Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 7132LA55J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7132la55j-datasheets-5988.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 16 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 110 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 22б | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3559С80БКГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3559s80bqg8-datasheets-5971.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Без свинца | 165 | 11 недель | 165 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,2 мм | 1 | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 30 | СРАМ | 0,25 мА | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 95 МГц | 18б | 0,04 А | 8 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX68GL1G0FUT2I-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | ТФСОП | 18,4 мм | 14 мм | 56 | Параллельно | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,5 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,7 В | 40 | Флэш-памяти | 3/3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г56 | ФЛЭШ, НО | 3В | 64MX16 | 16 | 1073741824 бит | 8 | 0,00012А | 120 нс | ДА | ДА | 1К | 128 тыс. | ДА | 8/16 слов | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7054Л25ПРФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7054l25prf8-datasheets-5942.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 128 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 128 | Параллельно | 32 КБ | нет | 1,4 мм | 4 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 128 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 12б | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3579S80PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3579s80pfi8-datasheets-5935.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,21 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 100 МГц | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,035А | 8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В27С55ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v27s55pf-datasheets-5937.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 512 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 225 мА | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 55 нс | 30б | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P71804S200BQG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p71804s200bqg8-datasheets-5931.pdf | 165 | Параллельно | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В432С6ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v432s6pf8-datasheets-5929.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 1 | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,63 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 83 МГц | 32КХ32 | 32 | 1048576 бит | 0,015А | 6 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В9079Л12ПФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 33,3 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9079l12pfi8-datasheets-5923.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 15б | 8б | синхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В24Л55ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v24l55pf8-datasheets-5916.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 64 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 155 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 24б | 4КХ16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V016SA12PH | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v016sa12ph-datasheets-5905.pdf | ТСОП | 3,3 В | 44 | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 1 Мб | нет | 1 | не_совместимо | 1 | 150 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 16б | 16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX68GL1G0FLXFI-11G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует RoHS | 13 мм | 11 мм | Без свинца | 64 | Параллельно | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,7 В | 40 | Флэш-памяти | 3/3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицированный | Р-ПБГА-Б64 | ФЛЭШ, НО | 3В | 64MX16 | 16 | 1073741824 бит | 8 | 0,00012А | 110 нс | ДА | ДА | 1К | 128 тыс. | ДА | 8/16 слов | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P71804S200BQG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 70°С | 0°С | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p71804s200bqg-datasheets-5826.pdf | 165 | Параллельно | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В67703С85БКИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 87 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67703s85bqi-datasheets-5822.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 165 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 9 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 210 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 165 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 87 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,5 нс | 18б | 256КХ36 | 0,07А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT6116LA25SO8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116la25so8-datasheets-5815.pdf | СОИК | 15,4 мм | 7,5 мм | 24 | Параллельно | 1 | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 1,27 мм | 24 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,11 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г24 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2КХ8 | 8 | 16384 бит | 0,00002А | 25 нс | ОБЩИЙ | 2В | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX68GL1G0FLT2I-11G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | ТФСОП | 18,4 мм | 14 мм | Без свинца | 56 | Параллельно | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,5 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,7 В | 40 | Флэш-памяти | 3/3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г56 | ФЛЭШ, НО | 3В | 64MX16 | 16 | 1073741824 бит | 8 | 0,00012А | 110 нс | ДА | ДА | 1К | 128 тыс. | ДА | 8/16 слов | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7143LA35G | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7143la35g-datasheets-5775.pdf | 29,46 мм | 29,46 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 32 КБ | нет | 3,68 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПЕРПЕНДИКУЛЯР | ПИН/ПЭГ | 240 | 5В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 22б | 0,0015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7142LA100C | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7142la100c-datasheets-5755.pdf | ОКУНАТЬ | 61,72 мм | 15,24 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 16 КБ | 3,3 мм | 2 | Нет | 110 мА | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 нс | 22б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7143ЛА55ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7143la55pf8-datasheets-5749.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 32 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 250 мА | ОЗУ, СРАМ | 55 нс | 22б | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P71804S167BQG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 70°С | 0°С | 167 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p71804s167bqg-datasheets-5732.pdf | 165 | Параллельно | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P72804S167BQGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 167 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p72804s167bqgi-datasheets-5715.pdf | 15 мм | 1,8 В | 165 | 1,9 В | 1,7 В | 165 | Параллельно | 18 Мб | 2 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | 700 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | 165 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | Не квалифицированный | КДР, ОЗУ, СОЗУ | 500 пс | 19б | 1MX18 | 18 | 18б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В9279С12ПРФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 33,3 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9279s12prf8-datasheets-5718.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 128 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 128 | Параллельно | 512 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 240 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | 128 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 15б | 0,005А | 16б | синхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TC58CVG0S3HRAIG | Тошиба | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-tc58cvg0s3hraig-datasheets-5672.pdf | 14 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX68GL1G0FHXFI-11G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует RoHS | 13 мм | 11 мм | 64 | Параллельно | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,7 В | 40 | Флэш-памяти | 3/3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицированный | Р-ПБГА-Б64 | ФЛЭШ, НО | 3В | 64MX16 | 16 | 1073741824 бит | 8 | 0,00012А | 110 нс | ДА | ДА | 1К | 128 тыс. | ДА | 8/16 слов | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В7599С200ВС | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 200 МГц | 1,7 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v7599s200bc-datasheets-5640.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 950 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 34б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P71804S167BQ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 167 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p71804s167bq-datasheets-5622.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,9 В | 1,7 В | 20 | СРАМ | 1,5/1,81,8 В | 0,475 мА | Не квалифицированный | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,275А | 0,5 нс | ОБЩИЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V016SA10Y | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v016sa10y-datasheets-5618.pdf | 28 575 мм | 10,16 мм | 44 | 44 | Параллельно | нет | 1 | 3A991.B.2.B | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ПИТАНИЕМ ОТ 3 В ДО 3,6 В. | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3,15 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 1048576 бит | 0,01 А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3,15 В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7006L25G | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7006l25g-datasheets-5608.pdf | 29,46 мм | 29,46 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 128 КБ | 3,68 мм | 2 | Нет | 220 мА | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 25 нс | 28б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3579S75PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3579s75pfi8-datasheets-5593.pdf | ЛКФП | Параллельно | ОЗУ, СРАМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71321SA55J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71321sa55j8-datasheets-5594.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 16 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 155 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 22б | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ |
