Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Регуляторы напряжения постоянного тока - электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee Колист МАКСИМАЛНА Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Кваликакахионн Статус МАКСИМАЛНГАН МАКСИМАЛНА Мон МИНА В конце концов Обозначение Втипа Колист Кргителнь ТОК Vodnaver -koanfiguraцian Napryaneece-nom Вес ТОПОЛОГЯ Синронн МАКСИМАЛНА РУБОБЕР Эfektywsth Rerжim upravlenipe Техника КОНГИГУРИЯ КОММУТАТОРА В конце ТОК - В.О. ASTOTA - PREREKLючENEEEE
TPS62300DRCRG4 TPS62300DRCRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 25.089328mg 10 Ear99 Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон 260 0,5 мм 10 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 500 май 5,4 В. 2,7 В. 600 м Rerhulyruemый 1 86 Мка Poloshitelnый 3,6 В. В дар 93 % Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 5,4 В. 500 май 3 мг
TPS54880PWPG4 TPS54880PWPG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 2 (1 годы) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT HTSSOP EP 9,7 мм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 28 118.501007mg 28 Ear99 Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 0,65 мм 28 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 8. 4 Rerhulyruemый 1 11ma 4,5 В. В дар Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 3,3 В. 8. 762 К.ц
SP6654EU-L/TR SP6654EU-L/Tr Exar Corporation $ 0,46
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT MSOP СОУДНО ПРИОН 10 800 май 2,7 В. Rerhulyruemый 1 100 % 98 % 800 май
MC34063ADRG4 MC34063ADRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 72,603129 м 8 не Ear99 Не 1 40 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 8 Коммер Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 750 май 40 1,55 Rerhulyruemый 1 4 май Buck-boost Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ 40 750 май 100 kgц
XRP6657IHBTR-F Xrp6657ihbtr-f Exar Corporation $ 0,37
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С 0,8 мм ROHS COMPRINT DFN EP 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 6 6 в дар Ear99 Не 1 5,5 В. 240 мка E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон 0,95 мм 6 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 2,5 В. Rerhulyruemый 1 В дар 95 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ БАК 600 м 1,5а 1,3 мг
SP7662ER-L Sp7662er-l Exar Corporation $ 9,74
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 3 (168 чASOW) SMD/SMT 125 ° С -40 ° С 300 kgц ROHS COMPRINT DFN 7 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 26 22 26 в дар Ear99 Не 1 22 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон 260 0,5 мм 26 Автомобиль Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv 12A 20.24V 800 м 500 м Rerhulyruemый 1 Poloshitelnый В дар Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 12A 300 kgц
SP7661ER-L SP76611-L Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА SMD/SMT 125 ° С -40 ° С 600 kgц ROHS COMPRINT DFN СОУДНО ПРИОН 22 4,75 В. 26 22 3A 20.24V 4,75 В. 800 м 500 м Rerhulyruemый 1 В дар 20,2 В. 3A 600 kgц
SP7655ER-L SP7655ER-L Exar Corporation $ 5,17
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С 300 kgц ROHS COMPRINT DFN 7 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 26 26 Ear99 ТАКОНЕПНА 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм 26 Промлэнно Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована Rerhulyruemый, Фиксированан 1 В дар Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 27 8. 300 kgц
SP7652ER-L Sp7652er-l Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С 600 kgц 11ma ROHS COMPRINT DFN EP 7 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 26 НЕИ 26 в дар Ear99 ТАК -РАБОТАТОРС Не 1 28 11ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон 260 0,5 мм 26 Промлэнно Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv 6A 27 2,5 В. 800 м Rerhulyruemый 1 В дар 92 % 92 % Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 3,3 В. 6A 600 kgц
SP7651ER-L Sp7651er-l Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT DFN 7 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 26 26 в дар Ear99 RabothotetS -spostamami ot 3 -й. 1 20 E3 МАГОВОЙ Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм 26 Промлэнно Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована 3A 2,5 В. Rerhulyruemый 1 В дар Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 19 3A 900 kgц
SP7650ER-L/TR SP7650ER-L/Tr Exar Corporation $ 1,39
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT DFN 7 мм 950 мкм 4 мм СОУДНО ПРИОН 26 26 в дар Ear99 ТАКОНЕПНА 1 28 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм 26 Промлэнно Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована 3A 2,5 В. 800 м Rerhulyruemый 1 В дар 95 % Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 27 3A 300 kgц
SP6660EN-L/TR Sp6660en-l/tr Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC N. 1,6 В. 4,25 В. 1,5 В. 8 Rerhulyruemый 1 SPOSOBSTWOWATH ROOSTU 8,5 В.
SP7650ER-L SP7650ER-L Exar Corporation $ 13,74
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT DFN 7 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 26 26 в дар Ear99 ТАКОНЕПНА 1 28 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм 26 Промлэнно Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована 3A 27 2,5 В. 800 м Rerhulyruemый 1 Poloshitelnый В дар Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 27 3A 300 kgц
SP6656ER3-L/TR Sp6656er3-l/tr Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT DFN 2,5 мм 2,4 мм 10 10 в дар Ear99 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм 10 Промлэнно 85 ° С -40 ° С Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована Rerhulyruemый 1 3,6 В. 2A Rershym naprahenyna Ипулфян БАК
SP6654ER-L/TR Sp6654er-l/tr Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT DFN 3 ММ 3 ММ 10 10 в дар Ear99 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм 10 Промлэнно Перегребейни 40 Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована 2,7 В. Rerhulyruemый 1 3,6 В. 100 % 98 % Rershym naprahenyna Ипулфян БАК 800 май
SP6652ER-L/TR Sp6652er-l/tr Exar Corporation $ 1,18
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT DFN Rerhulyruemый 1
TPS61010DGSG4 TPS61010DGSG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С 780 кг ROHS COMPRINT VSSOP 3 ММ 1,02 мм 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 23.700201mg НЕТ SVHC 3,3 В. 800 м 10 Ear99 Не 1 3,3 В. E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 0,5 мм 10 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 200 май 3,3 В. 800 м 1,5 В. Rerhulyruemый 1 50 мк 1,2 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 95 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ 3,3 В. 200 май 500 kgц
ISL8502AIRZ ISL8502Airz Intersil (Renesas Electronics America) 2,23 доллара
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Весели 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2004 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl8502airz-datasheets-7458.pdf Qfn 4 мм 850 мкм 4 мм 14 24 6 НЕТ SVHC 24 Ear99 1 14 E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 0,5 мм 24 Промлэнно Перегребейни 30 Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована 2A 14 5,5 В. 600 м Rerhulyruemый 1 12 В дар Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ БАК 14 2A 1,2 мг
ACT4529YH-T0011 ACT4529YH-T0011 Актио-Сэми
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 150 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2015 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/activesemi-act4529yht0011-datasheets-7294.pdf 36 12.1V 1 Poloshitelnый В дар 3A 125 кг
REG71050DRVRG4 Reg71050DRVRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) 85 ° С -40 ° С 0,8 мм ROHS COMPRINT 2 ММ 2 ММ СОУДНО ПРИОН 6 5,5 В. 1,8 В. 6 Ear99 Не 1 5,5 В. E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон 260 6 Промлэнно Пероклэннн Drugie -analogowыe ecs 60 май 2,7 В. Зaikcyrovannnый 1 65 Мка Poloshitelnый 3,25 В. Buck-boost, зaradca nasosa УДОН 60 май 1 мг
ISL9111EHADJZ-T7A ISL9111EHADJZ-T7A Intersil (Renesas Electronics America) $ 1,35
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 (1 годы) 85 ° С -20 ° С ROHS COMPRINT 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl9111ehadjzt7a-datasheets-7102.pdf SOT-23-6 2,9 мм 6 16 6 Ear99 Не 1 5,25 В. E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 0,95 мм 6 Drugoй Перегребейни 240 май 800 м Rerhulyruemый 1 1,2 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 97 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ 5,25 В. 1A 1,2 мг
ISL9111EH50Z-T7A ISL9111EH50Z-T7A Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 2 (1 годы) 85 ° С -20 ° С ROHS COMPRINT 2006 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl9111eh50zt7a-datasheets-6958.pdf SOT-23-6 2,9 мм 6 5 nedely 6 Ear99 Не 1 6,5 В. E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 0,95 мм 6 Drugoй Перегребейни 240 май 800 м Зaikcyrovannnый 1 1,2 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 97 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ 1A 1,2 мг
ISL9111EH33Z-T7A ISL9111EH33Z-T7A Intersil (Renesas Electronics America) $ 1,33
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 2 (1 годы) 85 ° С -20 ° С ROHS COMPRINT 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl9111eh33zt7a-datasheets-6870.pdf SOT-23-6 2,9 мм 6 16 6 Ear99 Не 1 6,5 В. E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 0,95 мм 6 Drugoй Перегребейни 240 май 800 м 3,3 В. Зaikcyrovannnый 1 1,2 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 97 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ 3,3 В. 1A 1,2 мг
ISL9111EH30Z-T7A ISL9111EH30Z-T7A Intersil (Renesas Electronics America) $ 1,25
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 2 (1 годы) 85 ° С -20 ° С ROHS COMPRINT 2004 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl9111eh30zt7a-datasheets-6760.pdf SOT-23-6 2,9 мм 1,75 мм 6 16 6 Ear99 Не 1 2,8 В. E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 0,95 мм 6 Drugoй Перегребейни 240 май 800 м Зaikcyrovannnый 1 1,2 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 97 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ 1A 1,2 мг
ISL9111AEHADJZ-T7A ISL9111AEHADJZ-T7A Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 2 (1 годы) 85 ° С -20 ° С ROHS COMPRINT 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl9111aehadjzt7a-datasheets-6641.pdf SOT-23-6 2,9 мм 1,75 мм СОУДНО ПРИОН 6 16 6 Ear99 Оло Не 1 5,05 E3 Дон Крхлоп 0,95 мм 6 Drugoй Перегребейни 240 май 800 м Rerhulyruemый 1 1,2 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 97 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ 5,25 В. 1A 1,2 мг
ISL9111AEH50Z-T7A ISL9111AEH50Z-T7A Intersil (Renesas Electronics America) $ 1,25
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 2 (1 годы) 85 ° С -20 ° С ROHS COMPRINT 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl9111aeh50zt7a-datasheets-6523.pdf SOT-23-6 2,9 мм 1,75 мм 6 16 6 Ear99 Не 1 4,8 В. E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 0,95 мм 6 Drugoй Перегребейни 240 май 800 м Зaikcyrovannnый 1 1,2 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 97 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ 1A 1,2 мг
ISL9111AEH33Z-T7A ISL9111AEH33Z-T7A Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 2 (1 годы) 85 ° С -20 ° С ROHS COMPRINT 2007 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl9111aeh33zt7a-datasheets-6409.pdf SOT-23-6 2,9 мм 1,75 мм 6 16 6 Ear99 Не 1 3,1 В. E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 0,95 мм 6 Drugoй Перегребейни 240 май 800 м 3,3 В. Зaikcyrovannnый 1 1,2 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 97 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ 3,3 В. 1A 1,2 мг
TPS63001DRCTG4 TPS63001DRCTG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 3 ММ 900 мкм 3 ММ 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 10 26.109911mg НЕИ 10 Ear99 Не 1 5,5 В. E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон 260 0,5 мм 10 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv 1.2a 3,3 В. 1,8 В. 3,3 В. 3,3 В. Зaikcyrovannnый 1 30 мк 3,6 В. Buck-boost В дар 96 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ 3,3 В. 1.2a 1,5 мг
ISL9111AEH30Z-T7A ISL9111AEH30Z-T7A Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 2 (1 годы) 85 ° С -20 ° С ROHS COMPRINT 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl9111aeh30zt7a-datasheets-6287.pdf SOT-23-6 2,9 мм 1,75 мм 6 16 6 Ear99 Не 1 2,8 В. E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 0,95 мм 6 Drugoй Перегребейни 240 май 800 м Зaikcyrovannnый 1 1,2 В. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU В дар 97 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ 1A 1,2 мг
ISL8024IRTAJZ-T7A ISL8024IRTAJZ-T7A Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Веса 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2012 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl8024irtajzt7a-datasheets-6166.pdf Qfn 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 16 7 16 Ear99 5,5 В. E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 0,5 мм 16 Промлэнно Перегребейни Rugholotrpereklючeniv Н.Квалиирована 4 а 2,7 В. Rerhulyruemый 1 50 мк В дар 95 % ТЕКУХИЙСРЕЙМ 5,5 В. 4 а 4 мг

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.