Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПЛИС(26486)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Способ упаковки | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Количество входов/выходов | Тип | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Скорость | Задержка распространения | Количество выходов | Количество регистраторов | Количество входов | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит оперативной памяти | Количество LAB/CLB |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LCMXO3L-4300E-5MG121I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 121-ВФБГА | 6 мм | 6 мм | 121 | 8 недель | 121 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-4300 | НЕ УКАЗАН | 100 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640HC-4MG132C2U | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfc2pevn-datasheets-7997.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 недель | 2375~3465В | 79 | 640 | 18432 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3P030-2VQG100 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3p600pqg208i-datasheets-5753.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 8 недель | 1575 В | 1,425 В | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 310 МГц | 1425~1575В | A3P030 | 100-ВКФП (14х14) | 77 | 2 | 768 | 30000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LIF-MD6000-6UWG36ITR | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КроссЛинк™ | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lifmd60006uwg36itr1k-datasheets-3858.pdf | 36-УФБГА, ВЛЦП | 2,585 мм | 2,535 мм | 36 | 8 недель | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б36 | 17 | 1500 КЛБС | 5936 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1500 | 184320 | 1484 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200C-4MN132C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 21 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 550 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 21 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,71~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO1200 | 132 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицированный | 101 | СРАМ | 4,4 нс | 101 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640HC-5MG132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 28 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 2,5 В | Без свинца | 132 | 8 недель | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2375~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицированный | С-ПБГА-Б132 | 5,9 КБ | 79 | 80 | 80 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 18432 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EP4CGX30CF19C8N | Интел | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Циклон® IV GX | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,55 мм | Соответствует RoHS | /files/intel-ep4ce115f29c7n-datasheets-4291.pdf | 324-ЛБГА | 19 мм | 19 мм | 324 | 8 недель | 8542.39.00.01 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,16 В~1,24 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | EP4CGX30 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицированный | С-ПБГА-Б324 | 150 | 150 | 150 | 472,5 МГц | 29440 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1105920 | 1840 г. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LP8K-CM121TR | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCE40™ LP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 121-ВФБГА | 5 мм | 5 мм | 121 | 8 недель | 121 | EAR99 | 8542.39.00.01 | ТР | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | ICE40LP8K | НЕ УКАЗАН | 93 | 16 КБ | 93 | 133 МГц | 7680 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 960 | 131072 | 960 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-2100E-6MG256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-2100 | НЕ УКАЗАН | 206 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640ZE-2MG132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 28 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицированный | С-ПБГА-Б132 | 5,9 КБ | 79 | 80 | 80 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 18432 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO256C-5MN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 13 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 600 МГц | 8542.39.00.01 | 13 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,71~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO256 | 100 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 256Б | 78 | СРАМ | 0Б | 3,5 нс | 3,5 нс | 78 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 256 | ФЛЕШ ПЛД | 256 | 7 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-1300E-6MG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 206 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE5LP4K-CM36ITR1K | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCE40 Ультра™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice5lp4kcm36itr1k-datasheets-3488.pdf | 36-ВФБГА | 8 недель | 36 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | 26 | 10 КБ | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 81920 | 440 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3P030-VQ100I | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | /files/microsemicorporation-a3p600pqg208i-datasheets-5753.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | Содержит свинец | 100 | 8 недель | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 231 МГц | 8542.39.00.01 | е0 | Оловянный свинец | 1425~1575В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,5 В | 0,5 мм | A3P030 | 30 | 77 | 768 | 30000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100E-5MG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 206 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-1300E-6MG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 206 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LP4K-CM225 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCE40™ LP | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 225-ВФБГА | 7 мм | 900 мкм | 7 мм | 1,2 В | Без свинца | 225 | 8 недель | 225 | 80 КБ | EAR99 | Нет | 533 МГц | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,4 мм | ICE40 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 10 КБ | 167 | 10 КБ | 167 | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 440 | 81920 | 440 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3PN060-VQ100 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 нано | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°С~85°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | -20°С | 2мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3pn250vqg100-datasheets-5523.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 2 недели | 1575 В | 1,425 В | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 350 МГц | 1425~1575В | A3PN060 | 100-ВКФП (14х14) | 71 | 2,3 КБ | 1536 | 60000 | 18432 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-2100E-5MG324I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ВФБГА | 10 мм | 10 мм | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-2100 | НЕ УКАЗАН | 268 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-5FTN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 17 мА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 600 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 17 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,71~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | LCMXO640 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицированный | 159 | СРАМ | 0Б | 3,5 нс | 159 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | 540 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||
| Т13F256C4 | Эфиникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/efinixinc-t13f256c3-datasheets-3633.pdf | 256-ТФБГА | 4 недели | 1,15 В~1,25 В | 195 | 12828 | 744489 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-2100E-6MG324C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ВФБГА | 10 мм | 10 мм | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-2100 | НЕ УКАЗАН | 268 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100E-6MG121I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 121-ВФБГА | 6 мм | 6 мм | Без свинца | 121 | 8 недель | 121 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 100 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640ZE-2TG100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 28 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицированный | 5,9 КБ | 78 | 79 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 18432 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3P030-1VQ100 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3p600pqg208i-datasheets-5753.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 8 недель | 1575 В | 1,425 В | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 272 МГц | 1425~1575В | A3P030 | 100-ВКФП (14х14) | 77 | 1 | 768 | 30000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3P030-1VQG100 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3p600pqg208i-datasheets-5753.pdf | 100-TQFP | 14 мм | 1 мм | 14 мм | 1,5 В | 8 недель | 1575 В | 1,425 В | 100 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 272 МГц | 1425~1575В | A3P030 | 100-ВКФП (14х14) | 77 | 1 | 768 | 30000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АГЛ250В5-CSG196I | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИГЛУ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 20 мкА | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-agl600v5fgg256i-datasheets-6582.pdf | 196-ТФБГА, ЦСБГА | 8 мм | 1,2 мм | 8 мм | 1,5 В | 196 | 18 недель | 196 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | 250 МГц | 8542.39.00.01 | 1425~1575В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,5 мм | АГЛ250 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | 143 | 4,5 КБ | 250000 | 6144 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 36864 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-5MN132C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 17 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 600 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 17 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,71~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 132 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицированный | 101 | СРАМ | 0Б | 3,5 нс | 101 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200C-3MN132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 420 МГц | 21 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 1,1 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 132 | 8 недель | Нет СВХК | 132 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,71~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO1200 | 132 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицированный | 101 | СРАМ | 5,1 нс | 101 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| A3P030-2QNG68I | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПроASIC3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2мА | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-a3p600pqg208i-datasheets-5753.pdf | 68-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 880 мкм | 8 мм | 1,5 В | 68 | 8 недель | 68 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 310 МГц | 1425~1575В | КВАД | 260 | 1,5 В | 0,4 мм | A3P030 | 30 | 49 | 2 | 768 | 30000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 |
