Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер | Тип | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИДТ71В424С10ФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v424s10phi-datasheets-7341.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | 0,02 А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 71342SA55J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71342sa55j-datasheets-7339.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 32 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 240 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 24б | 4KX8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| 70В659С15БФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v659s15bf8-datasheets-7315.pdf | 15 мм | 1,4 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 440 мА | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 440 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 34б | 0,015А | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P74604S200BQG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 70°С | 0°С | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p74604s200bqg8-datasheets-7283.pdf | 1,8 В | 1,9 В | 1,7 В | 165 | Параллельно | 18 Мб | 2 | 950 мА | КДР, ОЗУ, СОЗУ | 450 пс | 17б | 36б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V2558S100BG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2558s100bg8-datasheets-7277.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 2,53,3 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,04 А | 5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 71В67703С85БКГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67703s85bqg8-datasheets-7229.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Без свинца | 165 | 7 недель | 165 | Параллельно | 9 Мб | да | 1,2 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 87 МГц | 18б | 256КХ36 | 0,05А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В659С15ВС8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v659s15bc8-datasheets-7221.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 440 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 34б | 0,015А | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 71342LA20JG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71342la20jg8-datasheets-7215.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Без свинца | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 32 КБ | да | 3,63 мм | 2 | EAR99 | СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 240 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 12б | 4KX8 | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||
| 7140SA55J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140sa55j-datasheets-7209.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 8 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 155 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 20б | 1КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| IDT71P74604S200BQG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p74604s200bqg-datasheets-7199.pdf | 1,8 В | 1,9 В | 1,7 В | 165 | Параллельно | 18 Мб | 2 | 950 мА | КДР, ОЗУ, СОЗУ | 450 пс | 17б | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3556S133BQ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s133bq-datasheets-7194.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,3 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,04 А | 4,2 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IDT6116LA45SOI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116la45soi-datasheets-7164.pdf | СОИК | 5В | 24 | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | 1 | EAR99 | не_совместимо | 1 | 95 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 24 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 5В | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 45 нс | 11б | 2КХ8 | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IDT6116SA25SOI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116sa25soi8-datasheets-7151.pdf | СОИК | 15,4 мм | 7,5 мм | 24 | Параллельно | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 1,27 мм | 24 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,12 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г24 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2КХ8 | 8 | 16384 бит | 0,002А | 25 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В3558С200ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 200 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3558s200pf-datasheets-7152.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,4 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,04 А | 3,2 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 71В016СА12БФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | 4,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v016sa12bfg-datasheets-7113.pdf | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 48 | Параллельно | 1 Мб | да | 1,4 мм | 1 | Нет | 1 | 150 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 16б | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||
| 7050S35PQF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7050s35pqf-datasheets-7089.pdf | ПКФП | 24,13 мм | 24,13 мм | 5В | Содержит свинец | 132 | Параллельно | 8 КБ | нет | 3,55 мм | 4 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 132 | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 35 нс | 10б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P74604S167BQG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | 167 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p74604s167bqg8-datasheets-7090.pdf | 165 | Параллельно | КДР, ОЗУ, СОЗУ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT6116SA20TPI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | КМОП | 4,191 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116sa20tpi-datasheets-7077.pdf | ОКУНАТЬ | 31,75 мм | 7,62 мм | 24 | Параллельно | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 225 | 5В | 2,54 мм | 24 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,13 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2КХ8 | 8 | 16384 бит | 0,002А | 20 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В2556С166ПФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2556s166pfg8-datasheets-7066.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 350 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | ПЛОСКИЙ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,5 нс | 17б | 0,04 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| 70В9099Л12ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 33,3 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9099l12pf8-datasheets-7057.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 200 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 34б | 8б | синхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||
| IDT71P74604S167BQG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 70°С | 0°С | 167 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p74604s167bqg-datasheets-6999.pdf | 165 | Параллельно | КДР, ОЗУ, СОЗУ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70Т653МС12BCI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t653ms12bci8-datasheets-6971.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 18 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 790 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 256 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 38б | 0,04 А | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| 70В639С15ПРФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v639s15prf8-datasheets-6968.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 128 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 128 | Параллельно | 2,3 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 440 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | 128 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 17б | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V2556S166BG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2556s166bg8-datasheets-6970.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 2,53,3 В | 0,35 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,04 А | 3,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 6116LA55TDB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | 5,08 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-6116la55tdb-datasheets-6954.pdf | КРИС | 32,51 мм | 7,62 мм | 5В | Содержит свинец | 24 | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | нет | 3,56 мм | 1 | Нет | 1 | 85 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 240 | 5В | 2,54 мм | 24 | ВОЕННЫЙ | СРАМ | 5В | MIL-STD-883 Класс B | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 11б | 2КХ8 | 0,0003А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||
| 70В3399С133ВС8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | 1,7 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3399s133bc8-datasheets-6924.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 16 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 2,3 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ТРУБОПРОВОДНАЯ ИЛИ ПРОТОЧНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 400 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 17б | 0,03 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V416L10BEGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416l10begi8-datasheets-6903.pdf | ТФБГА | Параллельно | ОЗУ, SRAM — асинхронное | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT6116LA45TPGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | Рельс/Труба | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116la45tpgi-datasheets-6898.pdf | ПДИП | 5В | 24 | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | 1 | EAR99 | 1 | 95 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 2,54 мм | 24 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 5В | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 45 нс | 11б | 2КХ8 | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V2548S150BG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2548s150bg-datasheets-6877.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 2,53,3 В | 0,325 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,04 А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P73804S250BQ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 250 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p73804s250bq-datasheets-6867.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,9 В | 1,7 В | СРАМ | 1,5/1,81,8 В | 0,65 мА | Не квалифицирован | DDR2, ОЗУ, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,325А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 1,7 В |
