Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Регуляторы напряжения постоянного тока - электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee Найналайно Колист МАКСИМАЛНА Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 МАКСИМАЛНГАН МАКСИМАЛНА Мон МИНА В конце концов Втипа Logiчeskayavy Найналайно Колист Кргителнь ТОК Vodnaver -koanfiguraцian Napryaneece-nom Power Dissipation-Max ТОПОЛОГЯ Синронн МАКСИМАЛНА РУБОБЕР Эfektywsth Rerжim upravlenipe Техника КОНГИГУРИЯ КОММУТАТОРА В конце ТОК - В.О. ASTOTA - PREREKLючENEEEE
ISL8024AIRTAJZ-T7A ISL8024Airtajz-T7a Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2012 /files/intersil-isl8024airtajzt7a-datasheets-6080.pdf&product=intersilrenesaselectronicsamerica-isl8024airtajzt7a-17628001 QFN EP 3 ММ 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 16 8 16 Ear99 5,5 В. E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 0,5 мм 16 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована 4 а 5,5 В. 2,7 В. 600 м Rerhulyruemый 1 50 мк Poloshitelnый В дар 95 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ 5,5 В. 4 а 4 мг
ACT4528YH-T ACT4528YH-T Актио-Сэми
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2013 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/activesemi-act4528yht-datasheets-5947.pdf 10 nedely 36 4,5 В. 12.1V 1 Poloshitelnый В дар 3A 125 кг
ISL8023IRTAJZ-T7A ISL8023IRTAJZ-T7A Intersil (Renesas Electronics America) $ 6,45
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Веса 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2012 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl8023irtajzt7a-datasheets-5844.pdf Qfn 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 16 7 2,7 В. 16 Ear99 5,5 В. E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 0,5 мм 16 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована 3A 2,7 В. Rerhulyruemый 1 50 мк В дар 95 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ 5,5 В. 3A 4 мг
TPS54873PWPG4 TPS54873PWPG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 2 (1 годы) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT HTSSOP EP 9,7 мм 1,15 мм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 28 118.501007mg 28 Ear99 Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 0,65 мм 28 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 8. 3,3 В. 4 900 м Rerhulyruemый 1 11ma 4,5 В. В дар Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 3,3 В. 8. 762 К.ц
ISL8023AIRTAJZ-T7A ISL8023AIRTAJZ-T7A Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Веса 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl8023airtajzt7a-datasheets-5697.pdf QFN EP 3 ММ 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 16 7 16 Ear99 5,5 В. E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 0,5 мм 16 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована 3A 2,7 В. Rerhulyruemый 1 50 мк В дар 95 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ 5,5 В. 3A 4 мг
SP6660EN-L Sp6660en-l Exar Corporation $ 7,09
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC 3,9 мм 1,6 В. СОУДНО ПРИОН 4,25 В. 1,5 В. 8 4,5 В. 400 мк 200 май Rerhulyruemый Иртор 1 471 м ЗAraDnый naSos Не 8,5 В. 200 май 80 kgц
XR76120EL-F Xr76120el-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 125 ° С -40 ° С 0,9 мм ROHS COMPRINT Qfn 6 мм 5 ММ 16 16 в дар ТАКА ОПРТС 3-22 В.С. ТАКА O/P oT 0,6в. 1 22 Квадран NeT -lederStva Автомобиль Перегребейни 22 4,5 В. 600 м Rerhulyruemый 1 Poloshitelnый 12 В дар ТЕКУХИЙСРЕЙМ БАК 20 часов 1 мг
SP6654EU-L SP6654EU-L Exar Corporation $ 0,33
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT MSOP СОУДНО ПРИОН 10 Не 800 май 2,7 В. Rerhulyruemый 1 В дар 100 % 98 % 800 май
SP6654ER-L Sp6654er-l Exar Corporation $ 8,91
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 10 в дар Ear99 1 5,5 В. E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм 10 Промлэнно Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована 800 май 1 3,6 В. Rershym naprahenyna Ипулфян БАК 800 май
ACT4070BYH-T Act4070byh-t Актио-Сэми
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/activesemi-act4070byht-datasheets-4923.pdf 30 12 808 м Rerhulyruemый 1 Poloshitelnый В дар 3A 300 kgц
SP6652ER-L Sp6652er-l Exar Corporation $ 1,22
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT DFN 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 10 Не 5,5 В. 1A 2,85 В. Rerhulyruemый 1 В дар 97 % 1A 1,4 мг
ISL97536IUZ-TK ISL97536IUZ-TK Intersil (Renesas Electronics America) $ 6,11
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 2 (1 годы) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2002 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl97536iuztk-datasheets-4866.pdf MSOP 3 ММ 860 мкм 3 ММ 10 8 143.193441mg 10 Ear99 Оло Не 1 E3 Дон Крхлоп 260 0,5 мм 10 Промлэнно Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv 1A 2,5 В. Rerhulyruemый 1 500 мк 3,3 В. В дар 95 % Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 1A 1,4 мг
ISL9113SII9Z-T ISL9113SII9Z-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT
ACT4527YH-T ACT4527YH-T Актио-Сэми
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2012 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/activesemi-act4527yht-datasheets-4737.pdf 36 4,5 В. 12.1V Зaikcyrovannnый 1 Poloshitelnый В дар 3A 125 кг
SP6651AEU-L SP6651AEU-L Exar Corporation $ 0,85
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT MSOP 3 ММ 950 мкм 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 5,5 В. 800 май 2,7 В. 800 м Rerhulyruemый 1 В дар 100 % 96 % 800 май
SP6648EU-L SP6648EU-L Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 (neograniчennnый) SMD/SMT 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT MSOP 3 ММ 950 мкм 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 НЕИ 4,5 В. 700 м 10 в дар Ear99 МОЖЕТ РЕБОТАТ 1 4,5 В. E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 0,5 мм 10 Промлэнно Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована 400 май 5,5 В. 700 м 2,5 В. Rerhulyruemый, Фиксированан 1 Poloshitelnый 2,6 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 92 % Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ 3,3 В. 400 май
SP6648ER-L Sp6648er-l Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT DFN СОУДНО ПРИОН 10 4,5 В. 400 май 1 SPOSOBSTWOWATH ROOSTU 5,5 В. 400 май
SP6641BEK-L-5-0 SP6641BEK-L-5-0 Exar Corporation $ 0,34
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Весели 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOT-23-5 3,1 мм 1,3 мм 1,75 мм СОУДНО ПРИОН 5 29,993795 м НЕИ 5 в дар Ear99 Не 3,3 В. 1 4,5 В. E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 5 Промлэнно Ятая КОНРОЛЕРЕР 40 Rugholotrpereklючeniv 500 май 5,2 В. 900 м Зaikcyrovannnый 1 Poloshitelnый 1,3 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 87 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ Ипулфян 500 май
SP6641BEK-L-3-3 SP6641BEK-L-3-3 Exar Corporation $ 0,47
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Весели 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOT-23 3,1 мм 1,3 мм 1,75 мм СОУДНО ПРИОН 5 НЕИ 5 в дар Ear99 2,6 В. 1 4,5 В. E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 5 Промлэнно Ятая КОНРОЛЕРЕР 40 Н.Квалиирована 500 май 500 м 3,3 В. Зaikcyrovannnый 3,3 В. 1 Poloshitelnый 1,3 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар ТЕКУХИЙСРЕЙМ Ипулфян 3,3 В. 500 май
SP6641AEK-L-5-0 SP6641AEK-L-5-0 Exar Corporation $ 0,42
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Весели 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOT-23 3,1 мм 1,3 мм 1,75 мм СОУДНО ПРИОН 5 НЕИ 5 в дар Ear99 Не 1 4,5 В. E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 5 Промлэнно Ятая КОНРОЛЕРЕР 40 Rugholotrpereklючeniv 175ma 900 м Rerhulyruemый, Фиксированан 1 1,3 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 87 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ Ипулфян 100 май
SP6641AEK-L-3-3 SP6641AEK-L-3-3 Exar Corporation $ 0,29
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Весели 1 (neograniчennnый) SMD/SMT 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOT-23 3,1 мм 1,3 мм 1,75 мм СОУДНО ПРИОН 5 НЕИ 4,5 В. 500 м 5 в дар Ear99 1,3 В. 1 4,5 В. E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 5 Промлэнно Ятая КОНРОЛЕРЕР 40 Н.Квалиирована 190 май 3,44 В. 500 м 3,3 В. Зaikcyrovannnый 3,3 В. 1 Poloshitelnый 1,3 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 87 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ Ипулфян 3,3 В. 90 май
TPS61029DRCRG4 TPS61029DRCRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 3 ММ 3 ММ 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 10 26.109911mg 10 Ear99 Не 1 5,5 В. 25 мк E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон 260 0,5 мм 10 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 1,5а 5,5 В. 900 м 1,8 В. Rerhulyruemый 1 25 мк Poloshitelnый 1,2 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 96 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ 5,5 В. 600 май 600 kgц
ACT4525YH-T ACT4525YH-T Актио-Сэми
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2015 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/activesemi-act4525yht-datasheets-3584.pdf 10 nedely 36 4,5 В. 5,1 В. Зaikcyrovannnый 1 Poloshitelnый В дар 3.5a 125 кг
TPS62207DBVRG4 TPS62207DBVRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOT-23 2,9 мм СОУДНО ПРИОН 5 13.012431mg 5 Ear99 Rershym pfm tochepepenepenepene Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 5 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 300 май 2,5 В. 1,2 В. Зaikcyrovannnый 1 15 Мка Poloshitelnый 3,6 В. В дар 95 % Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 1,2 В. 300 май 1 мг
ISL97519IUZ ISL97519iuz Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 5 105 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl97519iuz-datasheets-2295.pdf&product=intersilrenesaselectronicsamerica-isl97519iuz-17225294 MSOP 3 ММ 860 мкм 3 ММ 5,5 В. 8 139,989945 м 8 в дар Ear99 Не 1 5,5 В. E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 0,65 мм 8 Промлэнно Перегребейни 30 Rugholotrpereklючeniv 1A 2,3 В. 12 Rerhulyruemый 1 3,3 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ 25 В 1A 1,2 мг
ISL9103IRUWZ-T ISL9103IRUWZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С 0,55 мм ROHS COMPRINT 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl9103iruwzt-datasheets-2176.pdf 1,6 ММ 6 6 Ear99 ТЕГИНКА ПФМ Rugholyrue -of -oadonoe anprayeseenee odo 0,8 Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон 260 0,5 мм 6 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 500 май 2,7 В. 1,2 В. 1,2 В. Зaikcyrovannnый 1 Poloshitelnый 3,6 В. В дар 95 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ БАК 1,2 В. 500 май 2,4 мг
ISL9107IRZ-T ISL9107irz-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl9107irzt-datasheets-2136.pdf&product=intersilrenesaselectronicsamerica-isl9107irzt-17208782 DFN 3 ММ 2 ММ 5,5 В. 8 9 nedely Ear99 Otakжe nastroithith spoMOщH ю pfm Не 1 5,5 В. E3 МАНЕВОВО Дон 260 0,5 мм 8 Промлэнно Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv R-PDSO-N8 1,5а 2,7 В. Rerhulyruemый 1 17 Мка 3,6 В. В дар 95 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ БАК 5,5 В. 1,5а 1,6 мг
ISL9103AIRUBZ-T ISL9103Airubz-T Intersil (Renesas Electronics America) $ 2,02
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С 0,55 мм ROHS COMPRINT 2002 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl9103airubzt-datasheets-2063.pdf 1,6 ММ 6 6 Ear99 ТЕГИНКА ПФМ Rugholyrue -of -oadonoe anprayeseenee odo 0,8 Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон 260 0,5 мм 6 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 500 май 2,7 В. 1,5 В. 1,5 В. Зaikcyrovannnый 1 32 Мка Poloshitelnый 3,6 В. В дар 95 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ БАК 1,5 В. 500 май 2,4 мг
XRP6670EHTR-F Xrp6670ehtr-f Exar Corporation $ 1,00
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT DFN СОУДНО ПРИОН 10 НЕИ 10 в дар Ear99 5,5 В. E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована 3A 2,6 В. 800 м Rerhulyruemый 1 Poloshitelnый В дар 95 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ 3A 2,5 мг
MB39C326PW-G-EFE1 MB39C326PW-G-EFE1 Cypress Semiconductor
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2014 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemyonductor-mb39c326pwgefe1-datasheets-1911.pdf 5,5 В. 18 НЕТ SVHC 20 Не 5,5 В. 2,5 В. 800 м Rerhulyruemый 1 Poloshitelnый Buck-boost В дар 93 % 800 май 5,8 мг

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.