Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 7130SA25TF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130sa25tf8-datasheets-7716.pdf | TQFP | 10 мм | 10 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 8 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 220 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 10б | 1КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||
| IDT6116SA35SOI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116sa35soi8-datasheets-7712.pdf | СОИК | 15,4 мм | 7,5 мм | 24 | Параллельно | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 1,27 мм | 24 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,1 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г24 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2КХ8 | 8 | 16384 бит | 0,002А | 35 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P74804S167BQG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 70°С | 0°С | 167 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p74804s167bqg-datasheets-7703.pdf | 165 | Параллельно | КДР, ОЗУ, СОЗУ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В06Л20ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v06l20pf-datasheets-7696.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 64 | Параллельно | 128 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 175 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 14б | 16КХ8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В256СА20ПЗИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v256sa20pzi-datasheets-7692.pdf | ЦСОП | Параллельно | ОЗУ, SRAM — асинхронное | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA12PHI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa12phi8-datasheets-7689.pdf | СОИК | 20,95 мм | 10,16 мм | 32 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3,15 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,14 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г32 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 71321SA20TF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71321sa20tf8-datasheets-7678.pdf | TQFP | 10 мм | 10 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 16 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 22б | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| IDT71V2576S133PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2576s133pf8-datasheets-7673.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 2,53,3 В | 0,25 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,03 А | 4,2 нс | ОБЩИЙ | 3,13 В | ||||||||||||||||||||||||||
| 7006S55J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7006s55j-datasheets-7667.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 128 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 28б | 16КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||
| 70Т3319С200ВС8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 200 МГц | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3319s200bc8-datasheets-7641.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 4 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 525 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 18б | 0,015А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| 70В631С12ВС | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,7 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v631s12bc-datasheets-7642.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 465 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 18б | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В424С12Y8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v424s12y8-datasheets-7605.pdf | 23 495 мм | 10,16 мм | 36 | 36 | Параллельно | 1 | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 36 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,17 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | 0,02 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 3В | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT6116LA45SOGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116la45sogi8-datasheets-7603.pdf | СОИК | 5В | 24 | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | 1 | EAR99 | 1 | 95 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 24 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 45 нс | 11б | 2КХ8 | 8 | 0,00002А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 7134LA25JGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7134la25jgi8-datasheets-7573.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Без свинца | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 32 КБ | да | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 52 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 24б | 4KX8 | 0,004А | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||
| 7024Л15ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7024l15pf-datasheets-7511.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 64 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 260 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 24б | 4КХ16 | 0,0015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||
| IDT71P74604S250BQG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | 250 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p74604s250bqg8-datasheets-7503.pdf | 165 | Параллельно | КДР, ОЗУ, СОЗУ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В631С10ВС8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,7 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v631s10bc8-datasheets-7502.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 500 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 36б | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 7143SA35J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7143sa35j8-datasheets-7487.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 32 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 295мА | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 35 нс | 22б | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V2559S80BG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2559s80bg8-datasheets-7486.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 2,53,3 В | 0,25 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 95 МГц | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,04 А | 8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT6116SA35SOI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116sa35soi-datasheets-7484.pdf | СОИК | 15,4 мм | 7,5 мм | 24 | Параллельно | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 1,27 мм | 24 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,1 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г24 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2КХ8 | 8 | 16384 бит | 0,002А | 35 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В35761С183БГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 183 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v35761s183bg8-datasheets-7480.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 340 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 183 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,3 нс | 17б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| 70Т3319С166ВС8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3319s166bc8-datasheets-7430.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 4 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 450 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 18б | 0,015А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| TC58BVG2S0HTAI0 | Тошиба | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-tc58bvg2s0htai0-datasheets-7428.pdf | ТФСОП | 18,4 мм | 12 мм | 48 | Параллельно | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,5 мм | 48 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПДСО-Г48 | ЭППЗУ, НАНД | 3,3 В | 512MX8 | 8 | 4294967296 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71Т75802С166БГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75802s166bg-datasheets-7429.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 119 | 8 недель | 2625 В | 2,375 В | 119 | Параллельно | 18 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 245 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 2,3 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 166 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,5 нс | 20б | 0,04 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||
| 70Т653МС10ВС | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t653ms10bc-datasheets-7399.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 18 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 810мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 2,3 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 38б | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT6116SA25TPI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | КМОП | 4,191 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116sa25tpi-datasheets-7393.pdf | ОКУНАТЬ | 31,75 мм | 7,62 мм | 24 | Параллельно | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 225 | 5В | 2,54 мм | 24 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,12 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2КХ8 | 8 | 16384 бит | 0,002А | 25 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7134LA25JGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7134la25jgi-datasheets-7387.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Без свинца | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 32 КБ | да | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 260 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 52 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 24б | 4KX8 | 0,004А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||
| IDT71P74604S250BQ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | 250 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p74604s250bq8-datasheets-7374.pdf | 165 | Параллельно | КДР, ОЗУ, СОЗУ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ70825L20PFI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt70825l20pfi-datasheets-7367.pdf | TQFP | 14 мм | 5В | 80 | 5,5 В | 4,5 В | 80 | Параллельно | 128 КБ | 2 | EAR99 | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 80 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | Не квалифицированный | БАРАН | 20 нс | 26б | 8КХ16 | 16 | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V2559S75BG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2559s75bg-datasheets-7362.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 2,5/3,3 В | 0,275 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 100 МГц | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,04 А | 7,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В |
