Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПЛИС(26486)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Количество входов/выходов | Тип | Размер оперативной памяти | Скорость | Задержка распространения | Количество выходов | Количество регистраторов | Количество входов | Тактовая частота | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LCMXO256E-5TN100C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 10 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 600 МГц | 8542.39.00.01 | 10 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO256 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 78 | СРАМ | 0Б | 3,5 нс | 78 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 256 | ФЛЕШ ПЛД | 256 | 7 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR1K | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаXO3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 0,567 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 81-УФБГА, ВЛЦП | 3,797 мм | 3,693 мм | Без свинца | 81 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б81 | 63 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-12F-6MG285C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1045~1155В | 260 | НЕ УКАЗАН | 118 | 12000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 589824 | 3000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EP4CGX50CF23C7N | Интел | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Циклон® IV GX | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 мм | Соответствует RoHS | /files/intel-ep4ce115f29c7n-datasheets-4291.pdf | 484-БГА | 23 мм | 23 мм | 484 | 8 недель | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,16 В~1,24 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | EP4CGX50 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б484 | 290 | 290 | 290 | 472,5 МГц | 49888 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 2562048 | 3118 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE5LP4K-CM36ITR50 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCE40 Ультра™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice5lp4kcm36itr1k-datasheets-3488.pdf | 36-ВФБГА | Без свинца | 7 недель | 36 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | 26 | 10 КБ | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 81920 | 440 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-2100E-5MG256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаXO3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-2100 | НЕ УКАЗАН | 206 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-2100E-6MG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаXO3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-2100 | НЕ УКАЗАН | 206 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3P030-2QNG48I | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2мА | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3p600pqg208i-datasheets-5753.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 880 мкм | 6 мм | 1,5 В | 48 | 8 недель | 48 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 310 МГц | 1425~1575В | КВАД | 260 | 1,5 В | 0,4 мм | A3P030 | 30 | 34 | 2 | 768 | 30000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640ZE-1MG132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 104 МГц | 28 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo22000ze1uwg49itr1k-datasheets-3971.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | Нет СВХК | 132 | 18 КБ | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 5,9 КБ | 79 | ВСПЫШКА | 2,3 КБ | 10,21 нс | 80 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 18432 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO256E-5MN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 10 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 600 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 10 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO256 | 100 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 78 | СРАМ | 3,5 нс | 78 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 256 | ФЛЕШ ПЛД | 256 | 7 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO256E-4MN100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 10 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 550 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 10 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO256 | 100 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 78 | СРАМ | 4,2 нс | 78 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 256 | ФЛЕШ ПЛД | 256 | 7 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO256E-4TN100I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 10 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 550 МГц | 8542.39.00.01 | 10 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO256 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 78 | СРАМ | 0Б | 4,2 нс | 78 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 256 | ФЛЕШ ПЛД | 256 | 7 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO256C-4MN100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 13 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 550 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 13 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,71~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO256 | 100 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 78 | СРАМ | 4,2 нс | 78 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 256 | ФЛЕШ ПЛД | 256 | 7 | 32 | |||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-1300E-5MG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаXO3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 206 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100E-6MG121C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаXO3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 121-ВФБГА | 6 мм | 6 мм | 121 | 8 недель | 121 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 100 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200ZE-3SG32I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 32-UFQFN Открытая площадка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,2 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | 21 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-2100E-5MG324C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаXO3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ВФБГА | 10 мм | 10 мм | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-2100 | НЕ УКАЗАН | 268 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256HC-6MG132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 132 | 8 недель | да | EAR99 | 388 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 55 | 56 | 56 | 128 | 256 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 256 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-1300E-6MG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаXO3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-1300 | НЕ УКАЗАН | 206 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100E-5MG121I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаXO3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 121-ВФБГА | 6 мм | 6 мм | 121 | 8 недель | 121 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 100 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АГЛН020В5-QNG68I | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИГЛУ нано | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 6мкА | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-agln010v5ucg36i-datasheets-4103.pdf | 68-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 880 мкм | 8 мм | 1,5 В | 68 | 22 недели | 68 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | 250 МГц | 8542.39.00.01 | 1425~1575В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,4 мм | АГЛН020 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 49 | 20000 | 520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 520 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АГЛ030В5-ВК100 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИГЛУ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-agl600v5fgg256i-datasheets-6582.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 18 недель | 1575 В | 1,425 В | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | 892,86 МГц | 1425~1575В | АГЛ030 | 100-ВКФП (14х14) | 77 | 30000 | 768 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR1K | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,615 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 25-WLCSP | 2,546 мм | 2,492 мм | Без свинца | 25 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,4 мм | LCMXO2-1200 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б25 | 18 | 150 | 150 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256ZE-3TG100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 150 МГц | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 55 | ВСПЫШКА | 0Б | 56 | 128 | 256 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 256 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-4FTN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 420 МГц | 17 мА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,71~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | LCMXO640 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 159 | СРАМ | 0Б | 4,2 нс | 159 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200ZE-2SG32I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 32-UFQFN Открытая площадка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N32 | 21 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АГЛН015В2-QNG68I | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИГЛУ нано | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 6мкА | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-agln010v5ucg36i-datasheets-4103.pdf | 68-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 880 мкм | 8 мм | 1,5 В | 68 | 22 недели | 68 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | 250 МГц | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,575 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | АГЛН015 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 49 | 15000 | 384 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256ZE-3MG132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | да | EAR99 | 150 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 55 | 56 | 56 | 128 | 256 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 256 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3P030-1QNG48I | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 272 МГц | 2мА | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3p600pqg208i-datasheets-5753.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 880 мкм | 6 мм | 1,5 В | 48 | 8 недель | 48 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 1425~1575В | КВАД | 260 | 1,5 В | 0,4 мм | A3P030 | 30 | 34 | 1 | 768 | 30000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-1300E-5MG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаXO3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 206 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 |
