Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 7132LA100J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7132la100j-datasheets-5581.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 16 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 110 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 100 нс | 22б | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3556СА133БГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | $9,60 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3556sa133bgi-datasheets-5577.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | Нет | 1 | 310 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 133 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 17б | 0,045А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В424С12ФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v424s12phi-datasheets-5561.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,17 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | 0,02 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V016SA10PH | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v016sa10ph-datasheets-5558.pdf | ТСОП | 3,3 В | 44 | 3,6 В | 3,15 В | 44 | Параллельно | 1 Мб | нет | 1 | 1 | 160 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 16б | 16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70Т633С15ВС8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t633s15bc8-datasheets-5546.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 9 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 305 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 19б | 0,01 А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В67703С75ПФГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67703s75pfgi8-datasheets-5525.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | Параллельно | 9 Мб | да | 1,4 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 30 | СРАМ | 0,285 мА | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | 256КХ36 | 0,07А | 7,5 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7026L15J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7026l15j-datasheets-5515.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 256 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 285 мА | 84 | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 15 нс | 14б | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В3579С75ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3579s75pfi-datasheets-5498.pdf | ЛКФП | Параллельно | ОЗУ, СРАМ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P71604S250BQG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | 250 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p71604s250bqg8-datasheets-5499.pdf | 165 | Параллельно | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7006С25ГБ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7006s25gb-datasheets-5500.pdf | 29,46 мм | 29,46 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 128 КБ | нет | 3,68 мм | 2 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 340 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПЕРПЕНДИКУЛЯР | ПИН/ПЭГ | 240 | 5В | 68 | ВОЕННЫЙ | СРАМ | 5В | MIL-PRF-38535 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 28б | 16КХ8 | 0,03 А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX68GL1G0FDXFI-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует RoHS | 13 мм | 11 мм | 64 | Параллельно | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,7 В | 40 | Флэш-памяти | 3/3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б64 | ФЛЭШ, НО | 3В | 64MX16 | 16 | 1073741824 бит | 8 | 0,00012А | 120 нс | ДА | ДА | 1К | 128 тыс. | ДА | 8/16 слов | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC58NYG2S0HBAI6 | Тошиба | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-tc58nyg2s0hbai6-datasheets-5444.pdf | 8 мм | 6,5 мм | 67 | 16 недель | 67 | Параллельно | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 0,8 мм | 67 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 1,95 В | 1,7 В | ЭППЗУ, НАНД | 1,8 В | 512MX8 | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X28HC256JIZ-12 | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-x28hc256jiz12-datasheets-5419.pdf | ПЛКК | 5В | 32 | Параллельно | 256 КБ | Нет | 120 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX68GL1G0FDT2I-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | ТФСОП | 18,4 мм | 14 мм | 56 | Параллельно | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,5 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,7 В | 40 | Флэш-памяти | 3/3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г56 | ФЛЭШ, НО | 3В | 64MX16 | 16 | 1073741824 бит | 8 | 0,00012А | 120 нс | ДА | ДА | 1К | 128 тыс. | ДА | 8/16 слов | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P71604S250BQG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 250 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p71604s250bqg-datasheets-5384.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,9 В | 1,7 В | 30 | Не квалифицирован | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7142LA100PDG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7142la100pdg-datasheets-5328.pdf | ОКУНАТЬ | 61,7 мм | 15,24 мм | Без свинца | 48 | 7 недель | 48 | Параллельно | да | 3,8 мм | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 260 | 5В | 48 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | ОЗУ, СРАМ | 2КХ8 | 16384 бит | 100 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В27С25ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v27s25pf8-datasheets-5288.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 512 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 245 мА | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 25 нс | 30б | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7143SA55ГБ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7143sa55gb-datasheets-5285.pdf | 29,46 мм | 29,46 мм | 5В | Содержит свинец | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 32 КБ | 3,68 мм | 2 | Нет | 315 мА | ОЗУ, СРАМ | 55 нс | 22б | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В631С10ПРФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v631s10prf8-datasheets-5276.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 128 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 128 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 500 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | 128 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 18б | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V67602S150BQI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | 150 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v67602s150bqi8-datasheets-5270.pdf | 165 | Параллельно | ОЗУ, СРАМ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC58NVG2S0HBAI6 | Тошиба | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-tc58nvg2s0hbai6-datasheets-5232.pdf | 8 мм | 6,5 мм | 3,3 В | 67 | 3,6 В | 2,7 В | 67 | Параллельный, последовательный | 1 | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 0,8 мм | 67 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | ЭППЗУ, НАНД | 25 нс | 512MX8 | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В424С10ПХГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v424s10phgi8-datasheets-5231.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | да | 1 мм | 1 | Нет | 1 | 180 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 512 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 19б | 0,02 А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В67603С133БГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67603s133bg8-datasheets-5230.pdf | БГА | 14 мм | 2,15 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 260 мА | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 9 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 260 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 133 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 18б | 256КХ36 | 0,05 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 7025L17J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025l17j-datasheets-5208.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 128 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 260 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17 нс | 26б | 8КХ16 | 0,0015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT6116LA20SO8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116la20so8-datasheets-5202.pdf | СОИК | 15,4 мм | 7,5 мм | 24 | Параллельно | 1 | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 1,27 мм | 24 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,12 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г24 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2КХ8 | 8 | 16384 бит | 0,00002А | 20 нс | ОБЩИЙ | 2В | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71256SA25YI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,556 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71256sa25yi-datasheets-5197.pdf | 5В | 28 | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1 | EAR99 | не_совместимо | 1 | 145 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 5В | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 15б | 32КХ8 | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71321SA20PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71321sa20pf-datasheets-5191.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 16 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 22б | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P71604S250BQ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 250 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p71604s250bq-datasheets-5173.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,9 В | 1,7 В | 20 | СРАМ | 1,5/1,81,8 В | 0,8 мА | Не квалифицирован | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,325А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71Т75802С200БГГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 200 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75802s200bgg-datasheets-5164.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 2,5 В | Без свинца | 119 | 8 недель | 2625 В | 2,375 В | 119 | Параллельно | 18 Мб | да | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 275 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,2 нс | 20б | 0,04 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71342SA20PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71342sa20pf-datasheets-5154.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 32 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 280 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 24б | 4KX8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ |
