Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПЛИС(26486)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Количество входов/выходов | Тип | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Количество выходов | Количество регистраторов | Количество входов | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит оперативной памяти | Количество LAB/CLB |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LCMXO640E-3TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 14 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 657,000198мг | 100 | да | EAR99 | 500 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 74 | СРАМ | 0Б | 4,9 нс | 4,9 нс | 74 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-2100C-5BG324C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ЛФБГА | 15 мм | 15 мм | Без свинца | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO3L-2100 | НЕ УКАЗАН | 279 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АГЛ060В5-ВК100 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИГЛУ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-agl600v5fgg256i-datasheets-6582.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 5 недель | 1575 В | 1,425 В | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | 892,86 МГц | 1425~1575В | АГЛ060 | 100-ВКФП (14х14) | 71 | 2,3 КБ | 60000 | 1536 | 18432 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AGL030V5-UCG81I | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИГЛУ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4мкА | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-agl600v5fgg256i-datasheets-6582.pdf | 81-ВФБГА, ЦСБГА | 4 мм | 660 мкм | 4 мм | 1,5 В | 81 | 22 недели | 81 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | 250 МГц | 8542.39.00.01 | 1425~1575В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | АГЛ030 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 66 | 30000 | 768 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-4300E-5MG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-4300 | НЕ УКАЗАН | 206 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-4300E-6MG121I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 121-ВФБГА | 6 мм | 6 мм | 121 | 8 недель | 121 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 100 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АГЛ030В2-UCG81 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИГЛУ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-agl600v5fgg256i-datasheets-6582.pdf | 81-ВФБГА, ЦСБГА | 4 мм | 660 мкм | 4 мм | 1,5 В | Без свинца | 2 недели | 1575 В | 1,14 В | 81 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | Нет | 1,14 В~1,575 В | АГЛ030 | 81-УЦСП (4х4) | 66 | 30000 | 768 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-4300E-6MG121C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 121-ВФБГА | 6 мм | 6 мм | 121 | 8 недель | 121 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-4300 | НЕ УКАЗАН | 100 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-4300E-5MG324I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ВФБГА | 10 мм | 10 мм | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-4300 | НЕ УКАЗАН | 268 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640ZE-2MG132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 28 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б132 | 5,9 КБ | 79 | 80 | 80 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 18432 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640UHC-5TG144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 28 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 2,5 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2375~3465В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 16,6 КБ | 107 | 108 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 65536 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200ZE-2TG100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 56 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | Нет | 125 МГц | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 17,3 КБ | 79 | ВСПЫШКА | 8 КБ | 80 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M2GL060T-VFG400I | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИГЛУ2 | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,51 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-m2s025vfg256i-datasheets-0685.pdf | 400-LFBGA | 17 мм | 17 мм | 400 | 12 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~2,625 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,8 мм | 30 | С-ПБГА-Б400 | 207 | 56520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1869824 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AGL030V5-CSG81I | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИГЛУ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-agl600v5fgg256i-datasheets-6582.pdf | 81-ВФБГА, ЦСБГА | 5 мм | 660 мкм | 5 мм | 1,5 В | 81 | 22 недели | 81 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | 892,86 МГц | 8542.39.00.01 | 1425~1575В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | АГЛ030 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 66 | 30000 | 768 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АГЛ030В2-ВК100 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИГЛУ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-agl600v5fgg256i-datasheets-6582.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 18 недель | 1575 В | 1,14 В | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | 892,86 МГц | 1,14 В~1,575 В | АГЛ030 | 100-ВКФП (14х14) | 77 | 30000 | 768 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640HC-5MG132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 28 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 2,5 В | Без свинца | 132 | 8 недель | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б132 | 5,9 КБ | 79 | 80 | 80 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 18432 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-3MN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 420 МГц | 17 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | Нет СВХК | 100 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 8542.39.00.01 | 17 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,71~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 100 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 74 | СРАМ | 0Б | 4,9 нс | 4,9 нс | 74 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-1300E-5UWG36ITR50 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 0,576 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 36-УФБГА, ВЛЦП | 2,541 мм | 2,487 мм | Без свинца | 36 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | LCMXO3L-1300 | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б36 | 28 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LP8K-CM225 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCE40™ LP | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 225-ВФБГА | 7 мм | 900 мкм | 7 мм | 1,2 В | Без свинца | 225 | 8 недель | 225 | 128 КБ | EAR99 | Нет | 533 МГц | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,4 мм | ICE40 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 16 КБ | 178 | 16 КБ | 178 | 7680 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 960 | 131072 | 960 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200C-4TN144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 21 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 3,3 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 1,319103г | 144 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 550 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO1200 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 113 | СРАМ | 4,4 нс | 4,4 нс | 113 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-4300E-6MG324C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ВФБГА | 10 мм | 10 мм | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-4300 | НЕ УКАЗАН | 268 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-4TN144I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 17 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 3,3 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 550 МГц | 8542.39.00.01 | 17 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 113 | СРАМ | 0Б | 4,2 нс | 4,2 нс | 113 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640HC-5TG100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 28 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 2,5 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 2375~3465В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 5,9 КБ | 78 | ВСПЫШКА | 2,3 КБ | 79 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 18432 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640ZE-1TG100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 104 МГц | 28 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | Нет СВХК | 100 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 5,9 КБ | 78 | ВСПЫШКА | 2,3 КБ | 10,21 нс | 79 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 18432 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100E-6MG324C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ВФБГА | 10 мм | 10 мм | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 268 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛФЭ5У-12Ф-7МГ285И | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1045~1155В | 260 | НЕ УКАЗАН | 118 | 12000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 589824 | 3000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100E-5MG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 206 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100E-5MG324I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ВФБГА | 10 мм | 10 мм | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 268 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LIF-MD6000-6UMG64ITR1K | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КроссЛинк™ | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lifmd60006uwg36itr1k-datasheets-3858.pdf | 64-ВФБГА | 8 недель | 1,14 В~1,26 В | 64-ucfBGA (3,5х3,5) | 29 | 5936 | 184320 | 1484 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LM4K-CM49TR1K | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCE40™ ЛМ | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40lm4kcm49tr1k-datasheets-5836.pdf | 49-ВФБГА | 3 мм | 3 мм | 1,2 В | 49 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,4 мм | ICE40LM4K | С-ПБГА-Б49 | 37 | 10 КБ | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 440 | 81920 | 440 |
