Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Регуляторы напряжения постоянного тока - электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee Колист МАКСИМАЛНА Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -ytemperatura (мин) Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 МАКСИМАЛНГАН МАКСИМАЛНА Мон МИНА ИНЕРФЕРА В конце концов Втипа Logiчeskayavy Колист Кргителнь ТОК Vodnaver -koanfiguraцian Napryaneece-nom Napryaneeneee (мин) Power Dissipation-Max ТОПОЛОГЯ Синронн Эfektywsth Rerжim upravlenipe Техника КОНГИГУРИЯ КОММУТАТОРА В конце ТОК - В.О. ASTOTA - PREREKLючENEEEE
TPS62320DRCRG4 TPS62320DRCRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 25.089328mg 10 Ear99 ЗOLOTO 1 E4 В дар Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм 10 Промлэнно Перегребейни Nukahan Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована 500 май 5,4 В. 2,7 В. 600 м Rerhulyruemый 1 86 Мка Poloshitelnый 3,6 В. В дар 93 % Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 5,4 В. 500 май 3 мг
ISL85005AFRZ-T7A ISL85005AFRZ-T7A Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Весели ROHS COMPRINT 1999 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl85005afrzt7a-datasheets-8983.pdf 5 nedely E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Nukahan 12 Nukahan Смотрейк 3,2 мая 5A
MC33063AD MC33063AD На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С БИПОЛНА 100 kgц ROHS COMPRINT 2004 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-mc33063ad-datasheets-8627.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 230,4 м НЕТ SVHC 8 USTAREL (poslegedniй obnownen: 1 декабря) не Ear99 1 40 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 235 8 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 40 1,25 Rerhulyruemый 1 Не Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Buck-boost 40 1,5а 100 ГГ
ISL78208ARZ-T7A ISL78208ARZ-T7A Intersil (Renesas Electronics America) $ 7,06
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 105 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl78208arzt7a-datasheets-8580.pdf Qfn 11 nedely 28 26 4,5 В. 800 м Rerhulyruemый 2 Poloshitelnый В дар 3A 2 мг
SP6669CEK-L/TRR3 SP6669CEK-L/TRR3 Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 (neograniчennnый) CMOS ROHS COMPRINT SOT-23-5 2,9 мм 5 5 в дар Ear99 RaboTATOT -kra -reraotryr ldo 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 5 Промлэнно -40 ° С Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована 1,5 В. Зaikcyrovannnый 1 3,6 В. 2,7 В. ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ БАК 1,5 В.
EL7535IYZ-T13 EL7535IYZ-T13 Intersil (Renesas Electronics America) $ 1,89
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-el7535izt13-datasheets-8517.pdf MSOP 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 5 nedely 10 Ear99 Не 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 0,5 мм 10 Промлэнно Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv 350 май 2,5 В. Rerhulyruemый 1 3,3 В. В дар 94 % Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 350 май 1,6 мг
ISL9108IRZ-T ISL9108irz-T Intersil (Renesas Electronics America) $ 11,24
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl9108irzt-datasheets-8484.pdf DFN 2 ММ 950 мкм 3 ММ 5,5 В. 8 9 nedely 37.393021 м 8 Ear99 Otakжe nastroithith spoMOщH ю pfm Не 1 5,5 В. E3 МАНЕВОВО Дон 260 0,5 мм 8 Промлэнно Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv 1,5а 2,7 В. Rerhulyruemый 1 17 Мка 3,6 В. В дар 95 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ БАК 5,5 В. 1,5а 1,75 мг
SP6661EN-L Sp6661en-l Exar Corporation $ 8,67
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Весели 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С CMOS 170 ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 1,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 НЕИ 5,3 В. 1,5 В. 8 в дар Ear99 Не 1 5,3 В. 10 май E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 8 Промлэнно ПЕРЕКЛЕНННАКОН 40 471 м Drugie -analogowыe ecs 200 май -1,5 В. 1,5 В. -5,3 В. Rerhulyruemый 1 471 м Пефан, я УДОН 10 В 200 май 900 kgц
TPS60210DGSG4 TPS60210DGSG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT VSSOP 3 ММ 1,02 мм 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 18.795734mg 3,6 В. 1,8 В. 10 Ear99 Не 1 3,6 В. 2 мкс E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 0,5 мм 10 Промлэнно Пероклэннн Drugie -analogowыe ecs 100 май 3,47 В. 1,8 В. 3,17 В. 3,3 В. Зaikcyrovannnый 1 35 Мка 2,4 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU 3,3 В. 100 май 300 kgц
ICL7660CBA ICL7660CBA Intersil (Renesas Electronics America) $ 0,55
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 1995 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-icl7660cba-datasheets-7975.pdf SOIC 5 ММ 1,5 мм 4 мм СОДЕРИТС 8 7 540.001716mg 8 Ear99 Не 1 10 В E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 Коммер ПЕРЕКЛЕНННАКОН Drugie -analogowыe ecs Rerhulyruemый Иртировани 1 SPOSOBSTWOWATH ROOSTU УДОН -10 45 май 10 кг
ISL6546IRZ ISL6546IRZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер ROHS COMPRINT 2010 ГОД https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl6546irz-datasheets-7637.pdf DFN В дар 1.2a 1,5 мг
ZL2103ALAF Zl2103Alaf Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 2 (1 годы) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2004 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-zl2103alaf-datasheets-7627.pdf Qfn 6 мм 6 мм 14 36 Ear99 Не 1 14 E3 МАНЕВОВО Квадран 260 0,5 мм 36 Промлэнно Перегребейни 30 Rugholotrpereklючeniv S-PQCC-N36 3A 4,5 В. Rerhulyruemый 1 12 В дар 91 % Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 5,5 В. 3A 1 мг
SP6641AEK-L-5-0/TR Sp6641aek-l-5-0/tr Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT SOT-23-5 СОУДНО ПРИОН 5 5 в дар Ear99 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 5 Промлэнно -40 ° С Ятая КОНРОЛЕРЕР 40 Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована 175ma Зaikcyrovannnый 1 1,3 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU ТЕКУХИЙСРЕЙМ Ипулфян
ISL78206AVEZ-T7A ISL78206AVEZ-T7A Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 105 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2013 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl78206avezt7a-datasheets-7448.pdf 5,5 В. 6 НЕИ 40 20 40 38В 800 м Rerhulyruemый 1 Poloshitelnый Оба 38В 2.5A 2,2 мг
TPS62005DGSG4 TPS62005DGSG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С МИГ ROHS COMPRINT VSSOP 3 ММ 3 ММ 5,5 В. СОДЕРИТС 10 23.700201mg 10 не Ear99 Техника Не 1 5,5 В. В дар Дон Крхлоп 260 0,5 мм 10 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 600 май 1,8 В. 1,8 В. Rerhulyruemый, Фиксированан 1 50 мк Poloshitelnый 3,6 В. В дар 95 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ БАК 1,8 В. 600 май 750 кг
TL497AIDG4 Tl497aidg4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT SOIC 8,65 мм 158 ММ 3,91 мм 12 СОУДНО ПРИОН 14 122,413241 м 14 Ear99 Не 1 12 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 14 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 500 май 30 4,5 В. -25V 1,2 В. Rerhulyruemый 1 11ma Flayback, Sepic 60 % Rershym naprahenyna Ипулфян Buck-boost 30 500 май 50 kgц
ISL8024IRTAJZ-T7 ISL8024IRTAJZ-T7 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl8024irtajzt7-datasheets-7330.pdf 7 2,7 В. 16 Ear99 5,5 В. E3 МАНЕВОВО 16 Перегребейни 2,7 В. Rerhulyruemый 1 В дар 5,5 В. 4 а 4,2 мг
ISL8023IRTAJZ-T7 ISL8023IRTAJZ-T7 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2012 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl8023irtajzt7-datasheets-7234.pdf 7 2,7 В. 16 Ear99 5,5 В. E3 МАНЕВОВО 16 Перегребейни 2,7 В. Rerhulyruemый 1 В дар 5,5 В. 3A 4,2 мг
TPS54357PWPRG4 TPS54357PWPRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 2 (1 годы) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT HTSSOP EP 5 ММ 4,4 мм 20 СОУДНО ПРИОН 16 62 709145 м 16 Ear99 Не 1 20 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 0,65 мм 16 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 3A 6,65 В. Зaikcyrovannnый 1 9ma Poloshitelnый 12 В дар Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 3A 500 kgц
ISL9104AIRUNZ-T ISL9104AIRUNZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С 0,55 мм ROHS COMPRINT 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl9104airunzt-datasheets-6650.pdf 1,6 ММ СОУДНО ПРИОН 6 5 nedely 6 Ear99 Tykhe ymeotmetod yapravynipe pfm Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Квадран 260 0,5 мм 6 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 500 май 2,7 В. 0,8 В. Зaikcyrovannnый 1 32 Мка 3,6 В. В дар 93 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ БАК 3,3 В. 500 май 4,3 мг
ISL78201AVEZ-T7A ISL78201AVEZ-T7A Intersil (Renesas Electronics America) $ 5,69
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 105 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2013 /files/intersil-isl78201avezt7a-datasheets-6426.pdf TSSOP 5,5 В. 14 НЕИ 40 20 40 20 38В 800 м Rerhulyruemый 1 Poloshitelnый Buck-boost Оба 38В 2.5A 2,2 мг
SP6661EN-L/TR Sp6661en-l/tr Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC N. 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 5,3 В. 1,5 В. 8 в дар Ear99 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 8 Промлэнно ПЕРЕКЛЕНННАКОН 40 Drugie -analogowыe ecs Н.Квалиирована 200 май Rerhulyruemый 1 Пефан, я УДОН 10 В
ISL78236ARZ-T ISL78236ARZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 105 ° С -40 ° С 30 май ROHS COMPRINT 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl78236arzt-datasheets-5685.pdf Qfn 18 2,85 В. 24 Не 24 2,85 В. 1,2 В. Rerhulyruemый 2 30 мк Poloshitelnый В дар 95 % 3A 2,5 мг
TPS61016DGSG4 TPS61016DGSG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT VSSOP 3 ММ 3 ММ 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 10 23.700201mg 10 Ear99 Не 1 3,3 В. E4 Ngecely palladyй В дар Дон Крхлоп 260 0,5 мм 10 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 3,3 В. 800 м 3,3 В. 3,3 В. Зaikcyrovannnый 1 50 мк 1,2 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 95 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ 3,3 В. 200 май 500 kgц
ISL78236ARZ ISL78236ARZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 (neograniчennnый) 105 ° С -40 ° С 30 май ROHS COMPRINT 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl78236arz-datasheets-5572.pdf Qfn СОУДНО ПРИОН 18 2,85 В. 24 Ear99 Не E3 МАНЕВОВО 260 24 Перегребейни 40 2,85 В. 1,2 В. Rerhulyruemый 2 30 мк Poloshitelnый В дар 95 % 3A 2,5 мг
ISL9110IRTNZ-T7A ISL9110IRTNZ-T7A Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С 0,8 мм ROHS COMPRINT 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl9110irtnzt7a-datasheets-5516.pdf DFN 3 ММ 3 ММ 5,5 В. 12 6 Ear99 Tykhe ymeotmetod yapravynipe pfm Не 1 5,5 В. E3 МАНЕВОВО Дон 0,4 мм 12 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 1.2a 1,8 В. 3,3 В. 3,3 В. Зaikcyrovannnый 1 35 Мка Poloshitelnый 3,6 В. Buck-boost В дар 95 % Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ 3,3 В. 1.2a 2,5 мг
ISL78113AARAZ-T7A ISL78113AARAZ-T7A Intersil (Renesas Electronics America) 158 долларов
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) 105 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2004 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl78113aarazt7a-datasheets-5503.pdf DFN СОУДНО ПРИОН 6 37.393021 м 800 м 8 Ear99 Не 4,7 В. E3 МАНЕВОВО 260 8 Перегребейни 40 500 май 5,2 В. 800 м Rerhulyruemый 1 1 Млокс Poloshitelnый SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 95 % 5,2 В. 1A 2 мг
ISL78113AARAZ-T ISL78113AARAZ-T Intersil (Renesas Electronics America) 4,81 доллар
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) 105 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl78113aarazt-datasheets-5420.pdf DFN 3 nede 37.393021 м 800 м 8 Ear99 Не 4,7 В. E3 МАНЕВОВО 8 Перегребейни 500 май 5,2 В. 800 м Rerhulyruemый 1 1 Млокс Poloshitelnый SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 95 % 5,2 В. 1A 2 мг
SP6651AER-L/TR SP6651AER-L/TR Exar Corporation $ 0,34
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT DFN СОУДНО ПРИОН 10 800 май Rerhulyruemый 1 5,5 В.
ICL7660SCPAZ ICL7660SCPAS Intersil (Renesas Electronics America) $ 1,36
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА PorхnoStnoe krepleplenieene чereherehereherehere of otwerstiee Весели 70 ° С 0 ° С CMOS 35 ROHS COMPRINT 1995 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-icl7660scpaz-datasheets-4991.pdf Окунаан 10,16 ММ 4,95 мм 7,11 мм СОУДНО ПРИОН 180 мка 8 7 930.006106MG НЕТ SVHC 12 1,5 В. 8 Ear99 Не 1 12 180a E3 МАНЕВОВО Дон 2,54 мм Коммер ПЕРЕКЛЕНННАКОН Drugie -analogowыe ecs 45 май -1,5 В. 1,5 В. -12V Rerhulyruemый, Фиксированан Иртировани 1 Пефан, я УДОН 22,8 В. 20 май 10 кг

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.