Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПЛИС(26486)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Количество входов/выходов | Тип | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Скорость | Задержка распространения | Количество выходов | Количество программируемых входов/выходов | Количество регистраторов | Количество входов | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит оперативной памяти | Количество LAB/CLB |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LCMXO3L-4300C-6BG400I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 400-LFBGA | 17 мм | 17 мм | Без свинца | 400 | 8 недель | 400 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO3L-4300 | НЕ УКАЗАН | 335 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-4300C-6BG324I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ЛФБГА | 15 мм | 15 мм | Без свинца | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | 279 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-9400E-5BG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 8 недель | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 206 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| А3П125-2ВКГ100 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | 2мА | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3p600pqg208i-datasheets-5753.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | Содержит свинец | 18 недель | 1575 В | 1,425 В | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 310 МГц | 1425~1575В | А3П125 | 100-ВКФП (14х14) | 4,5 КБ | 71 | 4,5 КБ | 2 | 3072 | 125000 | 1500 | 36864 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| А3П125-2ВК100 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3p600pqg208i-datasheets-5753.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 100 | 18 недель | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 310 МГц | е0 | Оловянный свинец | 1425~1575В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,5 В | 0,5 мм | А3П125 | 30 | 71 | 4,5 КБ | 2 | 3072 | 125000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 36864 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200UHC-5FTG256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 56 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛБГА | 2,5 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | Нет | 323 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | LCMXO2-1200 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | 20,5 КБ | 206 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 207 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HE-5MG132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б132 | 21,3 КБ | 104 | 105 | 105 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000ZE-2MG132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 21,3 КБ | 104 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 105 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200E-3TN144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 500 МГц | 18 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | Нет СВХК | 144 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 18 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO1200 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 113 | СРАМ | 5,1 нс | 5,1 нс | 113 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-25F-7BG381I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 381-ФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1045~1155В | 260 | НЕ УКАЗАН | 197 | 126 КБ | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1032192 | 6000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АГЛ125В5-ВК100И | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИГЛУ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-agl600v5fgg256i-datasheets-6582.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 100 | 10 недель | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | 892,86 МГц | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1425~1575В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 230 | 1,5 В | 0,5 мм | АГЛ125 | 30 | Не квалифицирован | 71 | 4,5 КБ | 125000 | 3072 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 36864 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200C-4FTN256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 21 мА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 550 МГц | 8542.39.00.01 | 21 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,71~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | LCMXO1200 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 211 | СРАМ | 4,4 нс | 4,4 нс | 211 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| A3P060-FG144I | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 231 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3p600pqg208i-datasheets-5753.pdf | 144-ЛБГА | 13 мм | 1,05 мм | 13 мм | 1,5 В | 144 | 18 недель | 400,011771мг | 144 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец/Серебро (Sn/Pb/Ag) | 1425~1575В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,5 В | 1 мм | A3P060 | 30 | 96 | 2,3 КБ | 1536 | 60000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 18432 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-4FTN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | 0°С | 420 МГц | 14 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛБГА | 1,2 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 1,26 В | 1,14 В | 256 | 550 МГц | 14 мА | 1,14 В~1,26 В | LCMXO640 | 256-ФТБГА (17х17) | 159 | СРАМ | 0Б | 4,2 нс | 4,2 нс | 159 | 320 | 640 | 80 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000ZE-1QN84I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 84-VFQFN Двухрядный, открытая колодка | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 68 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000ZE-1TG144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 104 МГц | 124 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | Нет СВХК | 144 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-4000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 27,8 КБ | 114 | ВСПЫШКА | 11,5 КБ | 10,21 нс | 115 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-6900C-6BG324I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ЛФБГА | 15 мм | 15 мм | Без свинца | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO3L-6900 | НЕ УКАЗАН | 279 | 30 КБ | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 858 | 245760 | 858 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HC-6MG132C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 2,5 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 21,3 КБ | 104 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 105 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-5BN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 17 мА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛФБГА, КСПБГА | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 17 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,71~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | LCMXO640 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 159 | СРАМ | 3,5 нс | 159 | 159 | 420 МГц | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HE-6MG132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 21,3 КБ | 104 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 105 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100C-6BG324I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ЛФБГА | 15 мм | 15 мм | Без свинца | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | 279 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000ZE-2MG132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 128 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-4000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б132 | 27,8 КБ | 104 | 105 | 105 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000HC-5MG132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 128 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 2,5 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-4000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 27,8 КБ | 104 | ВСПЫШКА | 11,5 КБ | 105 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-4BN256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 17 мА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛФБГА, КСПБГА | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 17 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,71~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | LCMXO640 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 159 | СРАМ | 4,2 нс | 159 | 159 | 420 МГц | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||
| АГЛ125В5-ФГГ144 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИГЛУ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-agl600v5fgg256i-datasheets-6582.pdf | 144-ЛБГА | 13 мм | 1,05 мм | 13 мм | 1,5 В | 8 недель | 400,011771мг | 1575 В | 1,425 В | 144 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | 892,86 МГц | 1425~1575В | АГЛ125 | 144-ФПБГА (13х13) | 97 | 4,5 КБ | 125000 | 3072 | 36864 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АГЛ060В2-ВК100 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИГЛУ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-agl600v5fgg256i-datasheets-6582.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 2 недели | 1575 В | 1,14 В | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | 892,86 МГц | 1,14 В~1,575 В | АГЛ060 | 100-ВКФП (14х14) | 71 | 2,3 КБ | 60000 | 1536 | 18432 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛФЭ5У-25Ф-8МГ285И | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,3 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 10 мм | 10 мм | 285 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1045~1155В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,1 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б285 | 118 | 3000 КЛБС | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3000 | 1032192 | 6000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-4300C-6BG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | 206 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200C-3BN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 420 МГц | 21 мА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛФБГА, КСПБГА | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,71~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | LCMXO1200 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 211 | СРАМ | 5,1 нс | 5,1 нс | 211 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-5TN144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 14 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 600 МГц | 8542.39.00.01 | 14 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 113 | СРАМ | 0Б | 3,5 нс | 113 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 |
