Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Время хранения данных, мин. | Защита от записей | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDT71124S12YI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71124s12yi-datasheets-0833.pdf | 20,955 мм | 10,16 мм | 32 | 32 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,16 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В67803С133БГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67803s133bg-datasheets-0796.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 9 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 260 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 19б | 0,05 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В416С15ИГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v416s15yg8-datasheets-0778.pdf | 28,6 мм | 10,2 мм | 3,3 В | Без свинца | 170 мА | 44 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | да | 2,9 мм | 1 | Нет | 1 | 170 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 512 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 18б | 0,02 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3577SA80BQG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577sa80bqg-datasheets-0758.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 30 | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 8 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71124S12Y | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71124s12y-datasheets-0744.pdf | 20,955 мм | 5В | 32 | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 1 | не_совместимо | 1 | 160 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 17б | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В67903С75ПФГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 117 МГц | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67903s75pfgi8-datasheets-0688.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 9 Мб | да | 1,4 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 285 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 19б | 0,07А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 7027Л55ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7027l55pf8-datasheets-0648.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 512 кб | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ | Нет | 1 | 230 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 30б | 0,015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 7140LA25PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140la25pf-datasheets-0645.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 8 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 170 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 20б | 1КХ8 | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3577SA80BQ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577sa80bq8-datasheets-0639.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | СРАМ | 3,3 В | 0,2 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 100 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,03 А | 8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71421LA35PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71421la35pf-datasheets-0636.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 16 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 120 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 22б | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||
| MX25L3206EZUI-12G | Макроникс | 1,63 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 86 МГц | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует RoHS | 4 мм | 4 мм | 3В | Без свинца | 8 | СПИ, серийный | 32 Мб | да | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 8 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,7 В | 40 | Флэш-памяти | 0,025 мА | Не квалифицированный | С-ПДСО-Н8 | ФЛЭШ, НО | 86 МГц | 16MX2 | 2 | 1 | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В256СА15ПЗГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v256sa15pzgi8-datasheets-0586.pdf | ТСОП | 8 мм | 11,8 мм | 3,3 В | Без свинца | 28 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 28 | Параллельно | 256 КБ | да | 1 мм | 1 | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,55 мм | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 0,085 мА | 32 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 15б | 32КХ8 | 0,002А | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V424S10YI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v424s10yi8-datasheets-0561.pdf | 23 495 мм | 10,16 мм | 36 | 36 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 36 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | 30 | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7026L25J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7026l25j-datasheets-0540.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 256 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 265 мА | 84 | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 25 нс | 28б | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71321LA25TFI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71321la25tfi-datasheets-0437.pdf | TQFP | 10 мм | 10 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 16 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 220 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 64 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 5В | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 22б | 0,004А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3577SA80BQ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577sa80bq-datasheets-0433.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,2 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 100 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,03 А | 8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В261Л25ПФГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v261l25pfgi-datasheets-0407.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 256 КБ | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 185 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 40 | СРАМ | 32 КБ | СДР | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 14б | 16КХ16 | 0,003А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В65603С133ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65603s133pfi-datasheets-0343.pdf | TQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 9 Мб | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 1 | 320 мА | е0 | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 18б | 256КХ36 | 36 | 0,06А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В546С100ПФГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v546s100pfgi8-datasheets-0334.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 260 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 17б | 0,045А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3577SA80BGGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577sa80bggi8-datasheets-0319.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 8 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 709279С12ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 33,3 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709279s12pf8-datasheets-0318.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 512 кб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 345 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 15б | 0,015А | 16б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 7005Л20ПФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005l20pfi8-datasheets-0316.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 64 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 320 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 5В | 8КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 26б | 8КХ8 | 0,004А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||
| 71342LA55PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71342la55pf-datasheets-0282.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 32 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 200 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 24б | 4KX8 | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||
| 7143LA55J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7143la55j8-datasheets-0227.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 32 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 250 мА | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 55 нс | 22б | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V65602S133BQ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65602s133bq-datasheets-0216.pdf | БГА | 15 мм | 13 мм | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,3 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,04А | 4,2 нс | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7025S30J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025s30j8-datasheets-0217.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 128 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 30 нс | 13б | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71024S25TYG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71024s25tyg8-datasheets-0215.pdf | 21,95 мм | 7,6 мм | 5В | Без свинца | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | да | 2,67 мм | 1 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 260 | 32 | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 25 нс | 17б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3577SA80BGGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577sa80bggi-datasheets-0212.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 8 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3577ИС85ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | 2,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3577ys85pfg-datasheets-0144.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3А991 | ПОТОК ЧЕРЕЗ АРХИТЕКТУРУ | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 87 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,03 А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3577SA80BGG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577sa80bgg8-datasheets-0120.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 8 нс |
