Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 71В547С100ПФГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 66,6 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v547s100pfgi-datasheets-3853.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | ПРОТОЧНЫЙ | 1 | 210 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | ПЛОСКИЙ | 260 | 3,3 В | 0,635 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | Не квалифицирован | 576КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 66 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 17б | 0,045А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||
| 70В07Л25ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v07l25pfg-datasheets-3839.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 80 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 80 | Параллельно | 256 КБ | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 140 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | ПЛОСКИЙ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 80 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 30б | 0,003А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||
| 7130SA100J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130sa100j-datasheets-3831.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 8 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 155 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 100 нс | 20б | 1КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| 71В2556СА133БГГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2556sa133bgg-datasheets-3793.pdf | БГА | 22 мм | 3,3 В | 119 | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 30 | СРАМ | 0,3 мА | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | 36 | 0,04 А | 4,2 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7133LA20J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7133la20j-datasheets-3774.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 32 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 280 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 22б | 0,0015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||
| 7130LA55PDGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 5,08 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la55pdgi-datasheets-3745.pdf | ПДИП | 61,7 мм | 15,24 мм | 5В | Без свинца | 48 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 8 КБ | да | 3,8 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 140 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 48 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 20б | 1КХ8 | 0,004А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||
| 71В65703С75БК | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65703s75bq-datasheets-3713.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 165 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 9 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 275 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 18б | 256КХ36 | 0,04 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 70В3399С166БФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3399s166bfg8-datasheets-3711.pdf | 3,3 В | 500 мА | 208 | 16 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 2,3 Мб | да | 2 | ТРУБОПРОВОДНАЯ ИЛИ ПРОТОЧНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 256 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 166 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,6 нс | 34б | 18 | 0,03 А | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В25С25Ж | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v25s25j-datasheets-3674.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 84 | Параллельно | 128 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 190 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 26б | 8КХ16 | 0,005А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||
| 71В3559С80БГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 95 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3559s80bg-datasheets-3611.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | Нет | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8 нс | 18б | 0,04 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 7134SA55L48B | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | Соответствует RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7134sa55l48b-datasheets-3586.pdf | ООО | 14,2 мм | 14,22 мм | 5В | Содержит свинец | 48 | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 32 КБ | нет | 1,78 мм | 2 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 270 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | 240 | 5В | 1 мм | 48 | ВОЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 38535К/М;38534Х;883Б | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 24б | 4KX8 | 0,03 А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 70В3399С166БФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | 1,7 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3399s166bfg-datasheets-3576.pdf | 15 мм | 3,3 В | 208 | 16 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 2,3 Мб | да | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 0,5 мА | 256 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 166 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,6 нс | 34б | 18 | 0,03 А | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 7130SA100PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130sa100pf8-datasheets-3570.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 8 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 155 мА | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 нс | 10б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3577YS85PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577ys85pfi8-datasheets-3573.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,19 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 87 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,035А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||
| 71В3556СА150БК8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | 150 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3556sa150bq8-datasheets-3561.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 11 недель | 165 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 225 | 165 | ОЗУ, СРАМ | 17б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В256С10ИГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 3,3 В | 7 недель | 28 | Параллельно | 256 КБ | 1 | Нет | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 15б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В432С6ПФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 83 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v432s6pfg8-datasheets-3546.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 3,63 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 1 Мб | да | 1,4 мм | 1 | Нет | 1 | 180 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 83 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6 нс | 15б | 32КХ32 | 32б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 70В07Л35ПФГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v07l35pfgi-datasheets-3496.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 80 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 80 | Параллельно | 256 КБ | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,635 мм | 80 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 0,155 мА | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 15б | 0,003А | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||
| 70В3399С133БФГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3399s133bfgi8-datasheets-3495.pdf | 3,3 В | 208 | 208 | Параллельно | 2,3 Мб | да | 2 | ТРУБОПРОВОДНАЯ ИЛИ ПРОТОЧНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,45 В | 3,15 В | 30 | СРАМ | 0,48 мА | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 34б | 18 | 0,04 А | ОБЩИЙ | 3,15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3577YS85PFI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577ys85pfi-datasheets-3468.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,19 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 87 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,035А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 70Т3519С166ВС | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 50 МГц | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3519s166bc-datasheets-3408.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 9 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 450 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 166 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 36б | 0,015А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||
| 7130ЛА35П | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la35p-datasheets-3407.pdf | ПДИП | 61,7 мм | 15,24 мм | 5В | Содержит свинец | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 8 КБ | 3,8 мм | 2 | Нет | 120 мА | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 35 нс | 20б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3577YS85PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577ys85pf8-datasheets-3380.pdf | ЛКФП | 100 | Параллельно | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,635 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 87 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,03 А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В3399С133БФГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | 1,7 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3399s133bfgi-datasheets-3357.pdf | 15 мм | 3,3 В | 208 | 16 недель | 208 | Параллельно | 2,3 Мб | да | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,45 В | 3,15 В | 30 | СРАМ | 0,48 мА | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 34б | 18 | 0,04 А | ОБЩИЙ | 3,15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130LA25PFGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la25pfgi8-datasheets-3294.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Без свинца | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 8 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 25 нс | 20б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3577YS85PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577ys85pf-datasheets-3264.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 87 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,03 А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT7164S20TPI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt7164s20tpi-datasheets-3257.pdf | ОКУНАТЬ | Параллельно | ОЗУ, SRAM — асинхронное | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71256SA12YG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71256sa12yg8-datasheets-3256.pdf | 17,9 мм | 7,6 мм | 5В | Без свинца | 12 недель | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 256 КБ | 2,67 мм | 1 | Нет | 160 мА | 32 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 12 нс | 15б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70П3519С166БЦГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | 1,7 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70p3519s166bcg8-datasheets-3250.pdf | 17 мм | 17 мм | 1,8 В | Без свинца | 256 | 256 | Параллельно | 9 Мб | да | 1,4 мм | 2 | ТРУБОПРОВОДНАЯ ИЛИ ПРОТОЧНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | ОЗУ, СРАМ | 18б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71256S70TDB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71256s70tdb-datasheets-3239.pdf | КРИС | 37,72 мм | 7,62 мм | 5В | Содержит свинец | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 256 КБ | 3,56 мм | 1 | Нет | 135 мА | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 70 нс | 15б | 8б | Асинхронный |
