Берги иривр

Сознание	Проиджодель	Колист	Raзmer (lxwxh)	Статус	Управый	Упако	Вернояж	МАКСИМАЛЕН	Мин	Тела	ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	Опуликовано	Техниль	PakeT / KORPUES	Делина	Вес	Шyrina	Опресагионе	СОУДНО ПРИОН	Колист	Верна	МАССА	МАКСИМАЛНА	МИНАПРЕЗА	Колист	Статус жIзnennogogo цikla	PBFREE CODE	Толсина	Колист	КОД ECCN	Доленитейн Ая	Конец	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	HTS -KOD	МЕСТОД УПАКОККИ	Колист	КОД JESD-609	ТЕРМИНАЛЕН	Полаяня	Пефер	Терминала	Терминаланая	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Поседл	ТЕМПЕРАТУРА	Raboч -ytemperatura (мин)	PoSta	Posta	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Колист	Подкейгория	Питания	Колист	Кваликакахионн Статус	КОД JESD-30	Смерть	ЛОГИСКИЯ ТИП ИК	Уровина Скринина	Колист	ИНЕРФЕРА	Втипа	В.	Nagruзka emcostath	Logiчeskayavy	Я	ASTOTA (MMAKS)	Колист	Вес	Веса	Кргителнь ТОК	UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS	Колист	Power Dissipation-Max	МАКСИМАЛНА РУБОБЕР	Вес	Колиствоистенн	Весна кондигионирований	Maks i (ol)	ТИП	На nanapravyenee -o	Проп. ЗAdErжKA@nom-sup	Я	ТОТ КРЕВО	Wshod	Perviчnы чasы/kriestalkyskaya-astota-noma	Взёрт, а я
IDT49FCT3805BSOGI8	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	2009	/files/integrateddevicetechnology-idt49fct3805bsogi8-datasheets-3917.pdf	SOIC			7,5 мм			20							в дар			Ear99							2	E3	МАНЕВОВО			Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		20	Промлэнно		3,6 В.	3В	30		ЧASы -DrAйVERы	3,3 В.	2	Н.Квалиирована		Фт	ВОДЕЛЕЙС									166 мг									3-шТат	10					5 млн		0,6 м	Lvttl
87001BG-01LFT	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	Лю	1	70 ° С	0 ° С				ROHS COMPRINT	2007	/files/integrateddevicetechnology-87001bg01lft-datasheets-3909.pdf	TSSOP	5 ММ		4,4 мм		СОУДНО ПРИОН	16			3.465V	2.375V	16		в дар	1 ММ		Ear99	Rabotatet napostarawх 3,3 a.						1	E3	МАНЕВОВО			Дон	Крхлоп	260	2,5 В.		16	Коммер				Nukahan		ЧASы -DrAйVERы	2,5/3,3 В.	1	Н.Квалиирована			ВОДЕЛЕЙС									250 мг									3-шТат	1						5 млн		Lvttl
8525bglf	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер		1	70 ° С	0 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	2005	/files/integrateddevicetechnology-8525bglf-datasheets-3908.pdf	TSSOP	6,5 мм		4,4 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН	20	7		3.465V	3.135V	20		в дар	1 ММ		Ear99		Оло					1	E3				Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,65 мм	20	Коммер				Nukahan		ЧASы -DrAйVERы		1	Н.Квалиирована		8525	ВОДЕЛЕЙС									266 мг										4							0,035 млн	Lvttl
853S011Cmilf	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер		1	85 ° С	-40 ° С		24ma		ROHS COMPRINT	2007	/files/integrateddevicetechnology-853s011cmilf-datasheets-3904.pdf	SOIC	4,9 мм	1,5 мм	3,9 мм		СОУДНО ПРИОН	8	7	540.001716mg	3,8 В.	2.375V	8		в дар	1,5 мм		Ear99		Оло					1	E3				Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		8	Промлэнно				30		ЧASы -DrAйVERы		1	Н.Квалиирована			ВОДЕЛЕЙС								330 с	2,5 -е	2							52 %							0,345 млн			CML
74FCT3807SNDGI	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер		1	105 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	1999	/files/integrateddevicetechnology-74fct3807sndgi-datasheets-3896.pdf		3 ММ		3 ММ		СОУДНО ПРИОН	20	12		3.465V	1,71 В.	20		в дар	1 ММ				Оло			8542.39.00.01		1	E3				Квадран	NeT -lederStva	260	1,8 В.	0,4 мм	20	Промлэнно				30							Фт	ВОДЕЛЕЙС																			10	Станода					4,5 млн	0,065 м
TC7WG126FK (TE85L, F)	Toshiba	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0			Лю				CMOS			ROHS COMPRINT			SSOP						8					8								Не			Лю	1			Nerting	В дар	Дон	Крхлоп			0,5 мм		Промлэнно	-40 ° С					Верный Аатер -/Приоэратхики	1,2/3,3 В.					Восточный		2				30pf	Бер											3-шТат			0 0003 А.	В.
IDT74FCT38075DCI	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	2009	/files/integrateddevicetechnology-idt74fct38075dci-datasheets-3877.pdf	SOIC	49276 ММ		3937 ММ			8																	1	E0				Дон	Крхлоп	240	3,3 В.		8	Промлэнно		3,6 В.	3В	20		ЧASы -DrAйVERы	3,3 В.	1	Н.Квалиирована	R-PDSO-G8	Фт	ВОДЕЛЕЙС									166 мг										5					3 млн	3 млн		Lvttl
ICS853017AM	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1	85 ° С	-40 ° С			2,65 мм	ROHS COMPRINT	2004	/files/integrateddeviceTechnology-ICS853017AM-datasheets-3873.pdf	SOIC	12,8 мм		7,5 мм			20							не				Rerжim ecl: vcc = 0v c vee = ot -2,375v do -5,25v						4	E0	Олово/Свине (SN85PB15)			Дон	Крхлоп	225	3,3 В.	1,27 ММ	20	Промлэнно		5,25 В.	2.375V	30				4	Н.Квалиирована	R-PDSO-G20	853017	ВОДЕЛЕЙС									2 гер										1								CML
MPC905DR2	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Веса	1	70 ° С	0 ° С	CMOS			В			SOIC	9,9 мм		3,9 мм		СОДЕРИТС	16					16					Ear99				not_compliant				E0	Олово/Свинен (SN/PB)			Дон	Крхлоп	220	3,3 В.		16	Коммер		3,3 В.	3В	30				1	Н.Квалиирована												100 мг					ЧAsOWOйGENERATOR													Кришалл	50 мг	50 мг
JM38510/33203bra	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Чereз dыru	Жeleзnodoroжnый/truebka		125 ° С	-55 ° С	В			ROHS COMPRINT			Постепок	24,2 ММ	5,08 мм	6,92 мм	5в	СОДЕРИТС	20			5,5 В.	4,5 В.	20	Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад)		4,57 мм	2				Не				2			Nerting		Дон			5в		20	ВОЗДЕЛАН					2						F/bыstro	Восточный		4		В	8,5 млн		Бер	8,5 млн		8	-12ma	48 май						3-шТат			0,064 а
5P30017NDGI8	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)		85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	2005	/files/integrateddevicetechnology-5p30017ndgi8-datasheets-3860.pdf	DFN					СОУДНО ПРИОН	6	7		3,6 В.	1,71 В.	6					Ear99							1					Дон	NeT -lederStva	Nukahan	1,8 В.	0,4 мм		Промлэнно				Nukahan				1			5 с										200 мг									3-шТат	2						5 млн	0,05 млн	ЧaSы
MAX9321EUA+T.	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1	85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT			Umax											8					Ear99								E3						260								30											Смотрейк				Прриэмник		3 гер						1												Lvpecl
8530DY-01LFT	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)		70 ° С	0 ° С				ROHS COMPRINT	2004	/files/integrateddevicetechnology-8530dy01lft-datasheets-3845.pdf	LQFP	7 мм		7 мм			48					48		в дар			Ear99							1	E3	МАГОВОЙ			Квадран	Крхлоп	260	3,3 В.	0,5 мм	48	Коммер		3.465V		30		ЧASы -DrAйVERы	3,3 В.	1	Н.Квалиирована		8530	ВОДЕЛЕЙС									500 мг										16					2 млн	2 млн	0,075 млн	LVDS
ICS853016AGLF	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		3	85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	2004	/files/integrateddevicetechnology-ics853016aglf-datasheets-3837.pdf	TSSOP	3 ММ		3 ММ			8							в дар				Rerжim ecl: vcc = 0v c vee = -3v o -5,5						1	E3	МАНЕВОВО			Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,65 мм	8	Промлэнно		5,5 В.	3В	30		ЧASы -DrAйVERы	+-3,3/+-5 В.	1	Н.Квалиирована	S-PDSO-G8		ВОДЕЛЕЙС									3 гер										1								CML
ICS853011CGLF	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		3	85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	2004	/files/integrateddevicetechnology-ics853011cglf-datasheets-3794.pdf	TSSOP	3 ММ		3 ММ			8							в дар				Rerжim ecl: oT -2,375V oDO -3,8 vpri vcc = 0V			НЕИ			1	E3	МАНЕВОВО			Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,65 мм	8	Промлэнно		3,8 В.	2.375V	30		ЧASы -DrAйVERы	2,5/3,3 В.	1	Н.Квалиирована	S-PDSO-G8		ВОДЕЛЕЙС									2,5 -е										2					0,345 млн	0,33 м		CML
5P30017NDGI	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер			85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	2005	/files/integrateddevicetechnology-5p30017ndgi-datasheets-3792.pdf	DFN					СОУДНО ПРИОН	6	7		3,6 В.	1,71 В.	6					Ear99							1					Дон	NeT -lederStva	Nukahan	1,8 В.	0,4 мм		Промлэнно				Nukahan				1			5 с										200 мг									3-шТат	2						5 млн	0,05 млн	ЧaSы
IDT74FCT3807SOI	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	2009	/files/integrateddevicetechnology-idt74fct3807soi-datasheets-3789.pdf	SOIC						20																	1	E0				Дон	Крхлоп	225	3,3 В.		20	Промлэнно		3,6 В.	3В	30		ЧASы -DrAйVERы	3,3 В.	1	Н.Квалиирована	R-PDSO-G20	Фт	ВОДЕЛЕЙС									100 мг									3-шТат	10		0,024 а			4,8 млн	4,8 млн	0,6 м	Lvttl
PI49FCT2805BTQEX	Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0				1	85 ° С	-40 ° С	CMOS		1,75 мм	ROHS COMPRINT			QSOP	8,65 мм		39116 ММ	5в		20			5,25 В.	4,75 В.	20		в дар			Ear99			Не		8542.39.00.01		2	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)		В дар	Дон	Крхлоп	260	5в	0,635 мм	20	Промлэнно				40		ЧASы -DrAйVERы	5в				Фт	ВОДЕЛЕЙС						50pf		5 млн		10						500 м		3 СОСТИВАЙНА С СЕРИГИНГИ		ШMITTTTTTTTTT	0,064 а			6,2 млн
49FCT3805QGI8	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	Лю	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	2009	/files/integrateddevicetechnology-49fct3805qgi8-datasheets-3768.pdf	QSOP	8,7 мм		3,8 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН	20	4 neDe		3,6 В.	3В	20		в дар	1,47 мм		Ear99		Оло					2	E3				Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		20	Промлэнно				Nukahan				2			Фт	ВОДЕЛЕЙС								5,8 млн		10			10 мк					3-шТат								0,6 м	Lvttl
ICS853001AGLF	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер			85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	2004	/files/integrateddevicetechnology-ics853001aglf-datasheets-3757.pdf	TSSOP	3 ММ		3 ММ			8							в дар				Rerжim ecl: vcc = 0v c vee = ot -2,375v do -5,25v			НЕИ			1	E3	МАГОВОЙ			Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,65 мм	8	Промлэнно		5,25 В.	2.375V	Nukahan				1	Н.Квалиирована	S-PDSO-G8		ВОДЕЛЕЙС									2,5 -е										1						0,5 млн		CML
Idt74fct807btsog8	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	70 ° С	0 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	2009	/files/integrateddevicetechnology-idt74fct807btsog8-datasheets-3750.pdf	SOIC						20							в дар			Ear99							1	E3	МАНЕВОВО			Дон	Крхлоп	260	5в		20	Коммер		5,25 В.	4,75 В.	30		ЧASы -DrAйVERы	5в	1	Н.Квалиирована	R-PDSO-G20	Фт	ВОДЕЛЕЙС									100 мг										10		0,048 а			3,8 млн	3,8 млн	0,5 млн	В
74FCT38075SCMGI	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер		1	105 ° С	-40 ° С	CMOS		0,55 мм	ROHS COMPRINT	1999	/files/integrateddevicetechnology-74fct38075scmgi-datasheets-3741.pdf		2 ММ		2 ММ		СОУДНО ПРИОН	8	7		3.465V	1,71 В.	8		в дар	500 мкм				Оло					1	E3				Дон	NeT -lederStva	260	1,8 В.	0,5 мм	8	Промлэнно				Nukahan		ЧASы -DrAйVERы			Н.Квалиирована		Фт	ВОДЕЛЕЙС																		3-шТат	5	Станода	0,025 а			4,5 млн	4,5 млн	0,065 м
ICS556M-04I	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	1999	/files/integrateddevicetechnology-ics556m04i-datasheets-3726.pdf	SOIC	4,9 мм		3,9 мм			8							не			Ear99	Rabothotet pri 3,3 -и 5 -й.							E0				Дон	Крхлоп	240	2,5 В.		8	Промлэнно		2.625V	2.375V	30			2.5/5	1	Н.Квалиирована	R-PDSO-G8											27 мг																		ЧaSы	27 мг
ICS85108agilf	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер			85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT			TSSOP																																										1													500 мг																		LVDS
8305agi-02lft	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	2007	/files/integrateddevicetechnology-8305agi02lft-datasheets-3722.pdf	TSSOP	5 ММ		4,4 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН	16			3.465V	3.135V	16		в дар	1 ММ		Ear99			Не				1	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)			Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		16	Промлэнно						ЧASы -DrAйVERы		1			8305	ВОДЕЛЕЙС									250 мг								60 %	3-шТат	4					3,2 млн	3,2 млн		Lvttl
SNJ54LS367AJ	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Чereз dыru			125 ° С	-55 ° С	В			ROHS COMPRINT			Постепок	19,56 мм	5,08 мм	6,92 мм	5в	СОДЕРИТС	16			5,5 В.	4,5 В.	16	Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад)		4,57 мм	2	Ear99	ОДНА -ФУНКИЯ СД	Свине, олово	Не			Трубка	1			Nerting		Дон			5в		16	ВОЗДЕЛАН					2	Верный Аатер -/Приоэратхики	5в				Лаурет	Восточный	MIL-PRF-38535	6		В	40 млн	45pf	Бер	40 млн		6	-1ma	12ma						3-шТат				Клшит	ОДНОАНАПРАВЛЕННА
ICS85105Agilf	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1	85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	2012	/files/integrateddevicetechnology-ics85105agilf-datasheets-3705.pdf	TSSOP	6,5 мм		4,4 мм			20							в дар			Ear99							1	E3	МАНЕВОВО			Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,65 мм	20	Промлэнно		3,63 В.	2,97	30				1	Н.Квалиирована	R-PDSO-G20		ВОДЕЛЕЙС									500 мг										4								Lvttl
8305AGI-02LF	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер		1	85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	2007	/files/integrateddevicetechnology-8305agi02lf-datasheets-3699.pdf	TSSOP	5 ММ		4,4 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН	16			3.465V	3.135V	16		в дар	1 ММ		Ear99		Оло					1	E3				Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		16	Промлэнно				Nukahan		ЧASы -DrAйVERы		1	Н.Квалиирована		8305	ВОДЕЛЕЙС									250 мг									3-шТат	4					3,2 млн	3,2 млн		Lvttl
49FCT805CTQG8	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	Лю	1	70 ° С	0 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	2009	/files/integrateddevicetechnology-49fct805ctqg8-datasheets-3695.pdf	QSOP	8,7 мм		3,8 мм	5в	СОУДНО ПРИОН	20	7		5,5 В.	4,5 В.	20		в дар	1,47 мм		Ear99		Оло						E3				Дон	Крхлоп	260	5в	0,635 мм	20	Коммер				Nukahan		ЧASы -DrAйVERы	5в	2	Н.Квалиирована											5 млн		10			5 Мка								0,048 а						Lvttl
49fct805sogi	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер		1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	2009	/files/integrateddevicetechnology-49fct805sogi-datasheets-3694.pdf	SOIC	12,8 мм		7,6 мм	5в	СОУДНО ПРИОН	20	7		5,25 В.	4,75 В.	20		в дар	2,34 мм		Ear99		Оло	Не				2	E3				Дон	Крхлоп	260	5в		20	Промлэнно				30		ЧASы -DrAйVERы	5в	2			Фт									8 млн		10			5 Мка					3-шТат			0,064 а			5,6 млн		0,7 м	Lvttl

Берги иривр

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии