Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TC58NVG2S0FTA00 | Тошиба | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-tc58nvg2s0fta00-datasheets-2786.pdf | ТФСОП | 18,4 мм | 3,3 В | 48 | 3,6 В | 2,7 В | Параллельный, последовательный | 4ГБ | неизвестный | 1 | 30 мА | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,5 мм | 48 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г48 | ФЛЕШ, НЕ-НЕ | 3В | 30б | 512MX8 | 8 | 8б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3577YS80PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577ys80pf-datasheets-2763.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,2 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 100 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,03 А | 8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 7006Л20ФБ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7006l20fb-datasheets-2741.pdf | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | Параллельно | 128 КБ | 2 мм | 2 | Нет | ОЗУ, СРАМ | 28б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7005L20JI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005l20ji-datasheets-2731.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 64 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 8КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 20 нс | 26б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7050L25PQF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 70°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7050l25pqf-datasheets-2729.pdf | ПКФП | 24,13 мм | 24,13 мм | Содержит свинец | 132 | нет | 3,55 мм | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 132 | ОЗУ, СРАМ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В25Л20ПФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v25l20pfi8-datasheets-2724.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 128 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 0,195 мА | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 26б | 8КХ16 | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT7164L35YGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,556 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt7164l35ygi-datasheets-2721.pdf | 5В | 28 | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 64 КБ | 1 | EAR99 | неизвестный | 1 | 100 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 13б | 8КХ8 | 8 | 0,00006А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В632С7ПФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 66 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v632s7pfg8-datasheets-2660.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 7 недель | 3,63 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 2 Мб | да | 1,4 мм | 1 | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ ПИТАНИЕ 3.3VI/O. | Нет | 1 | 160 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 256 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 66 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7 нс | 16б | 64КХ32 | 32б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3577YS75PFG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577ys75pfg-datasheets-2648.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,255 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 117 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,03 А | 7,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT7164L35YG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,556 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt7164l35yg8-datasheets-2643.pdf | 17,9324 мм | 7,5184 мм | 28 | 28 | Параллельно | EAR99 | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 1,27 мм | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 40 | СРАМ | 5В | 0,09 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8КХ8 | 8 | 65536 бит | 0,00006А | 35 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V67602S166PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v67602s166pf8-datasheets-2637.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 2,53,3 В | 0,34 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,05 А | 3,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 7025Л25ФБ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025l25fb-datasheets-2622.pdf | 29,2 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 128 КБ | нет | 2,54 мм | 2 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 280 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | ПЛОСКИЙ | 5В | 84 | ВОЕННЫЙ | MIL-PRF-38535 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 26б | 8КХ16 | 0,004А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В416С12ЙГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v416s12ygi8-datasheets-2586.pdf | 28,6 мм | 10,2 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | да | 2,9 мм | 1 | Нет | 1 | 180 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 512 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 18б | 0,02 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||
| TH58BVG3S0HTA00 | Тошиба | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 70°С | 0°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-th58bvg3s0hta00-datasheets-2585.pdf | ТФСОП | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 16 недель | Параллельно | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,5 мм | 48 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПДСО-Г48 | ЭППЗУ, НАНД | 3,3 В | 1GX8 | 8 | 8589934592 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В7599С133БФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | 1,7 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v7599s133bf-datasheets-2575.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 645 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 34б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 71342LA25J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71342la25j-datasheets-2559.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 32 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 240 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 24б | 4KX8 | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3577YS75PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577ys75pf8-datasheets-2510.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,255 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 117 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,03 А | 7,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 70В3569С5БФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3569s5bfi-datasheets-2466.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 576 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫХОДА; ЦИКЛ ЗАПИСИ С АВТОСИНХР. | Нет | 1 | 415 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 72кБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 28б | 16КХ36 | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 71В3557С80БГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 95 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3557s80bg-datasheets-2420.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | Нет | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8 нс | 17б | 0,04А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В67903С80ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v67903s80pfi-datasheets-2412.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,23 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 100 МГц | 512КХ18 | 18 | 9437184 бит | 0,07А | 8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3577YS75PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577ys75pf-datasheets-2410.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,255 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 117 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,03 А | 7,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 71256SA20YG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,556 мм | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71256sa20yg8-datasheets-2405.pdf | 17,9 мм | 7,6 мм | 5В | Без свинца | 28 | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 256 КБ | да | 2,67 мм | 1 | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 28 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 32 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 15б | 32КХ8 | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 7025Л35ФБ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025l35fb-datasheets-2392.pdf | 29,2 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 128 КБ | нет | 2,54 мм | 2 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | ПЛОСКИЙ | 5В | 84 | ВОЕННЫЙ | MIL-PRF-38535 | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 26б | 8КХ16 | 0,004А | ОБЩИЙ | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В05Л25ДЖ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v05l25j8-datasheets-2346.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 68 | Параллельно | 64 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 165 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 8КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 26б | 8КХ8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3577YS65PFG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577ys65pfg-datasheets-2337.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,3 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 133 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,03 А | 6,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 6116SA20SOG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-6116sa20sog8-datasheets-2312.pdf | СОИК | 15,4 мм | 7,6 мм | 5В | Без свинца | 24 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | да | 2,34 мм | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 105 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 24 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 5В | 2 КБ | CMOS, RAM, SRAM — асинхронные | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 11б | 2КХ8 | 0,002А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 7130SA35J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130sa35j8-datasheets-2308.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 8 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 165 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 20б | 1КХ8 | 0,03 А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 6116LA25SOG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-6116la25sog8-datasheets-2165.pdf | СОИК | 15,4 мм | 7,6 мм | 5В | Без свинца | 24 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | да | 2,34 мм | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 95 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 24 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 5В | 2 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 11б | 2КХ8 | 0,00002А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||
| 71Т75802С133БГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 85°С | -40°С | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75802s133bgi8-datasheets-2164.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 8 недель | 2,625 В | 2,375 В | 119 | Параллельно | 18 Мб | 2,15 мм | 1 | Нет | 215 мА | ОЗУ, СРАМ | 4,2 нс | 20б | 18б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT7164L20YI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt7164l20yi8-datasheets-2131.pdf | 28 | Параллельно | ОЗУ, SRAM — асинхронное |
