| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Количество входов/выходов | Тип | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Скорость | Задержка распространения | Количество выходов | Количество регистров | Количество входов | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A3P060-1VQG100I | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 15 мА | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3p600pqg208i-datasheets-5753.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 18 недель | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 272 МГц | 1425~1575В | A3P060 | 2,3 КБ | 71 | 2,3 КБ | 1 | 1536 | 60000 | 660 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 18432 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200HC-6TG144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 56 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 2,5 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 388 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2375~3465В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 17,3 КБ | 107 | ВСПЫШКА | 8 КБ | 108 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200E-3MN132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | 500 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 18 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO1200 | 132 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 101 | СРАМ | 5,1 нс | 101 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200E-3TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 500 МГц | 8542.39.00.01 | 18 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO1200 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 73 | СРАМ | 5,1 нс | 73 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3D-4300ZC-2SG72C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаXO3D | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3d9400hc5bg400c-datasheets-8960.pdf | 72-КФН | 8 недель | 2375~3465В | 58 | 4300 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 538 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-12F-8MG285C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,3 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 10 мм | 10 мм | 285 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1045~1155В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,1 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б285 | 118 | 1500 КЛБС | 12000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1500 | 589824 | 3000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-3FTN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 500 МГц | 14 мА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 14 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO640 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 159 | СРАМ | 0Б | 4,9 нс | 4,9 нс | 159 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HC-5MG132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 2,5 В | Без свинца | 132 | 8 недель | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 132 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б132 | 21,3 КБ | 104 | 105 | 105 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000ZE-2QN84C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 84-VFQFN Двухрядный, открытая колодка | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 68 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-6900C-5BG324I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ЛФБГА | 15 мм | 15 мм | Без свинца | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO3L-6900 | НЕ УКАЗАН | 279 | 30 КБ | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 858 | 245760 | 858 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-25F-7BG381C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 381-ФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1045~1155В | 260 | НЕ УКАЗАН | 197 | 126 КБ | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1032192 | 6000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000ZE-1MG132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 104 МГц | 82 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | Нет СВХК | 132 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 21,3 КБ | 104 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 10,21 нс | 105 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HE-5TG100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 21,3 КБ | 79 | 80 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC2S15-6VQG100C | Компания Xilinx Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Спартан®-II | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc2s155tq144c-datasheets-8899.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 14 мм | 2,5 В | 100 | 10 недель | 100 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375~2,625 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 60 | 2 КБ | 6 | 86 | 15000 | 432 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 432 | 96 | 16384 | 96 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-6900C-5BG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO3L-6900 | НЕ УКАЗАН | 36,8 КБ | 206 | 30 КБ | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 858 | 245760 | 858 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-6SE-6TN144C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 357 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭ2-6 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 90 | 6,9 КБ | 90 | 6000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 56320 | 750 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC2S15-5TQG144C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Спартан®-II | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/xilinxinc-xc2s155tq144c-datasheets-8899.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 1,4 мм | 20 мм | 2,5 В | 144 | 10 недель | 144 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375~2,625 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 86 | 2 КБ | 5 | 86 | 263 МГц | 15000 | 432 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 432 | 96 | 16384 | 96 | 0,7 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| А3ПН125-2ВКГ100 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 нано | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°С~85°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2мА | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3pn250vqg100-datasheets-5523.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 100 | 10 недель | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 350 МГц | 1425~1575В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,5 В | 0,5 мм | А3ПН125 | 40 | 71 | 4,5 КБ | 2 | 3072 | 125000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 36864 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-3BN256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 420 МГц | 17 мА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛФБГА, КСПБГА | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,71~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | LCMXO640 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 159 | СРАМ | 4,9 нс | 4,9 нс | 159 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-3BN256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 14 мА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛФБГА, КСПБГА | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 14 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,8 мм | LCMXO640 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 159 | СРАМ | 4,9 нс | 159 | 159 | 420 МГц | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-6SE-5TN144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 311 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭ2-6 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 90 | 6,9 КБ | 90 | 6000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 56320 | 750 | 0,358 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000HC-5QN84C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 84-VFQFN Двухрядный, открытая колодка | 8 недель | 2375~3465В | 84-КФН (7х7) | 68 | 4320 | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3P060-1VQ100I | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3p600pqg208i-datasheets-5753.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 100 | 18 недель | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 272 МГц | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1425~1575В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,5 В | 0,5 мм | A3P060 | 30 | 71 | 2,3 КБ | 1 | 1536 | 60000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 18432 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-6900C-6BG324C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ЛФБГА | 15 мм | 15 мм | Без свинца | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO3L-6900 | НЕ УКАЗАН | 279 | 30 КБ | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 858 | 245760 | 858 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-4300C-6BG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | 206 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-5MN100C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 14 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 600 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 14 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 100 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 74 | СРАМ | 3,5 нс | 74 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ЛФЭ2-6Е-5ТН144И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭ2-6 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 8,4 КБ | 90 | 6,9 КБ | 90 | 311 МГц | 6000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 56320 | 750 | 0,358 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АГЛН060В5-ВК100И | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИГЛУ нано | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 10 мкА | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-agln010v5ucg36i-datasheets-4103.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 100 | 22 недели | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | 250 МГц | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1425~1575В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 230 | 1,5 В | 0,5 мм | АГЛН060 | 30 | Не квалифицирован | 71 | 2,3 КБ | 60000 | 1536 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 18432 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC2S15-5VQG100I | Компания Xilinx Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Спартан®-II | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc2s155tq144c-datasheets-8899.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 14 мм | 2,5 В | 100 | 10 недель | 100 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,375~2,625 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 60 | 2 КБ | 5 | 86 | 263 МГц | 15000 | 432 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 432 | 96 | 16384 | 96 | 0,7 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АГЛН125В5-CSG81 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИГЛУ нано | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°С~85°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-agln010v5ucg36i-datasheets-4103.pdf | 81-ВФБГА, ЦСБГА | 5 мм | 660 мкм | 5 мм | 1,5 В | Без свинца | 2 недели | 1575 В | 1,425 В | 81 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | 1425~1575В | АГЛН125 | 81-ЦСП (5х5) | 60 | 4,5 КБ | 125000 | 3072 | 36864 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.