Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПЛИС(26486)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Количество входов/выходов | Тип | Размер оперативной памяти | Скорость | Задержка распространения | Количество выходов | Количество программируемых входов/выходов | Количество регистров | Количество входов | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A3P030-1VQG100I | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3p600pqg208i-datasheets-5753.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 100 | 8 недель | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 272 МГц | е3 | Матовый олово (Sn) | 1425~1575В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,5 В | 0,5 мм | A3P030 | 40 | 77 | 1 | 768 | 30000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3P060-VQ100 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | 231 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3p600pqg208i-datasheets-5753.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | Содержит свинец | 10 недель | 1575 В | 1,425 В | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 231 МГц | 1425~1575В | A3P060 | 100-ВКФП (14х14) | 71 | 2,3 КБ | 1536 | 60000 | 18432 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000HC-5QN84I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 84-VFQFN Двухрядный, открытая колодка | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 68 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-9400C-5BG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | 256 | 8 недель | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б256 | 206 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100C-6BG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | 206 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC2S15-5VQ100C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Спартан®-II | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/xilinxinc-xc2s155tq144c-datasheets-8899.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 14 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 100 | 10 недель | 100 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | 2,375~2,625 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 2,5 В | XC2S15 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицированный | 60 | 2 КБ | 5 | 60 | 263 МГц | 15000 | 432 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 432 | 96 | 16384 | 96 | 0,7 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200ZE-1TG144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 104 МГц | 56 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | Нет СВХК | 144 | 64 КБ | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 17,3 КБ | 107 | ВСПЫШКА | 8 КБ | 10,21 нс | 108 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-9400E-6BG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 8 недель | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 206 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HE-4MG132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицированный | 21,3 КБ | 104 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 105 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-9400E-6MG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б256 | 206 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3P030-2VQG100I | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3p600pqg208i-datasheets-5753.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 100 | 8 недель | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 310 МГц | е3 | Матовый олово (Sn) | 1425~1575В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,5 В | 0,5 мм | A3P030 | 40 | 77 | 2 | 768 | 30000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HE-4TG144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,8 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 269 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицированный | 21,3 КБ | 111 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 112 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-9400C-6BG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | 256 | 8 недель | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б256 | 206 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-4300C-6BG324C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ЛФБГА | 15 мм | 15 мм | Без свинца | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | 279 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-6900E-5MG324I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ВФБГА | 10 мм | 10 мм | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 281 | 30 КБ | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 858 | 245760 | 858 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000ZE-2MG132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицированный | С-ПБГА-Б132 | 21,3 КБ | 104 | 105 | 105 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-9400E-5MG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б256 | 206 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-5MN132C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | 0°С | 14 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 1,2 В | Без свинца | 8 недель | 1,26 В | 1,14 В | 132 | 600 МГц | 14 мА | 1,14 В~1,26 В | LCMXO640 | 132-ЦСПБГА (8х8) | 101 | СРАМ | 101 | 320 | 640 | 80 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HE-5MG132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицированный | С-ПБГА-Б132 | 21,3 КБ | 104 | 105 | 105 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HE-4TG100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицированный | 21,3 КБ | 79 | 80 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛФЭ5УМ-25Ф-6МГ285И | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1045~1155В | 260 | НЕ УКАЗАН | 118 | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1032192 | 6000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5UM-25F-6BG381C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 381-ФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1045~1155В | 260 | НЕ УКАЗАН | 197 | 126 КБ | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1032192 | 6000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200ZE-3TG144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 56 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 150 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицированный | 17,3 КБ | 107 | ВСПЫШКА | 8 КБ | 108 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-6900C-5BG400C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 400-LFBGA | 17 мм | 17 мм | Без свинца | 400 | 8 недель | 400 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO3L-6900 | НЕ УКАЗАН | 335 | 30 КБ | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 858 | 245760 | 858 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000ZE-2QN84C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 84-VFQFN Двухрядный, открытая колодка | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 68 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-6900C-5BG324I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ЛФБГА | 15 мм | 15 мм | Без свинца | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO3L-6900 | НЕ УКАЗАН | 279 | 30 КБ | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 858 | 245760 | 858 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HC-5TG100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 2,5 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 2375~3465В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицированный | 21,3 КБ | 79 | 80 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-25F-8MG285C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,3 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 10 мм | 10 мм | 285 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1045~1155В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,1 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б285 | 118 | 3000 КЛБС | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3000 | 1032192 | 6000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-4300C-5BG324I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ЛФБГА | 15 мм | 15 мм | Без свинца | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | 279 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-6E-6TN144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 357 МГц | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | Нет СВХК | 144 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭ2-6 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицированный | 8,4 КБ | 90 | 6,9 КБ | 90 | 3000 | 6000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 56320 | 750 | 0,331 нс |
