/integrateddevicetechnology-9dbl411bglf-datasheets-4001.pdf | TSSOP | 6,5 мм | 4,4 мм | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 20 | 7 | 3.465V | 3.135V | 20 | в дар | 1 ММ | Ear99 | Не | 1 | 20 май | E3 | МАНЕВОВО | Дон | Крхлоп | 260 | 3,3 В. | 0,65 мм | 20 | Коммер | 30 | ЧASы -DrAйVERы | 1 | 5в | ВОДЕЛЕЙС | 3,5 млн | 3,5 млн | 150 мг | 4 | 0,05 млн | HCSL | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 49FCT3805SOGI8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Лю | 1 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | ROHS COMPRINT | 2009 | /files/integrateddevicetechnology-49fct3805sogi8-datasheets-4000.pdf | SOIC | 12,8 мм | 7,6 мм | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 20 | 4 neDe | 3,6 В. | 3В | 20 | в дар | 2,34 мм | Ear99 | Оло | 2 | E3 | Дон | Крхлоп | 260 | 3,3 В. | 20 | Промлэнно | Nukahan | 2 | Фт | ВОДЕЛЕЙС | 5,8 млн | 10 | 10 мк | 3-шТат | 0,6 м | Lvttl | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8530dyi-01lft | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Лю | 3 | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2007 | /files/integrateddevicetechnology-8530dyiiii01lft-datasheets-3999.pdf | 7 мм | 7 мм | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 48 | 7 | 3.465V | 3.135V | 48 | в дар | 1 ММ | Ear99 | Оло | 1 | E3 | Квадран | Крхлоп | 260 | 3,3 В. | 0,5 мм | 48 | Промлэнно | Nukahan | ЧASы -DrAйVERы | 1 | Н.Квалиирована | 8530 | ВОДЕЛЕЙС | 1,35 млн | 500 мг | 32 | 2 млн | 0,075 млн | LVDS | 50 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT74FCT807BTQ8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | ROHS COMPRINT | 2009 | /files/integrateddevicetechnology-idt74fct807btq8-datasheets-3991.pdf | SSOP | 8 6868 ММ | 3937 ММ | 20 | 1 | E0 | Дон | Крхлоп | 225 | 5в | 20 | Коммер | 5,25 В. | 4,75 В. | 30 | ЧASы -DrAйVERы | 5в | 1 | Н.Квалиирована | R-PDSO-G20 | Фт | ВОДЕЛЕЙС | 50pf | 100 мг | 10 | 0,048 а | 3,8 млн | 3,8 млн | 0,5 млн | В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74FCT3807SPGGI8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 1 | 105 ° С | -40 ° С | CMOS | 1,2 ММ | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/integrateddevicetechnology-74fct3807spggi8-datasheets-3982.pdf | TSSOP | 6,5 мм | 4,4 мм | СОУДНО ПРИОН | 20 | 7 | 3.465V | 1,71 В. | 20 | в дар | 1 ММ | Оло | 8542.39.00.01 | 1 | E3 | Дон | Крхлоп | 260 | 1,8 В. | 0,65 мм | 20 | Промлэнно | 30 | Фт | ВОДЕЛЕЙС | 10 | Станода | 4,5 млн | 0,065 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74FCT3807SPGGI | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 1 | 105 ° С | -40 ° С | CMOS | 1,2 ММ | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/integrateddevicetechnology-74fct3807spggi-datasheets-3971.pdf | TSSOP | 6,5 мм | 4,4 мм | СОУДНО ПРИОН | 20 | 7 | 3.465V | 1,71 В. | 20 | в дар | 1 ММ | Оло | 8542.39.00.01 | 1 | E3 | Дон | Крхлоп | 260 | 1,8 В. | 0,65 мм | 20 | Промлэнно | 30 | Фт | ВОДЕЛЕЙС | 10 | Станода | 4,5 млн | 0,065 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8530dyi-01lf | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2007 | /files/integrateddevicetechnology-8530dyiiiii01lf-datasheets-3968.pdf | По 3 | 7 мм | 7 мм | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 48 | 7 | 3.465V | 3.135V | 48 | в дар | 1 ММ | Ear99 | Оло | Не | 1 | E3 | Квадран | Крхлоп | 260 | 3,3 В. | 0,5 мм | 48 | Промлэнно | ЧASы -DrAйVERы | 1 | 8530 | ВОДЕЛЕЙС | 1,35 млн | 1,35 млн | 500 мг | 32 | 2 млн | 0,075 млн | LVDS | 50 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICS8534AY-01LF | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 85 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | 64 | в дар | Ear99 | 1 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | Квадран | Крхлоп | 260 | 3,3 В. | 0,5 мм | 64 | Drugoй | 3.465V | 30 | ЧASы -DrAйVERы | 3,3 В. | 1 | Н.Квалиирована | S-PQFP-G64 | 8534 | ВОДЕЛЕЙС | 500 мг | 22 | 3 млн | 3 млн | CML | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 49fct3805py8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Лю | 1 | CMOS | ROHS COMPRINT | SSOP | 3,3 В. | 20 | 3,6 В. | 3В | Не | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свине (SN85PB15) | В дар | Дон | Крхлоп | 3,3 В. | 0,635 мм | Коммер | 70 ° С | ЧASы -DrAйVERы | R-PDSO-G20 | 0,024 а | 5,8 млн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 853S013AMILF | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 1 | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2007 | /files/integrateddevicetechnology-853s013amilf-datasheets-3934.pdf | SOIC | 12,8 мм | 7,6 мм | СОУДНО ПРИОН | 20 | 7 | 20 | в дар | 2,34 мм | Ear99 | Оло | 2 | E3 | Дон | Крхлоп | 260 | 3,3 В. | 20 | Промлэнно | 3,8 В. | 30 | ЧASы -DrAйVERы | 2 | Н.Квалиирована | 853s | ВОДЕЛЕЙС | 2 гер | 3 | 0,46 м | 0,44 м | 0,06 м | CML | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74FCT3807SNDGI8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 1 | 105 ° С | -40 ° С | CMOS | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/integrateddevicetechnology-74fct3807sndgi8-datasheets-3932.pdf | 3 ММ | 3 ММ | СОУДНО ПРИОН | 20 | 7 | 3.465V | 1,71 В. | 20 | в дар | 1 ММ | Оло | 8542.39.00.01 | 1 | E3 | Квадран | NeT -lederStva | 260 | 1,8 В. | 0,4 мм | 20 | Промлэнно | 30 | Фт | ВОДЕЛЕЙС | 10 | Станода | 4,5 млн | 0,065 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICS853310AVLF | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 85 ° С | -40 ° С | 4,57 мм | ROHS COMPRINT | 2003 | /files/integrateddevicetechnology-ics853310avlf-datasheets-3918.pdf | LCC | 28 | в дар | Rerжim ecl: vcc = 0v c vee = -3v o -3,8 | 1 | E3 | МАГОВОЙ | Квадран | J Bend | 260 | 3,3 В. | 28 | Промлэнно | 3,8 В. | 3В | Nukahan | 1 | Н.Квалиирована | S-PQCC-J28 | ВОДЕЛЕЙС | 2 гер | 8 | 0,95 млн | 0,05 млн | CML |
