Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС синхронизации линий задержки(1094)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Способ упаковки | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Тип логической микросхемы | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Выходное сопротивление | Задержка распространения | Функция | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Выходные характеристики | Программируемая линия задержки | Общая задержка-ном. (тд) | Максимальный ток источника питания (ICC) | Опора Delay@Nom-Sup | Количество нажатий/шагов | Количество независимых задержек | Задержка до 1-го касания | Доступные общие задержки | Нажмите «Приращение» |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1013S-100+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,67 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,285 мм | 7,5 мм | 16 | EAR99 | ТОЧНОСТЬ ПЕРЕДНЕЙ И ЗАДНЕЙ ТОЧНОСТИ; МАКС. ВЕНТИЛЯТОР ИЗ 10 74LS НАГРУЗКА НА ВЫХОД | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | DS1013 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | истинный | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | КМОП | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Несколько непрограммируемых | НЕТ | 100 нс | 1 | 3 | 100 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1110E-60+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/maximintegrated-ds1110e450-datasheets-6184.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 5В | 14 | 5 недель | 14 | да | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | DS1110 | НЕ УКАЗАН | истинный | Не квалифицированный | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Непрограммируемый | НЕТ | 60 нс | 10 | 1 | 6нс | 60нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1013-40+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,05 мм | 7,62 мм | 14 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 2,54 мм | DS1013 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | истинный | Не квалифицированный | Р-ПДИП-Т14 | КМОП | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Несколько непрограммируемых | НЕТ | 40 нс | 1 | 3 | 40 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1123LE-200+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | БИПОЛЯРНЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/maximintegrated-ds1123le200-datasheets-9073.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 | да | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | DS1123 | НЕ УКАЗАН | Линии задержки | 3,3 В | Не квалифицированный | 1 выстрел, программируемый | ДА | 30 мА | 22 нс | 256 | 1 | 16,5 нс | 510 нс | 2нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1007S-14+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/maximintegrated-ds1007s2-datasheets-6252.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,285 мм | 5В | Содержит свинец | 16 | 16 | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Олово (Вс) | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | DS1007 | 30 | истинный | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Несколько непрограммируемых | НЕТ | 9 нс | 1 | 7 | 7нс | 3 нс ~ 10 нс, 9 нс ~ 40 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-400+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4,75 В~5,25 В | ДС1100 | Непрограммируемый | 5 | 1 | 80нс | 400 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY605JZ ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,7 В | SY605 | Программируемый | 255 | 1 | 4нс | 4 нс ~ 40 нс | 15,7 пс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-75+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 8 | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | ДС1100 | НЕ УКАЗАН | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицированный | Р-ПДИП-Т8 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 50Ом | Непрограммируемый | НЕТ | 75 нс | 5 | 1 | 15нс | 75нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1110S-150+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/maximintegrated-ds1110e450-datasheets-6184.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 5В | Без свинца | 16 | 8 недель | да | EAR99 | е3 | ИНН | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | DS1110 | НЕ УКАЗАН | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицированный | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Непрограммируемый | НЕТ | 150 нс | 10 | 1 | 15нс | 150 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1040Z-D60+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/maximintegrated-ds1040za15-datasheets-6273.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | DS1040 | НЕ УКАЗАН | Линии задержки | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 5В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КМОП/ТТЛ | ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ ГЕНЕРАТОРА ИМПУЛЬСОВ | 1 выстрел, программируемый | ДА | 5 | 1 | 20нс | 60нс | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1110LE-50+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-ds1110le50-datasheets-9026.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 14 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | DS1110L | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Непрограммируемый | НЕТ | 50 нс | 10 | 1 | 5нс | 50 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E195JZ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e195jitr-datasheets-7312.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | 9 недель | 28 | е3 | Матовый олово (Sn) | -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | SY10E195 | 5,5 В | 4,2 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 10Е | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Программируемый | ДА | 3,63 нс | 128 | 1 | 1,39 нс | 1,39 нс ~ 3,63 нс | 20 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1045S-3+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/maximintegrated-ds1045s4-datasheets-6461.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4,75 В~5,25 В | DS1045 | 16-СОИК | Многочисленные, программируемые | 16 | 2 | 9нс | 54нс | 3нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E195FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | 28-LCC (J-вывод) | 11,58 мм | Без свинца | 11,58 мм | 28 | 7 недель | 28 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | MC10E195 | 5,7 В | 4,2 В | 40 | Линии задержки | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -5,2 В | 10Е | АКТИВНАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Программируемый | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | ДА | 3,63 нс | 4,72 нс | 128 | 1 | 1,39 нс | 1,39 нс ~ 3,63 нс | 20 пс | |||||||||||||||||||||||||
| DS1045S-4+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/maximintegrated-ds1045s4-datasheets-6461.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4,75 В~5,25 В | DS1045 | 16-СОИК | Многочисленные, программируемые | 16 | 2 | 9нс | 69нс | 4нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-350+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4,75 В~5,25 В | ДС1100 | Непрограммируемый | 5 | 1 | 70нс | 350 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-150+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 8 | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | ДС1100 | 30 | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицированный | Р-ПДИП-Т8 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 50Ом | Непрограммируемый | НЕТ | 150 нс | 5 | 1 | 30 нс | 150 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E196FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10e196fn-datasheets-8928.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 28 | да | РЕЖИМ NECL: VCC=0 С VEE=-4,2 В ДО -5,7 В | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | MC100E196 | 5,7 В | 4,2 В | 40 | Линии задержки | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | АКТИВНАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Программируемый | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | ДА | 3,63 нс | 4,72 нс | 128 | 1 | 1,39 нс | 1,39 нс ~ 3,63 нс | 20 пс | ||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E195JY ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-sy100e195jitr-datasheets-7312.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | да | ТР | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | SY100E195 | 5,5 В | 4,2 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | S-PQCC-J28 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Программируемый | ДА | 3,63 нс | 128 | 1 | 1,39 нс | 1,39 нс ~ 3,63 нс | 20 пс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-35+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 8 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | ДС1100 | НЕ УКАЗАН | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицированный | Р-ПДИП-Т8 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 50Ом | Непрограммируемый | НЕТ | 35 нс | 5 | 1 | 7нс | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E196JY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 2 (1 год) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e196ji-datasheets-7358.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 11,48 мм | 11,48 мм | 28 | 28 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | SY100E196 | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Программируемый | ДА | 3,63 нс | 7 | 1 | 1,39 нс | 1,39 нс ~ 3,63 нс | 20 пс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-250+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 8 | да | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | ДС1100 | 30 | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицированный | Р-ПДИП-Т8 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 50Ом | Непрограммируемый | НЕТ | 250 нс | 5 | 1 | 50 нс | 250 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-60+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 8 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | ДС1100 | НЕ УКАЗАН | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицированный | Р-ПДИП-Т8 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 50Ом | Непрограммируемый | НЕТ | 60 нс | 60 нс | 5 | 1 | 12нс | 60нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E196FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10e196fn-datasheets-8928.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | да | 4,2 В~5,7 В | MC100E196 | Программируемый | 128 | 1 | 1,39 нс | 1,39 нс ~ 3,63 нс | 20 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-450+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4,75 В~5,25 В | ДС1100 | Непрограммируемый | 5 | 1 | 90 нс | 450 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1013S-25+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,67 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,285 мм | 7,5 мм | 16 | EAR99 | ТОЧНОСТЬ ПЕРЕДНЕЙ И ЗАДНЕЙ ТОЧНОСТИ; МАКС. ВЕНТИЛЯТОР ИЗ 10 74LS НАГРУЗКА НА ВЫХОД | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | DS1013 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | истинный | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | КМОП | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Несколько непрограммируемых | НЕТ | 25 нс | 1 | 3 | 25нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-20+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 8 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | ДС1100 | НЕ УКАЗАН | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицированный | Р-ПДИП-Т8 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 50Ом | Непрограммируемый | НЕТ | 20 нс | 20 нс | 5 | 1 | 4нс | 20нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1045S-4+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/maximintegrated-ds1045s4-datasheets-6461.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | Без свинца | 16 | да | EAR99 | ДВА НЕЗАВИСИМО ПРОГРАММИРУЕМЫХ ВЫХОДА ОТ ОДНОГО ВХОДА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | DS1045 | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицированный | КМОП/ТТЛ | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Многочисленные, программируемые | ДА | 69 нс | 35 мА | 68 нс | 16 | 2 | 9нс | 69нс | 4нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E196FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10e196fn-datasheets-8928.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | не_совместимо | 4,2 В~5,7 В | MC10E196 | Программируемый | 128 | 1 | 1,39 нс | 1,39 нс ~ 3,63 нс | 20 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1020S-15+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/maximintegrated-ds1020s25-datasheets-6327.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 5В | Без свинца | 16 | 16 | Параллельный, последовательный | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | DS1020 | Линии задержки | истинный | 5В | КМОП | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 150 пс | 150 пс | Программируемый | -1 мА | 8мА | ДА | 48,25 нс | 30 мА | 48,25 нс | 256 | 1 | 10 нс | 48,25 нс |
